晶体管

晶体管反相器

晶体管低速开关

晶体管单管延时吸合继电器

晶体管单管延时释放继电器

二极管-晶体管与非门电路

二极管-晶体管或非门电路

10nm以后我们在开发 英特尔日本副社长阿部谈MPU制造的未来

制造工艺的发展蓝图出处：美国英特尔的Press专用主页（点击放大） Tri-Gate的特点出处：美国英特尔的Press专用主页。（点击放大） 英特尔日本的阿部刚士（董事副社长兼技术开发和制造技术本部长）7月8日作为特

JX-1型晶体管恒温自动控制器电路

JHK-2型晶体管恒温控制器电路

应用材料突破性快速热处理技术推动20纳米工艺发展

近日，应用材料公司宣布推出Applied Vantage Vulcan快速热处理(RTP)系统，推动最先进纳米级晶体管制造的发展。该系统超越了当前的RTP技术，将退火工艺的精确性和控制性提高到了一个新的水平，为芯片制造商减少了可变

台积电或抢先英特尔一步推出3-D芯片堆叠产品

据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露，芯片代工巨头台积电（TSMC）有望超过intel，在2011年底推出业内首款采用3-D芯片堆叠技术的半导体芯片产品。 TAITRA的报告援引了一则匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他们将于

台积电或抢先英特尔一步推出3-D芯片堆叠产品

据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露，芯片代工巨头台积电（TSMC）有望超过intel，在2011年底推出业内首款采用3-D芯片堆叠技术的半导体芯片产品。 TAITRA的报告援引了一则匿名消息： Intel曾于今年5月表示，他们将于

应用材料公司推出20纳米世代的突破性快速热处理技术

? 革命性的设计使应用材料公司在多世代引领RTP技术的发展 ? 唯有RTP系统才能克服芯片上制约成品率的热点，从而提高每片硅片上高性能芯片的产量 2011年7月6日，上海——近日，应用材料公司宣布推出Applied Van

台积电年底有望推出首款3D芯片

据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露，芯片业代工巨头台积电公司可望于今年年底前推出业内首款采用3D芯片堆叠技术的半导体芯片产品。Intel 则曾于今年五月份表示，他们将于今年年底前开始量产结合了三门晶体管技术(台

十年后半导体制程微缩之挑战在成本而非技术

晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7纳米节点；但在 7纳米

台积电年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%

台积电年底有望推出首款3D芯片 能耗可降低50%

FDSOI晶体管制造用晶圆产业已整装待发

Intel，台积电等巨头企业已经决定先后在22/14nm节点走上Finfet之路，这样一来，另一条路--FDSOI方面的进展状况便显得格外引人注目。最近，在日本东京召开了2011年半导体技术国际会议（Symposium on VLSI Technology）

射频集成电路半导体器件技术

近年来，无线通信市场的蓬勃发展，特别是移动电话、无线因特网接入业务的兴起使人们对无线通信技术提出了更高的要求。体积小、重量轻、低功耗和低成本是无线通信终端发展的方向，射频集成电路技术（RFIC）在其中扮演

SOI工业协会组织宣告FDSOI晶体管制造用晶圆产业已整装待发

Intel，台积电等巨头企业已经决定先后在22/14nm节点走上Finfet之路，这样一来，另一条路FDSOI方面的进展状况便显得格外引人注目。最近，在日本东京召开了2011年半导体技术国际会议（SymposiumonVLSITechnology），会

SOI晶圆供应商称为晶体管制造做好了量产准备

不久前在日本京都举行的VLSI技术研讨会上提交的研究结果显示，采用超薄衬底的SOI晶圆和22纳米工艺制造的器件和采用体硅晶圆、22纳米工艺制造的器件相比，性能的提高达到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在内的几家主要