电路的功能差动放大器的噪声特性由输入级决定,在本电路中,该级采用PMI公司生产的低噪声双晶体管,使噪声特性得以改善。这是一种较完善的差动输入前置放大器。因为本电路采用双极晶体管,所以宜用作信号源电阻低的传
Intel透露今年预计推出的Ivy Bridge将采用全新22nm的3D硅晶体技术,并且在接下来将进展到14nm,乃至于之后于2016年间也预计推出采用11nm制程的 “Skymont”平台。而看起来IBM也将不甘落后,目前官方宣布已
目前,涉及到智能手机的市场必火,作为智能手机大脑的移动SoC市场当然也受到全球范围内为数众多的芯片厂商大力追捧。以下就让我们探讨在SoC时代中,摩尔定律是如何作用于SoC的。当CPU被逐渐退居二线,而移动SoC登上首
IBM 研制出9nm晶体芯片
碳纳米管物理性质良好,它既有强大的机械性能,也有相当好的携带电子的能力。日前,IBM的研究人员宣布,已经创建出一种仅有9纳米尺寸的碳结构纳米管,它可以制造出非常小的晶体管,目前民用产品中最小的晶体管是英特
【联合新闻网/记者杨又肇/报导】 Intel透露今年预计推出的Ivy Bridge将采用全新22nm的3D矽晶体技术,并且在接下来将进展到14nm,乃至于之后于2016年间也预计推出采用11nm制程的「Skymont」平台。而看起来IBM也将不
病人即使在离开医院后,也需要让医生随时了解他们的病情,以进行身体状况监控。近日科学家发明了一种可以轻松监测病人身体状况的小型电子仪器,像临时纹身一样,贴在皮肤上,让病人摆脱了以往笨重的电子仪器和电极进
国产的隧道二极管全都是锗材料做成的,其峰值电压约为0.25伏左右,若这种锗的遂道二极管要与硅晶体管并联使用时,则遂道二极管BG2要串接反向二极管BG1(同了图5(a),反向二极管是一种变种的隧道二极管,其峰点电流
Abstract— 一种用于射频和微波测试系统的高性能GaAsSb基区,InP集电区 DHBT IC 工艺被成功研发。这种GaAsSb工艺使得在工作电流为JC = 1.5 mA/µm²时fT 和 fmax分别达到了 185 GHz and 220 GHz,JC =
三点式振荡电路是指谐振回路的三个引出端点分别与三极管的三个电极相连接。1)三点式振荡电路相们条件判断准则 图5.3-3为三点式振荡电路的一般形式。可证明,三点式振荡电路满足相位条件的判断准则是:凡与晶体管发射
电路的功能在光接收电路中,如果外来光引起误动作,可靠性就会下降。用脉冲式发光,可作成能识别平均外来光和脉冲波的电路。输出不仅有导通、截止状态,还有与驱动频率相同的脉冲串输出。电路工作原理流过光电晶体管
各种类型低频放大器,主要特点是,工作频率范围宽,放大信号的中心频率从几十赫至几百千赫;这类放大器通常处于低频多级放大器的前几级,故称前置放大器,它的输入信号幅度很小,约几到几十毫伏或甚至更小,所以属于
半导体工艺技术在不断进步。先行厂商已开始量产22/20nm工艺产品,而且还在开发旨在2~3年后量产的15nm技术。不过,虽然技术在不断进步,但很多工艺技术人员都拥有闭塞感。因为工艺技术革新的关键--微细化让人担心。决
半导体工艺技术在不断进步。先行厂商已开始量产22/20nm工艺产品,而且还在开发旨在2~3年后量产的15nm技术。不过,虽然技术在不断进步,但很多工艺技术人员都拥有闭塞感。因为工艺技术革新的关键——微细化
半导体工艺技术在不断进步。先行厂商已开始量产22/20nm工艺产品,而且还在开发旨在2~3年后量产的15nm技术。不过,虽然技术在不断进步,但很多工艺技术人员都拥有闭塞感。因为工艺技术革新的关键——微细化
半导体工艺技术在不断进步。先行厂商已开始量产22/20nm工艺产品,而且还在开发旨在2~3年后量产的15nm技术。不过,虽然技术在不断进步,但很多工艺技术人员都拥有闭塞感。因为工艺技术革新的关键——微细化让人担心。
细小的CPU芯片有多达数亿晶体管,其中的电路的复杂程度可想而知,一般的芯片,若是其中一个电路瘫痪,整个CPU就此报废,但是如果芯片具有自我修复能力,就像科幻电影《终结者》中T-1000机器人,情况就不一样了。最近