晶体管

SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要

SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要

SOI工业协会组织宣告FDSOI晶体管制造用晶圆产业已整装待发

Intel，台积电等巨头企业已经决定先后在22/14nm节点走上Finfet之路，这样一来，另一条路FDSOI方面的进展状况便显得格外引人注目。最近，在日本东京召开了2011年半导体技术国际会议（Symposium on VLSI Technology），

SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要

飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案重新定义晶体管性能

硅片RF LDMOS功率晶体管的全球领先厂商飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解决方案，旨在为全球无线基础设施设备制造商提供RF功率产品，将性能和能效提升至新的高度。 Airfast系列是飞思卡尔推出

英特尔3D芯片将为医疗设备带来革命性影响

英特尔公司开发了使用3D结构的晶体管，这被称为50余年微处理器设计的最大突破，并将投入大规模生产。英特尔公司在一份新闻稿中表示，三栅型设计师英特尔公司最早在2002年公布的，该产品的设计彻底摆脱了二维平面晶体

CXS-78A型晶体管床位显示器电路

电子鬼才，仅用导线和晶体管DIY电脑[图]

真的猛士，敢于DIY自己的生活；真的猛士，敢于DIY自己的电子产品；真的猛士，敢于只用导线和晶体管DIY自己的电脑。从零开始造电脑……这得是何等的生猛啊。一般人也就是自己组台机器装个系统啥的，这位叫

台积电称Finfet尚未成熟 芯片设计制造需改动

自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内（至少到下一个节点制程时）仍将采用传统

台积电GlobalFoundries纷纷表态称Finfet尚未成熟

自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内（至少到下一个节点制程时）仍将采用传统

韩日英三国科学家研制出2nm量子晶体管

据韩国联合通讯社报道，来自韩国、日本、英国的科学家们利用量子效应，成功地开发出了世界上最小的晶体管。 项目负责人、韩国忠北国立大学教授崔钟范(ChoiJung-bum)表示，这种量子效应晶体管不但尺寸仅有2nm，而

台积电GlobalFoundries纷纷表态称Finfet尚未成熟

??????? 自从Intel正式对外公布22nm制程节点将启用Finfet垂直型晶体管结构，吸引了众人的注意之后，台积电，GlobalFoundries等芯片代工厂最近纷纷表态称芯片代工市场在未来一段时间内（至少到下一个节点制程时）仍将

韩日英三国科学家研制出2nm量子晶体管

据韩国联合通讯社报道，来自韩国、日本、英国的科学家们利用量子效应，成功地开发出了世界上最小的晶体管。项目负责人、韩国忠北国立大学教授崔钟范(ChoiJung-bum)表示，这种量子效应晶体管不但尺寸仅有2nm，而且能够

韩日英三国科学家研制出2nm量子晶体管

据韩国联合通讯社报道，来自韩国、日本、英国的科学家们利用量子效应，成功地开发出了世界上最小的晶体管。项目负责人、韩国忠北国立大学教授崔钟范(ChoiJung-bum)表示，这种量子效应晶体管不但尺寸仅有2nm，而且能够

韩日英三国科学家研制出2nm量子晶体管

据韩国联合通讯社报道，来自韩国、日本、英国的科学家们利用量子效应，成功地开发出了世界上最小的晶体管。 项目负责人、韩国忠北国立大学教授崔钟范(Choi Jung-bum)表示，这种量子效应晶体管不但尺寸仅有2nm，而

3D半导体制程 不是Intel柯断？

前不久Intel把3D立体概念应用在半导体制程的〝FinFET技术〞并发表了〝3-D Tri-Gate MOSFET三维晶体管〞技术，简单地说就是把原本二维的平面栅级用一块非常薄的三维矽鳍片来取代，并且在立体的三个面上都放置了一个

3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收

3D晶体管技术专利撞车？韩国称比英特尔较早申请

新闻来源:Digitimes 据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获

韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用

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据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用收