晶体管

静电蓄能式晶体管脉冲电路

晶体管自激多谐振荡器电路

晶体管触发电路

高低压复合晶体管脉冲电源电路

等脉冲晶体管马车电源原理图电路

从属型晶体管脉冲电源原理图电路

JF-40A晶体管脉冲电源前置放大器原理图电路

采用三只晶体管的调幅电路

可伸缩石墨烯晶体管 克传统半导体缺陷

据美国物理学家组织网报道，韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质，新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问题。相关研究

半导体制程再微缩 经济效益惨淡

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-YiChiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达7nm节点;但在7nm节点以下

半导体制程再微缩 经济效益惨淡

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7nm节点;但在 7nm节点

半导体制程再微缩 经济效益惨淡

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7nm节点;但在 7nm节点

十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点；但在 7纳米

十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-YiChiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达7纳米节点；但在7纳米节

十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点，但在 7

十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点，但在 7纳米

十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点；但在 7纳米

22nm以下半导体光刻工艺最大挑战将来自成本

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体工艺光刻的途径是清晰可见的，可直达7纳米节点；但在7纳米节

赛灵思发布利用68亿个晶体管打造的可编程逻辑器件

21ic讯 赛灵思公司 （Xilinx, Inc.）日前宣布推出首批 Virtex®-7 2000T FPGA，这是利用68 亿个晶体管打造的世界容量最大的可编程逻辑器件，为客户提供了无与伦比的200 万个逻辑单元，相当于 2,000 万个 ASIC 门，

22纳米3D晶体管技术

Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破，沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构，一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。 3D Tri-Gate晶体管使用了一个微薄的三维硅鳍片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，使