晶体管

晶体管驱动TTL的接口电路

CMOS与晶体管的互接口电路

英特尔：14nm工艺的Atom移动芯片2014年问世

英特尔：14nm工艺的Atom移动芯片2014年问世

差分放大器中的不匹配效应及消除方法研究

随着微电子制造业的发展，制作高速、高集成度的CMOS电路已迫在眉睫，从而促使模拟集成电路的工艺水平达到深亚微米级。因为诸如沟道长度、沟道宽度、阈值电压和衬底掺杂浓度都未随器件尺寸的减小按比例变化，所以器件

车载数码相机充电适配器设计

附图为数码相机充电适配器电路。电路采用一对晶体管差分放大器和一级电流放大器．分别输出恒定的电压和要求的电流。晶体管T1和T2构成一对差分放大器．T1基极电压由稳压二极管ZD1稳定在3V．T2基极电压则由电源经R3和R

PWM调光技术：如何优化LED色彩稳定度

本文探讨提供发光二极体(LED)调光的方法，分析LED调光对其长期性能及所发射出光的色彩稳定性之影响，并特别探讨如何结合使用线性恒流稳流器(CCR)及数位电晶体来提供脉冲宽度调变(PWM)调光。PWM为改变LED光输出首要方

模拟设计的未来

摩尔定律告诉我们硅制造业的改进可使我们在同样的成本下，每两年就使晶体管的数量翻一番。换个观察的角度就是硅晶圆的价格从未上升，并且硅晶圆的固定价格使我们不得不去构想如何最好地使用每两年翻一倍的晶体管。然

车载数码相机充电适配器设计

附图为数码相机充电适配器电路。电路采用一对晶体管差分放大器和一级电流放大器．分别输出恒定的电压和要求的电流。晶体管T1和T2构成一对差分放大器．T1基极电压由稳压二极管ZD1稳定在3V．T2基极电压则由电源经R3和R

PWM调光技术：如何优化LED色彩稳定度

本文探讨提供发光二极体(LED)调光的方法，分析LED调光对其长期性能及所发射出光的色彩稳定性之影响，并特别探讨如何结合使用线性恒流稳流器(CCR)及数位电晶体来提供脉冲宽度调变(PWM)调光。PWM为改变LED光输出首要方

澳大利亚科学家研制出完美的“单原子晶体管”

澳大利亚科学家表示，他们研制出一种单原子晶体管，其由蚀刻在硅晶体内的单个磷原子组成，拥有控制电流的门电路和原子层级的金属接触，有望成为下一代量子计算机的基础元件。研究发表在2月19日出版的《自然·纳

可驱动50欧负载的宽带缓冲放大器电路及工作原理分析

电路的功能本电路是SEPP输出电路，输出级由NPN晶体管构成，可工作于高频，它可作为输入阻抗较高的OP放大器的电流增强器或作为驱动50欧负载的输出缓冲放大器用。电路工作原理由于输入级的射级输出器TT1和输出晶体管TT

SoC用低电压SRAM技术

东芝在“2010 Symposium on VLSITechnology”上，发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术。该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术。通过控制晶体管阈值电压的经时变化，可抑

设计自由度很大的二级直耦宽带放大器电路及其工作原理

电路的功能虽然很多单片IC也被称为宽带放大器，但往往因具特性与使用要求不匹配，设计上又没有自由度，因而无法应用。用晶体管组合而成的放大器可以按使用要求进行组合，设计自由度大，所以在图象电路中得到广泛的应

高频特性得到改善的功率MOSFET放大器电路及其工作原理

电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。

与非门组成晶体管速测器电路图及其原理分析

图中所示是用CMOS反相器组成的晶体管速测器.CMOS电路采用J330,该电路在设计上考虑到要驱动TTL门电路,故输出电流可达10MA以上.该晶体管速测器既可测晶体管的好坏,还可自动指示出晶体管的类型,基极位置或二极管的极性等

高频特性得到改善的功率MOSFET放大器电路及其工作原理

电路的功能用于大功率的MOSFET功率放大器，其转换速度比单级晶体管快，适合在高频条件下工作。本电路使用了决定转换速度的激励器，而且还在输出级采用了MOSFET，使高频特性得以改善。输出功率取决于电源电压和负载。

由晶体管构成的宽频带幅值放大电路

晶体管与晶振构成的不可调振荡电路

可获得400VP-P输出的高电压增强器电路功能及原理

电路的功能OP放大器的输出振幅幅值为正负10~30V，需要数百伏幅值的静电激励器或压电器件就要使用专门的激励放大器，也有采用由耐高压晶体管组成的独立电路的。本电路主要应用OP放大器的直流特性，在OP放大器后面增加

频率为3~30MHZ的高频VCO电路功能及工作原理

电路的功能这是一种可在3M~30MHZ频率使用的电压控制振荡器，在通信机或信号发生器等测量仪器中，可与PLL电路配合使用。振荡回路采用了变形克拉着振荡电路方式，晶体管TR1的参数变动对振荡频率影响不大。电路工作原理