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英文句号"." 容下约600万个电晶体
Intel 宣布将正式量产全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 电晶体，再次向宣示其半导体领域的领导地位，回首半导体技术发展，首颗电晶体成品非常大，甚以可以用手直接进行组装，与全新 22nm 制程 3D Tri-Gate 电晶体相较， 1
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碳基电子带领半导体技术迈向奈米微缩制程
工研院电光所所长詹益仁表示，半导体在后CMOS时代，制程及电晶体将面临物理上微缩极限，奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半导体界普遍看好未来取代矽晶材料的新材料，尤其是2010年诺贝尔奖肯定石墨稀材料的优异表现后，
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碳基电子带领半导体技术迈向奈米微缩制程
工研院电光所所长詹益仁表示，半导体在后CMOS时代，制程及电晶体将面临物理上微缩极限，奈米碳管及石墨稀等碳基材料是半导体界普遍看好未来取代矽晶材料的新材料，尤其是2010年诺贝尔奖肯定石墨稀材料的优异表现后
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28nm后实体验证工具将产生巨大变革
半导体产业的制程几何技术微缩脚步从不曾停歇。从40nm开始，除了在实际设计过程中数据尺寸的几何成长因素外，过去从不考虑半导体制程相关议题的设计师们，也不得不开始将日益复杂的实体因素纳入考量。对设计师而言，
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英特尔奔腾4芯片涉嫌侵犯专利遭起诉
AVM公司在特拉华州美国地区法院对英特尔推出起诉，指控英特尔侵犯了它的一项芯片设计专利。AVM称，它拥有一项名为“动态逻辑电路”的技术专利，美国专利编号是5,859,547。这项专利是关于使用高速和低功率动
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用自置偏电路以实现稳定的光电晶体管受光电路
电路的功能在光接收电路中，如果外来光引起误动作，可靠性就会下降。用脉冲式发光，可作成能识别平均外来光和脉冲波的电路。输出不仅有导通、截止状态，还有与驱动频率相同的脉冲串输出。电路工作原理流过光电晶体管
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跳过22纳米，TSMC宣布直接发展20纳米工艺
国际电子商情讯 台积电TSMC日前在美国加州圣荷西市举行技术研讨会中宣布，将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。 此次技术研讨会有1,50
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TSMC宣布跳过22纳米 直接发展20纳米工艺
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。 此次技术研讨会有1,500位客户及
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TSMC宣布跳过22纳米直接发展20纳米工艺
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。此次技术研讨会有1,500位客户及合
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TSMC宣布跳过22纳米 直接发展20纳米工艺
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。此次技术研讨会有1,500位客户及合
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台积电宣布发展20纳米工艺
TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22纳米工艺，直接发展20纳米工艺。此系基于「为客户创造价值」而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。此次技术研讨会有1,500位客户及合
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OTFT软性背板备受瞩目 力争电子纸背板主流
因兼具小弯曲半径和高电子迁移率(Mobility)优势，有机薄膜电晶体OTFT成为主流电子纸软性背板的呼声极高，目前索尼Sony、日本印刷DNP、Plastic Logic、Polymer Vision、台湾工研院等皆竞相发表最新OTFT软性背板技术，
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新型VEMT系列硅NPN光电晶体管（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用可与无铅 (Pb) 焊接兼容的 PLCC-2 表面贴装封装的新系列 VEMT 宽角光电晶体管。
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Avago 新型多通道光电晶体管光电耦合器
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英国研制出人造太阳光发光二极管照明技术
英国巴思大学的科学家日前研制成功一种能够发出人造太阳光的发光二极管（LEDs）。 专家表示，一旦这种发光二极管的应用得到普及，那么因长时间在办公室或工厂的人造光环境下工作而导致的头疼以及眼睛疲劳等现象，将
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英国大学研制人造阳光发光二极管照明技术
英国巴思大学的科学家日前研制成功一种能够发出人造太阳光的发光二极管（LEDs）。 专家表示，一旦这种发光二极管的应用得到普及，那么因长时间在办公室或工厂的人造光环境下工作而导致的头疼以及眼睛疲劳等现象，将
