ATMI 宣布提供200万美元款项赠予美国加州大学柏克莱分校(UC Berkeley);该公司执行长Doug Neugold 在加州大学柏克莱分校校园的公开活动中,捐款给工程学院院长 S. Shankar Sastry ,以及电晶体技术先驱、现任电机与资
半导体材料供应商ATMI宣布提供200万美元款项赠予美国加州大学柏克莱分校(UCBerkeley);该公司执行长DougNeugold在加州大学柏克莱分校校园的公开活动中,捐款给工程学院院长S.ShankarSastry,以及电晶体技术先驱、现任
微电子材料解决方案供应商ATMI, Inc.今日提供2 百万美元款项赠予加州大学伯克利分校(UC Berkeley)。 ATMI首席执行官Doug Neugold 在加州大学伯克利分校校园的公开活动中,赠款给工程学院院长S. Shankar Sastry 以及电
半导体材料供应商 ATMI 宣布提供 200万美元款项赠予美国加州大学柏克莱分校(UC Berkeley);该公司执行长Doug Neugold 在加州大学柏克莱分校校园的公开活动中,捐款给工程学院院长 S. Shankar Sastry ,以及电晶体技术
捐款将支持胡正明教授超低功耗器件之研究工作2013 年5 月22 日— 丹伯里, 康乃狄克州—全球性科技公司及微电子产业先进材料解决方案供应商ATMI, Inc. (NASDAQ-GS: ATMI),今日提供2 百万美元款项赠予加州大学柏克莱分
FinFET 技术的导入将是电子业界的一大进展;FinFET部署超越了平面电晶体在20nm所展现的基本效能与功耗特性,进而具体实现了制程转移的价值。FinFET让业界回到了正轨,然而,崭新元件类型、193nm波长微影、以生产制造
晶圆代工厂GlobalFoundries近3年来投资达百亿美元,2013年占45亿美元,主要都是用在先进制程,受惠于行动通讯产品如智慧型手机、平板电脑等装置掀起全球新一波先进制程技术热潮。GlobalFoundries目前主力制程为28nm,
台湾应用材料(Applied Material)26日在台大举办2013应用材料日,由应材台湾区总裁余定陆以「加速改变」为题,进一步阐述半导体、显示器和太阳能产业未来的趋势。余定陆指出,半导体的改变已经发生,尤其未来行动装置
晶圆代工厂GlobalFoundries近3年来投资达百亿美元,2013年占45亿美元,主要都是用在先进制程,受惠于行动通讯产品如智慧型手机、平板电脑等装置掀起全球新一波先进制程技术热潮。GlobalFoundries目前主力制程为28nm,
晶圆代工厂GlobalFoundries近3年来投资达百亿美元,2013年占45亿美元,主要都是用在先进制程,受惠于行动通讯产品如智慧型手机、平板电脑等装置掀起全球新一波先进制程技术热潮。 GlobalFoundries目前主力制程为28奈
华映透明显示器面板预计于2014年面市。继三星(Samsung)、群创、友达等面板大厂后,华映也积极突破特殊液晶材料技术关卡,期加快透明显示器面板导入量产的速度,并与其他面板大厂共同竞逐透明显示器市场商机。华映先端
台湾之光再添一件!交通大学研发的电晶体科技打败麻省理工学院,抢下世界第一。交通大学研发长张翼博士所领导的团队研发出了一项只有40奈米线宽、但频率却有710GHz的最新技术,世界著名半导体期刊《AppliedPhysicsExp
台湾之光再添一件!交通大学研发的电晶体科技打败麻省理工学院,抢下世界第一。交通大学研发长张翼博士所领导的团队研发出了一项只有40奈米线宽、但频率却有710GHz的最新技术,世界著名半导体期刊《AppliedPhysicsExp
台湾之光再添一件!交通大学研发的电晶体科技打败麻省理工学院,抢下世界第一。交通大学研发长张翼博士所领导的团队研发出了一项只有40奈米线宽、但频率却有710GHz的最新技术,世界著名半导体期刊《AppliedPhysicsEx
尽管已经名列全球第一,然而在三星、英特尔等其他晶圆厂的压力之下,台积电仍不敢稍有松懈,不断发展更先进的制程技术。近期台积电已经对外宣示,其FinFET(鳍式场效电晶体)、极紫外光(EUV)等新技术研发及投产进度,已
尽管已经名列全球第一,然而在三星、英特尔等其他晶圆厂的压力之下,台积电仍不敢稍有松懈,不断发展更先进的制程技术。近期台积电已经对外宣示,其FinFET(鳍式场效电晶体)、极紫外光(EUV)等新技术研发及投产进度
益华电脑(Cadence Design Systems)宣布与台积电签署一份为期多年的协议,针对行动、网路架构、伺服器与现场可编程闸阵列(FPGA)应用软体的先进制程设计,开发16奈米鳍式电晶体(FinFET)技术专属设计基础架构。这项深度
在新思科技(Synopsys)于美国矽谷举行年度使用者大会上,参与一场座谈会的产业专家表示,鳍式电晶体(FinFET)虽有发展潜力,但也有风险,而且该技术的最佳时机尚未达到。 来自晶圆代工业者 Globalfoundries 的技术主管
FinFET技术是电子业界的新一代先进技术,是一种新型的多重闸极3D电晶体,提供更显著的功耗和效能优势,远胜过传统平面型电晶体。Intel已经在22nm上使用了称为“三闸极(tri-gate)”的FinFET技术,同时许多晶圆厂也正在
台积电与汉辰正积极研发新制程与设备技术。由于半导体进入10奈米制程世代后,电晶体的微缩将面临物理极限,亟需新的材料、制程与设备加以克服;因此台积电与汉辰皆已针对未来可望取代矽的锗和三五族元素,分别投入发