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OLED大突破:日本制造成本将降至1/10
日经新闻26日报导，日本山形大学时任静士等教授已成功研发出一套可藉由印刷的方式来制造OLED面板驱动元件( 电晶体 )的新技术。报导指出，藉由利用该新技术，则只要结合作为发光体的有机化合物和塑胶制面板，则OLED面
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IBM未来9纳米电晶体以碳元素为主要材质
Intel透露今年预计推出的Ivy Bridge将采用全新22nm的3D硅晶体技术，并且在接下来将进展到14nm，乃至于之后于2016年间也预计推出采用11nm制程的 “Skymont”平台。而看起来IBM也将不甘落后，目前官方宣布已
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光电晶体管受光电路及其原理介绍
电路的功能在光接收电路中，如果外来光引起误动作，可靠性就会下降。用脉冲式发光，可作成能识别平均外来光和脉冲波的电路。输出不仅有导通、截止状态，还有与驱动频率相同的脉冲串输出。电路工作原理流过光电晶体管
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导入银、锗元件 开启10奈米元件新世代
晶片微小化要几奈米才够看?英特尔今年量产22奈米元件，台积电三年内转进14奈米世代，而国研院国家奈米元件实验室于今(6)日更发表，导入银、锗两种新元件材料，内建矽基太阳能电池元件，做为未来绿能的10奈米元件世代
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半导体技术进入10奈米世代 材料、机台将是2大挑战
连于慧／台北 全球半导体产业奉为圭臬的摩尔定律(Moore’s Law)发展虽有面临瓶颈的挑战，然目前半导体业者仍积极发展新材料，并在制程微缩上加紧脚步，国研院国家奈米元件实验室便表示，「三角型锗鳍式电晶体」技术可
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新研发MEMS电晶体号称能与CMOS电路整合
美国半导体研发联盟机构Semiconductor Research (SRC)与康乃尔大学(Cornell University)合作发表一种微机电系统(MEMS)电晶体，并可提供给SRC联盟成员采用，做为 CMOS 晶片上的时序(timing)解决方案。 这种 MEMS-JFE
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导入银、锗元件 开启10奈米元件新世代
晶片微小化要几奈米才够看？英特尔今年量产22奈米元件，台积电三年内转进14奈米世代，而国研院国家奈米元件实验室于今（6）日更发表，导入银、锗两种新元件材料，内建矽基太阳能电池元件，做为未来绿能的10奈米元件世
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混合信号IC设计难度高 选对工具是好的开始
混合信号IC的现身要追溯自1980年代，而此技术的出发点当然也不出这数十年来半导体产业所追求的目标，亦即「小」。将类比和数位电路「混合」在一起，自然就能达到缩减占板空间的效用。随着混合信号技术的不断进展，此
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十年后IC制程微缩挑战在于成本 而非技术
晶圆代工大厂台积电(TSMC)资深研发副总裁蒋尚义(Shang-Yi Chiang)在日前于美国举行的ARM技术论坛(TechCon)上表示，在接下来十年以FinFET技术持续进行半导体制程微缩的途径是清晰可见的，可直达 7奈米节点；但在 7奈米
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科学家研制出新型铁电晶体管随机存取存储器
据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器(FeTRAM)，其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会
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2024年CMOS半导体技术或将被石墨烯取代
近日消息，据外媒报道，在美国加州举行的IEEE定制积体电路大会(CICC)一场专题演讲上有这样一种看法：CMOS半导体技术将在2024年7nm制程时代面临窘境，而石墨烯可望脱颖而出，成为用来取代这项技术的最佳选择。美国乔治
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石墨烯将在2024年取代CMOS半导体技术？
CMOS半导体技术将在2024年7nm制程时代面临窘境，而石墨烯可望脱颖而出，成为用来取代这项技术的最佳选择──这是根据近日于美国加州举行的IEEE定制积体电路大会(CICC)一场专题演讲上所发表的看法。「石墨烯已经展现出
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石墨烯将在2024年取代CMOS半导体技术？
CMOS半导体技术将在2024年7nm制程时代面临窘境，而石墨烯可望脱颖而出，成为用来取代这项技术的最佳选择──这是根据近日于美国加州举行的IEEE定制积体电路大会(CICC)一场专题演讲上所发表的看法。「石墨烯已经展现出
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英特尔IDF展示3D电晶体
林凯文／综合外电 英特尔(Intel)于13日举行的科技论坛(Intel Developer Forum；IDF)中展示其3D电晶体制程技术，并指出该公司于研发新制程方面领先众对手近3年。 英特尔资深研究员Mark Bohr指出，在该公司导入应变
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加拿大在纳米电晶体领域取得新突破
加拿大纳米技术研究所(National Institute for Nanotechnology, NINT)和阿尔伯塔大学的研究团队证实利用微波炉可以创建制造模具，用来生产更小更复杂的晶片，降低制造纳米级电晶体的生产成本。根据国际半导体技术准则
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22nm之后:下一代电晶体竞赛开跑
在22nm，或许是16nm节点，我们将需要全新的电晶体。而在这其中，争论的焦点在于究竟该采用哪一种技术。这场比赛将关乎到电晶体的重新定义。在22/20nm逻辑制程的开发中，业界都争先恐后地推出各种新的电晶体技术。英特
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电晶体新突破 22奈米制程将量产
【大纪元2011年07月18日讯】（大纪元记者王明编译报导）随着半导体生产技术日益精密，电子产品的体积越缩越小，未来将达到现在技术无法达到的地步。全球晶片制造设备主要供应商应用材料公司（Applied Materials），最
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英特尔3D立体结构22奈米电晶体缔造新猷
英特尔(Intel)宣布其电晶体演进的重大突破，电晶体乃是现代电子产品中十分微小的基础元件。自从矽电晶体在50年前发明以来，首度采用三维(3D)立体结构的电晶体即将迈入量产。英特尔于2002年首次公开命名为Tri-Gate的革
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导入3D 英特尔22奈米处理器年底量产
半导体电晶体结构将正式由平面式进入三维(3D)时代。英特尔(Intel)5日宣布将于22奈米制程处理器(内部代号为Ivy Bridge)中，首度采用3D结构的电晶体设计，除电晶体整合密度更甚以往，效能显著提升外，由于可在更低电压
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英特尔Tri-Gate电晶体技术导入量产 超微再度面临苦战
陈玉娟／台北 英特尔(Intel)正式宣布电晶体演进的重大突破，同时也是处理器历史性的创新，全球首款立体3闸(Tri-Gate)电晶体将进入量产阶段，并将维持科技演进的步伐，于未来继续推动摩尔定律，预计在2012年底正式登场
