晶体管

晶体管混频器电路02

晶体管混频器电路01

采用达林顿晶体管的红外发送电路

追随离职上司跳槽？

追随离职上司跳槽？

夏普支付1.985亿美元和解TFT晶体管诉讼案

北京时间7月10日，据国外媒体报道，日本液晶面板供应商夏普已同意向戴尔及另外两家公司支付1.985亿美元，就该公司在北美及欧洲地区的TFT(薄膜场效应晶体管)业务诉讼案达成和解。目前尚不清楚诉讼涉及哪些公司。但据推

夏普支付巨资和解TFT晶体管诉讼案

据国外媒体报道，日本液晶面板供应商夏普已同意向戴尔及另外两家公司支付1.985亿美元，就该公司在北美及欧洲地区的TFT(薄膜场效应晶体管)业务诉讼案达成和解。目前尚不清楚诉讼涉及哪些公司。但据推断指控涉及东芝、

28nm到14nm工艺代沟，全耗尽硅技术如何弥补？

今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程，不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山——这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出，

28nm到14nm工艺代沟，全耗尽硅技术如何弥补？

今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程，不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山——这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出，

晶体管的相关知识介绍

　(一)晶体管材料与极性的判别　　1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料

SoC低电压SRAM技术介绍

东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑

具有助推晶体管的12W低噪音音频放大器电路

晶体管驱动电路图

晶体管的相关知识介绍

　(一)晶体管材料与极性的判别　　1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料

台联电购IBM 3D晶体管技术 代工前景依然乐观

近日，台湾芯片代工企业台联电宣布，其已经获得IBM 20nm COMS处理器的专利授权，另外还包括FinFET 3D晶体管技术专利，得以进行20nm以及3D芯片的开发研制。在3D晶体管这一CPU新兴热点上，台联电获迈出了重要的一步，这

IBM授权联电业界第二家使用3D晶体管工艺

据国外媒体报道，台湾芯片代工大厂联电（UMC）上周末与IBM签署了一项协议，前者将在后者帮助下研发并推出20nm CMOS制程工艺，并引入FinFET即3D晶体管技术。 联电官方表态称，IBM将其20nm制程工艺整套设计和FinFET

控制基极的晶体管电子继电器电路图

如图所示。图a为NPN型晶体管利用+Ec电源控制的电子继电器。 图b为NPN型晶体管接地控制电路。 图c为PNP型晶体管利用-Ec控制的电子继电器。 图d是有自生偏压的电子继电器。

双极性步进电机驱动电路图

双极性步进电机的驱动电路如图所示，它会使用八颗晶体管来驱动两组相位。双极性驱动电路可以同时驱动四线式或六线式步进电机，虽然四线式电机只能使用双极性驱动电路，它却能大幅降低量产型应用的成本。双极性步进电

基于压电振荡器的白光LED供能方法

接收单电池供电的LED驱动器正受到广泛关注。为由低电压电源产生能够点亮白光LED的高电压，主要需要某种电子振荡器，最简单的为压电蜂鸣 器。压电转换器特殊地用于振荡器和驱动白光LED(图1)。压电模片或弯曲板组成压电

联电、IBM 合攻20纳米市场

晶圆代工厂联电（2303）昨（29）日宣布与IBM签订技术授权合约，将以3D架构的鳍式场效晶体管（FinFET），促进次世代尖端20纳米CMOS制程的开发，以加速联电次世代尖端技术的研发时程。 根据联电及IBM的协议，IBM将

简单的晶体管逆变器电路图

在偏远乡村，经常会有停电现象，有些大学到一定时间也会自动关灯，不过这没关系，有了它，这些就可以解决。这是一款非常容易制作的逆变器，可以将１２Ｖ电源电压变为２２０Ｖ市电，电路由ＢＧ２和ＢＧ３组成的多谐振