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英国科学家设计新型电晶体可让可穿戴设备超低功耗运行
英国剑桥大学（Cambridge University）日前推出新的电晶体设计，可让穿戴式等装置利用周遭电晶体的电力作为能源供应来源并可在1伏特下运作且耗电低于10亿分之1瓦特。
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柔性光电晶体管创造新纪录
受到哺乳动物眼睛的启发，威斯康星大学麦迪逊分校的电气工程师创造了光敏度和响应时间都优于以往光电晶体管的柔性光电晶体管。这种创新的光电晶体管可以改善无数产品的性能，包括数码相机、夜视镜、烟雾探测器、监控
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无半导体的异质接面电晶体可望取代硅
美国密西根理工大学(Michigan Tech)透过结合石墨烯的高电子迁移率与氮化硼碳奈米管(BNNT)的绝缘层特性，期望开发出尺寸较矽(Si)更小且更具热效能的无半导体(semiconductor-less)异质接面电晶体，从而在国际半导体技术蓝图(ITRS)预期的2028年大限时接棒。
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IBM突破7纳米制程瓶颈 或左右Power处理器发展
IBM与合作伙伴成功研制出7纳米的测试芯片，延续了摩尔定律，突破了半导体产业的瓶颈。对于IBM而言，7纳米制程技术的后续发展将会影响旗下Power系列处理器的规划蓝图。
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不能再低调了！英特尔技压晶圆代工厂3.5年
英特尔技术及制程事业群总经理William Holt在2014年投资人会议中表示，英特尔的电晶体制程技术在过去10年的三个技术世代，均领先晶圆代工厂至少3年以上时间。英特尔上周召开2014年投资人会议(Investor Meeting 2014)
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IBM矢志于2020年实现CNT电晶体
过去二十几年来，IBM已经为制作1.4nm的微型碳奈米管尝试过几乎每一种可能性了，期望能找到延续矽电晶体通道的方法。时至今日，最小的矽电晶体已经达到原子极限了——例如，4nm矽电晶体通道约由20个原子组成。为了进展
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纳米碳管缩小电晶体尺寸
纳米碳管是日本NEC实验室学者饭岛澄男于1991年所发现，并发表在当年的Nature杂志上，为纳米级的管状物质，质量轻、强度高、韧性高。纳米碳管可分成单壁与多壁两大类，合成方法包括电弧放电法、雷射蒸发法、有机化学气
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IBM公司拟在2020年前实现碳奈米管电晶体(CNT)
过去二十几年来，IBM已经为制作1.4nm的微型碳奈米管尝试过几乎每一种可能性了，期望能找到延续矽电晶体通道的方法。时至今日，最小的矽电晶体已经达到原子极限了——例如，4nm矽电晶体通道约由20个原子组成。为了进展
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为芯片节能 五种降低未来IC功耗的技术
功耗过高已经成为半导体制程尺寸进一步微缩的主要障碍，并且严重威胁到所有电子领域的一切进展──从推动行动设备更加微型化到开发超级电脑均包含在内。虽然根本原因在于永
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结束连2年衰退 功率晶体管销售回温
功率电晶体市场重拾成长动能。市调机构IC Insights指出，受到全球经济情势不稳定的影响，功率电晶体整体销售额在2012与2013年分别下滑8%和6%；预估今年随着景气复苏，可望止跌回升，并创下年增率
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结束连2年衰退 功率晶体管销售回温
功率电晶体市场重拾成长动能。市调机构IC Insights指出，受到全球经济情势不稳定的影响，功率电晶体整体销售额在2012与2013年分别下滑8%和6%；预估今年随着景气复苏，可望止跌回升，并创下年增率8%的表现，达125亿美
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日本新型电晶体技术：电耗省100万倍
【导读】日本「物质材料研究机构」不久前发表了一种新型的电晶体技术，不但耗电需求量是原来的百万分之一，而且可以使电脑的开机时间接近为零。 日本「物质材料研究机构」不久前发表了一种新型的电晶体技术，不但
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Altera采用英特尔14nm技术开辟新的应用解决方案
【导读】Altera晶圆代工策略大转弯。Altera于日前宣布将采用英特尔(Intel)的14奈米叁闸极电晶体技术，制造下一代军事、固网通讯、云端网路，以及电脑和储存应用解决方案。 摘要： Altera晶圆代工策略大转弯。Alt
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台积电汉辰部署晶圆制程及离子布植设备市场
【导读】台积电与汉辰皆已针对未来可望取代硅的锗和三五族元素，分别投入发展新的晶圆制程，以及离子布植(Ion Implant)设备，期能在下一个半导体世代中，继续站稳市场。 摘要： 台积电与汉辰皆已针对未来可望取代
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2014年底可望看到FinFET架构芯片?
【导读】在新思科技(Synopsys)于美国硅谷举行年度使用者大会上，参与一场座谈会的产业专家表示，鳍式电晶体(FinFET)虽有发展潜力，但也有风险，而且该技术的最佳时机尚未达到。 摘要： 在新思科技(Synopsys)于美
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Altera14奈米三闸极电晶体制程有望明年启动量产
【导读】Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程，生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC FPGA
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英飞凌700W L频段电晶体提供更高可靠性与耐用性
英飞凌科技(Infineon Technologies)推出700W L频段的 RF 功率电晶体，拥有最高的 L 频段输出功率(700W)，适用于作业频率范围介于1200-1400 MHz之间的雷达系统。藉由减少零件数量，全新的装置可以降低系统成本，维持高
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可卷式数字屏幕即将成为现实
英国萨里大学(University of Surrey)的研究人员与飞利浦公司(Philips)的科学家共同开发出一种称为「源闸电晶体」(SGT)的新技术，可望在不久的将来推动各种软性电子实现广泛应用，例如更负担得起的可卷曲平板电脑等。
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英飞凌700W L频段电晶体适合雷达系统
英飞凌(Infineon)推出700瓦(W) L频段的射频(RF)功率电晶体PTVA127002EV，适用于操作频率范围1200～1400MHz间的雷达系统。新装置减少零件数量，可降低系统成本，维持高耐用性，同时增进可靠性。雷达系统发射出特定频率
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18吋晶圆与EUV微影难度高半导体制程面临挑战
根据Extremetech网站报导，极紫外光(EUV)微影技术仍待克服，以及18吋晶圆计画目前仍充满变数，种种消息对半导体产业而言，已出现技术亟待突破的关键期。2012年，台积电、英特尔(Intel)与三星电子(Samsung Electronic
