日立制作所宣布,开发出了有关中高耐压(35~300V左右)晶体管的两项技术。其一是在一枚芯片上集成源漏极耐压各不相同的多个晶体管的技术,另一个是可将栅源极耐压提高至300V的技术。 图1:可将耐压各不相同的
据韩国电子新闻报导,日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术,韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天,若受审核为同样的技术,韩国将可获得庞大的专利权使用
ARM并不看好Intel的3D晶体管制程技术
英特尔开发3D晶体管对ARM构成的威胁
IHS iSuppli公司的研究显示,凭借其新型Tri-Gate 3-D晶体管技术,英特尔将得到其所需的低功率微处理器,进军平板与智能手机半导体市场,并击退ARM芯片可能向PC领域发起的进攻。英特尔将利用其22纳米制程技术生产基于
IHS iSuppli公司的研究显示,凭借其新型Tri-Gate 3-D晶体管技术,英特尔将得到其所需的低功率微处理器,进军平板与智能手机半导体市场,并击退ARM芯片可能向PC领域发起的进攻。英特尔将利用其22纳米制程技术生产基于
据Intel公司负责22nm制程项目的经理Kaizad Mistry透露,Intel早在四年前便已经决定要在22nm制程节点启用三栅(Tri-gate)技术。Intel的三栅技术其本质是属于 Finfet晶体管一类,但是由于三栅在鳍的两个侧面以及鳍的
据Intel公司负责22nm制程项目的经理Kaizad Mistry透露,Intel早在四年前便已经决定要在22nm制程节点启用三栅(Tri-gate)技术。Intel的三栅技术其本质是属于 Finfet晶体管一类,但是由于三栅在鳍的两个侧面以及鳍的顶
CNET科技资讯网 5月16日 国际报道 英特尔正在开发一款采用3D晶体管技术的凌动芯片架构。英特尔在加速节能芯片的开发进程,以进入智能手机和平板电脑芯片市场。 消息人士透露,代号为Silvermont的新款凌动芯片将
英特尔采用3D晶体管技术开发全新凌动芯片架构
记者:英特尔公司近日宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破,首款3-D晶体管进入生产技术阶段。Intel新技术可以降低近一半的功耗,在这种情况下,有人称在广大的移动电子消费市场上,它能与ARM打成平手,你如何评
最新的消息显示,英特尔近日才刚刚曝光的3D晶体管技术现在已经有了具体的研发目标,英特尔将会利用全新的3D晶体管技术来研发新一代的Atom处理器架构,其目标主要就是提升性能的同时降低功耗,为用户提供一种能耗出色
英特尔最近发布了22纳米三栅极晶体管技术(参阅电子工程专辑报道:图解英特尔提前量产3D晶体管,进入22nm时代),市场研究公司IHS iSuppli认为该技术使得这家世界第一的芯片厂商得以进军智能手机与多媒体平板市场、同时
英特尔(Intel)日前大动作地发表了其年度科技大突破,号称其3D三闸(Tri-Gate)晶体管技术,将可望为其进军行动处理器市场,铺下一条平坦大道,但根据ZDNet网站引述市调研究机构Gartner分析师的意见指出,英特尔在通讯
英特尔(Intel)日前大动作地发表了其年度科技大突破,号称其3D三闸(Tri-Gate)晶体管技术,将可望为其进军行动处理器市场,铺下一条平坦大道,但根据ZDNet网站引述市调研究机构Gartner分析师的意见指出,英特尔在通讯技
业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造,没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺,并且于上周四向全世界表示将在年底进行规模量产,批量投产研发代号Ivy BRIDGE的22纳米英特尔CPU,并在美国展
本周三Intel举办了一次新闻发布会,会上Intel高管Mark Bohr宣布Intel在22nm制程处理器中全面启用三栅晶体管技术(也称3D晶体管技术),他并表示三栅晶体管技术的启用可以极大地减小晶体管的工作电压,其实三栅晶体管