ARM:英特尔3D晶体管不会改变格局
2011年5月4日,英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小元件,自50多年前硅晶体管发明以来,3-D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特将推出被称为三栅级(Tri-Gate)
自从1947年晶体管问世以来,晶体管技术飞速发展,为开发更强大、成本效益更好、能效更高的产品铺平了道路。要想按照摩尔定律的步调不断进步,就必须进行大量创新。近期值得关注的创新成果是应变硅(英特尔于2003年推
5月5日消息,据美联社报道,英特尔周三表示,已重新设计了其芯片上的电子开关(即晶体管),可使电脑不断降低价格、功能变得更为强大。晶体管通常是扁的,英特尔通过加入第三维--“鳍”状的突起物,能生产出更小的晶
英特尔大连芯片厂总经理柯必杰昨天透露,英特尔内部目前具备22纳米、3维晶体管芯片生产能力的工厂有5个,它们分别是在美国俄勒冈州的试验线D1D和D1C,在美国亚利桑那州的Fab-12和Fab-32,以及在以色列的Fab-28。
英特尔(Intel)于日前宣布芯片设计创新,外界认为,主要是为摆脱英国芯片大厂ARM的威胁。ARM对英特尔在微处理器行业的统治地位构成挑战。销售收入居全球第1的芯片生产商英特尔,于5日公布最新3D三闸晶体管技术。该公司
英特尔日前宣布完成芯片技术重大突破,将导入三维晶体管的芯片技术在22 纳米制程生产新款微处理器。台积电研发资深副总经理蒋尚义对此表示,在成本下降、上下游技术架构建立后,台积电即会导入三维晶体管。2002年英特
英特尔MPU晶体管的发展轨迹。数据由英特尔提供。(点击放大) Tri-Gate实现量产的轨迹。数据由英特尔提供。(点击放大) 美国英特尔公司宣布,将从22nm工艺开始量产采用三维晶体管“Tri-Gate(三栅极)”的MPU
英特尔“Tri-Gate”3D晶体管技术的照片(照片:由英特尔公司提供)(点击放大) 老式平面型晶体管(左)与Tri-Gate晶体管(右)的比较(图:引自英特尔公司资料)(点击放大) Tri-Gate技术的概要(图:引自
作者:孙昌旭 业界一直传说3D三栅级晶体管技术将会用于下下代14nm的半导体制造,没想到英特尔竟提前将之用于22nm工艺,并且于上周四向全世界表示将在年底进行规模量产,批量投产研发代号Ivy Bridge的22纳米英特尔
台湾积体电路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,简称:台积电)周四表示,在2D芯片容量达到极限之前,公司不会启用3D晶体管技术生产半导体,而且3D技术的基础条件尚不成熟。英特尔(Intel
作为对Intel 22nm三栅技术的后续追踪报道,我们搜集了多位业界观察家对此的理解和意见,以便大家能在Intel不愿意过早透露22nm三栅技术较多技术细节的情况下能更深入地理解这种技术。 鳍数可按需要进行调整(Intel 2
继四年前首度启用HKMG工艺制作商用处理器之后,全球最大的半导体厂商Intel又一次站在了业界前列,这一次他们用实际行动宣告与传统的平面型晶体管技术彻底告别。如先前外界所预料的那样,本周三Intel举办了一次新闻发
单片型3D芯片集成技术与TSV的研究
英特尔3D晶体管来势汹汹 ARM不畏惧
被称为三栅极的世界上首款3-D晶体管进入生产技术阶段左边为32纳米平面晶体管,右边为22纳米 3-D三栅极晶体管,示意电流通过的样子 新浪科技讯 北京时间5月5日上午消息,英特尔周三在旧金山展示了一项全新的3D晶体
继四年前首度启用HKMG工艺制作商用处理器之后,全球最大的半导体厂商Intel又一次站在了业界前列,这一次他们用实际行动宣告与传统的平面型晶体管技术彻底告别。如先前外界所预料的那样,本周三Intel举办了一次新闻发
继四年前首度启用HKMG工艺制作商用处理器之后,全球最大的半导体厂商Intel又一次站在了业界前列,这一次他们用实际行动宣告与传统的平面型晶体管 技术彻底告别。如先前外界所预料的那样,本周三Intel举办了一次新闻发
全球最大半导体制造商英特尔公司(Intel)4日发表以3D技术制造处理器的最新制程(三维晶体管),可提高芯片效能多达37%,并降低耗电量,预定年底前投产。英特尔说,这是半导体技术逾50年来最重大的突破。英特尔计划把芯
英特尔昨(5)宣布完成芯片技术重大突破,将导入三维晶体管的芯片技术在22 纳米制程生产新款微处理器。台积电研发资深副总经理蒋尚义对此表示,在成本下降、上下游技术架构建立后,台积电即会导入三维晶体管。 20