联发科过去十多年来在全球手机晶片市场有相当的占有率基础上,展现高度且精准的研发实力,在5G国际标准讨论初期就参与5G标准制订,如今成为全球5G技术标准的贡献者之一。联发科更积极争取3GPP大会于2019年1月21日到台湾举办,促进全球5G依共同标准顺利发展,共同见证5G技术发展的重要时刻。
1 引言半导体技术的进步大大提高了芯片晶体管数量和功能,这一集成规模在几年前是无法想象的。因此,如果没有IC封装技术快速的发展,不可能实现便携式电子产品的设计。在消费类产品小型化和更轻、更薄发展趋势的推动下
倒装晶片(Flip Chip)贴装属于先进半导体组装(Advanced Semiconductor Assembly),常见的应用有无线天线、蓝牙、硬盘磁头、元件封装、智能传感器和一些医用高精密设备等。由于半导体元件的尺寸小,引脚的间距小,
助焊剂应用单元是控制助焊剂浸蘸工艺的重要部分,其工作的基本原理就是要获得设定厚度的稳定的助焊剂薄 膜,以便于元件各焊球蘸取的助焊剂的量一致。我们以环球仪器公司获得专利的助焊剂薄膜应用单元(Linear Thin F
基板技术是倒装晶片工艺需要应对的最大挑战。因为尺寸很小(小的元件,小的球径,小的球间距,小的贴装 目标),基板的变动可能对制程良率有很大影响:·密间距贴装良率极易受限于阻焊膜和焊盘的尺寸公差;·由于尺寸
1.一般的混合组装工艺流程在半导体后端组装工厂中,现在有两种模块组装方法。在两次回流焊工艺中,先在单独的SMT生产线上组装SMT 元件,该生产线由丝网印刷机、芯片贴装机和第一个回流焊炉组成。然后再通过第二条生
SEMI(国际半导体产业协会)24公布最新Billing Report(出货报告),因半导体设备市场需求趋缓,7月北美半导体设备制造商出货金额滑落至23.6亿美元,为连续第二个月下滑,并创下近8个月新低。
非流动性底部填充工艺流程如图1所示,其特点是将底部填充材料在晶片贴装之前点涂在基板上,然后 在其上贴装元件,在回流焊接炉内同时完成焊接和填料固化。图1 非流动性底部填充工艺流程图非流动底部填充工艺与传统底
要处理细小焊球间距的倒装晶片的影像,需要百万像素的数码相机。较高像素的数码相机有较高的放大倍率, 但像素越高,视像区域(FOV)越小,这意味着大的元件可能需要多次影像。照相机的光源一般为发光二极管 (LED)
由于倒装晶片韩球及球问距非常小,相对于BGA的装配,其需要更高的贴装精度。同时也需要关注从晶片被吸 取到贴装完成这一过程。在以下过程中,元件都有可能被损坏:·拾取元件;·影像处理:·助焊剂工艺:·元件调整
底部填充工艺就是将环氧树脂胶水点涂在倒装晶片边缘,通过“毛细管效应”,胶水被吸往元件的对侧完成底 部充填过程,然后在加热的情况下胶水固化。为了加快胶水填充的速度,往往还需要对基板进行预热。利用“毛 细管
助焊剂工艺在倒装晶片装配工艺中非常重要。助焊剂不仅要在焊接过程中提供其化学性能以驱除氧化物和油污 ,润湿焊接面,提高可焊性,同时需要起到黏接剂的作用。在元件贴装过程中和回流焊接之前黏住元件,使其固 定在
在回流焊接炉中,倒装晶片和其他元件要被焊接在基板上。在此过程中,如果加热的温度太高,或者时间太长 ,助焊剂便会在润湿整个焊接面之前挥发或分解完,造成润湿不良或其他焊接缺陷。另外,在复杂的混合装配中 ,大
有些倒装晶片应用在柔性电路板或薄型电路板上,这时候对基板的平整支撑非常关键。解决方案往往会用到载 板和真空吸附系统,以形成一个平整的支撑及精确的定位系统,满足以下要求:①基板Z方向的精确支撑控制,支撑高
什么元件被称为倒装晶片(FC)?一般来说,这类元件具备以下特点。①基材是硅;②电气面及焊凸在元件下表面;③球间距一股为0.1~0.3 mm,球径为0.06~0,.15 mm,外形尺寸为1~27 mm;④组装在基板后需要做底部填充
对完成底部填充以后产品的检查有非破坏性检查和破坏性检查,非破坏性的检查有:·利用光学显微镜进行外观检查,譬如,检查填料在元件侧面爬升的情况,是否形成良好的边缘圆角,元件表面 是否有脏污等;·利用X射线检
要满足批量高速高良率的生产,供料技术也相当关键。倒装晶片的包装方式主要有2×2和4×4 in JEDEC盘, 20O mm或300 mm晶圆盘(Wafer),还有卷带料盘(Reel)。对应的供料器有:固定式料盘供料器 (Stationarytray f
焊接完成之后我们可以对产品进行一些非破坏性的检查,譬如,利用X射线检焊点是否桥连、开路,焊点内是 否有空洞,以及润湿情况,还可以进行电气测试。由于此时还未完成底部填充,不便进行机械测试和热循环及老 化测试