21ic讯 中国,2011年12月27日 —— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功
引言 低噪声放大器(LNA)是雷达、通信、电子对抗、遥测遥控等电子系统中关键的微波部件,有广泛的应用价值。由于微波系统的噪声系数基本上取决于前级放大器的噪声系数,因此LNA噪声系数的优劣会直接影响整个系统性
这里描述的电源把电压从一节手电筒电池的1.5伏提高到LED所需的3.5伏,同时用电源把LED和手电筒电池串联起来。设计这种电路是为了用LED对手电筒进行改进。增压电路在有两节电池的手电筒中将代替的一节电池,LED装置则