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DisplaySearch：金属氧化物面板产能成长快速
各面板厂积极发展金属氧化物薄膜电晶体面板制程，专业显示器市调机构DisplaySearch预估，这项高阶面板制程的产能，可望在2016年超越低温多晶矽制程。DisplaySearch强调，随着平面显示器制造商将低温多晶矽技术往更高
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金属氧化物面板产能成长快速
各面板厂积极发展金属氧化物薄膜电晶体面板制程，专业显示器市调机构 DisplaySearch预估，这项高阶面板制程的产能，可望在2016年超越低温多晶矽制程。DisplaySearch强调，随着平面显示器制造商将低温多晶矽技术往更高
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金属氧化物面板产能成长快速
各面板厂积极发展金属氧化物薄膜电晶体面板制程，专业显示器市调机构 DisplaySearch预估，这项高阶面板制程的产能，可望在2016年超越低温多晶矽制程。DisplaySearch强调，随着平面显示器制造商将低温多晶矽技术往更
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用自置偏电路以实现稳定的光电晶体管受光电路
用自置偏电路以实现稳定的光电晶体管受光电路
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可由CR设定数微秒至数十秒时间的通用定时器
可由CR设定数微秒至数十秒时间的通用定时器
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柔性电子可用来打印超速石墨烯芯片
近日消息，据美国科技博客Gizmodo报道，未来主义者总是认为柔性电子能够以惊人的方式改变我们未来的生活，但这些头脑风暴式的想法至今还没能问市。日前，一支由美国德克萨斯州大学的科学家组成的研究小组发现了改变未
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柔性电子可用来打印超速石墨烯芯片
近日消息，据美国科技博客Gizmodo报道，未来主义者总是认为柔性电子能够以惊人的方式改变我们未来的生活，但这些头脑风暴式的想法至今还没能问市。日前，一支由美国德克萨斯州大学的科学家组成的研究小组发现了改变未
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FinFET复杂度破表 半导体设备商投资不手软
鳍式电晶体(FinFET)制程将带动新一波半导体设备投资热潮。由于FinFET导入立体式电晶体结构，使得晶圆制程中的蚀刻和缺陷检测复杂度较以往大幅攀升，因此包括科林研发(Lam Research)和东京威力科创(TEL)等半导体设备大
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晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛
一线晶圆厂正纷纷以混搭20纳米制程的方式，加速14或16纳米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德 (GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14纳米FinFET前段闸极结合20纳米
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缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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晶圆厂的FinFET混搭制程竞赛
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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市场竞争激烈 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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缩短开发时程 晶圆厂竞逐FinFET混搭制程
一线晶圆厂正纷纷以混搭20奈米制程的方式，加速14或16奈米鳍式电晶体(FinFET)量产脚步。包括IBM授权技术阵营中的联电、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)和三星(Samsung)，皆预计在2014年以14奈米FinFET前段闸极结合20奈米后
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UMC与SuVolta 宣布联合开发28奈米低功耗制程技术
Marketwired23日，台湾新竹, 加州洛斯加托斯--联华电子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 与SuVolta公司,今日宣布联合开发28奈米制程。该项制程将SuVolta的Deeply Depleted Channel(tm) (DDC)电晶体技术整合到UMC
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应材：半导体材料改善对芯片性能提升至关重要
半导体设备大厂应材(Applied Materials)的磊晶设备部门主管Schubert Chu表示，半导体材料的改善在每个制程节点对 IC性能提升的贡献度达近90%，该数字在2000年时仅15%。Chu在近日于美国举行的Semicon West 展会上接受
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台清华大学教授高频调变LED技术获国际认可
台湾清华大学电机工程学系吴孟奇教授研究团队，利用氮化物材料特性，研发出高频发光二极管(LED)，未来可应用于可见光通讯与高解析度显示屏等领域。台湾清华电机系徐硕鸿教授研究团队同样也利用氮化物材料，研发出可提
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工研院开发IGZO TFT低温制程，将赴日发表
工研院于12/3与日本基板大厂KANEKA共同发表双方合作开发、可应用于未来软性显示器的半导体氧化物电晶体阵列技术（IGZO, In-Ga-Zn-OTFT），这项创新开发的IGZO TFT阵列技术系采≦200°C低温制程，具备高挠曲特点，曲率
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五种降低未来IC功耗的技术
功耗过高已经成为半导体制程尺寸进一步微缩的主要障碍，并且严重威胁到所有电子领域的一切进展──从推动行动设备更加微型化到开发超级电脑均包含在内。虽然根本原因在于永恆不变的物理和化学原理，但工程师们已经开
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Sharp IGZO面板终获市场青睐
IGZO面板大势预估 Sharp最先进的IGZO（氧化铟镓锌）面板已有客户排队订购，Sharp今年初曾透露难以找到买家。 附图: 2008至2015年LTPS和IGZO高解析度背板的产量预估。资料来源：NPD Display Search 从2013年第1季起
