晶体管

英特尔3D三栅极晶体管设计获年度科技创新奖

10月21日上午消息，《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极晶体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键

Intel：22nm Ivy Bridge已开始量产

Intel在昨日的季度财务会议上公开确认，下一代新工艺22nm已经正式投入批量生产。3-D立体晶体管就要来了，IvyBridge就要来了。IntelCEOPaulOtellini告诉分析人士：“第三季度内，我们使用22nm工艺开始了IvyBridge的量

新式晶体管能传输质子流 有望开发新设备

人类的各种用电器，从电灯泡到iPod都是通过电子来传输信息，而人体和其他生物自身却是用离子和质子来传输信号并执行任务。据美国物理学家组织网近日报道，华盛顿大学材料科学家制造出一种能传输质子流的新式晶体管，

科学家研制出新型铁电晶体管随机存取存储器

据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会

单极晶体管长时间定时器

半导体业将焕发新春 专家的新观点

曾有人认为，过去几十年给人类文明和科技进步带来重大影响的半导体业已是日薄西山。但8日在美国硅谷出席一个科技会议的专家们指出，随着无线通信等蓬勃发展，半导体业有望迎来新的春天。 硅谷最大的华人半导体专业组

硅谷专家认为半导体业将焕发新春

曾有人认为，过去几十年给人类文明和科技进步带来重大影响的半导体业已是日薄西山。但８日在美国硅谷出席一个科技会议的专家们指出，随着无线通信等蓬勃发展，半导体业有望迎来新的春天。 硅谷最大的华人半导体

“潜力股”光子晶体牵出“遥科学”大未来

中科院物理研究所研究员李明是个“幸运儿”，他所负责的空间复合胶体晶体生长实验，是天宫一号里唯一的一项空间科学实验。此刻，李明在北京大后方进行紧张的工作；在酒泉卫星发射中心前线，中科院物理所副所长、载人

晶体管的检测经验

　(一)晶体管材料与极性的判别　　1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料

晶体管的检测经验

　(一)晶体管材料与极性的判别　　1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母A"D表示晶体管的材料和极性。其中，“A”代表锗材料PNP型管，“B”代表锗材料

瑞萨电子推出新型SiGe:C异质接面晶体管

21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出新款SiGe:C异质接面晶体管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作为低噪声放大晶体管用于无线局域网络系统、卫星无线电及类似应用。本装置的制程采

“把质量放在第一位”—访罗姆半导体（中国）有限公司董事兼总经理 张驹

罗姆半导体（中国）有限公司随着中国IT产业的不断发展，罗姆半导体（中国）有限公司本着“质量第一”的企业理念，将以市场为导向，以客户为上帝，生产出更多﹑更好的半导体产品，满足消费者的需求。 &

低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较

新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。　　便携式产品(如手机、数码照相机、

低VCEsat双极结晶体管和MOSFET的比较

新型低VCEsat BJT技术为传统的平面MOSFET(电流介于500mA与5A之间的应用)提供了一种可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于设计人员设计出成本更低、更具竞争优势的产品。　　便携式产品(如手机、数码照相机、

利用晶体管饱和特性的非选择性三倍频器电路图

太阳能处理器震撼曝光，晶体管能耗极低

Intel CEO Paul Otellini在演讲期间展示了一项非常有趣的研究：“太阳能处理器”。一颗“裸奔”中的原型芯片，无需任何散热片或者散热器，只依靠一块邮票大小的太阳能电池。 1 2 3 4 5 这

晶体管耳机放大器

晶体管与门保护电路

晶体管直流二倍升压电路

应对功耗挑战： 晶体管技术方案面临瓶颈

在电费占运营成本 (OPEX) 很大一部分，而运营成本则占总成本约 70% 的情况下，降低功耗对运营商来说已刻不容缓。以前，芯片提供商想办法通过晶体管和工艺技术来降低功耗。虽然晶体管是产生功耗的主要原因，但并非