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ARM台积电合作完成全球第一个10nm工艺芯片
已经与台积电合作完成了全球第一个基于10nm工艺的芯片的流片工作，而且使用了尚未宣布的顶级新架构“Artemis”。事实上，这次流片早在2015年12月就完成了，ARM预
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高通将发10nm服务器芯片：挑战Intel
ARM进军服务器市场的野心已经不是一天两天了，也不断有厂商在尝试，但都没有掀起太大风浪，高通的加入会不会彻底改变局势?
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感受10nm，ARM全新Cortex-A73构架详解
智能手机在2009年之后的七年中性能增强了100倍!手机已经可以实现很多从前不能实现的功能，快如闪电的操作响应速度和无与伦比的用户体验，功耗却始终维持在同一水平。这是一
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ARM完成全球第一个10nm工艺芯片，明年投产
ARM今天宣布，已经与台积电合作完成了全球第一个基于10nm工艺的芯片的流片工作，而且使用了尚未宣布的顶级新架构“Artemis”。
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Synopsys的Custom Compiler通过TSMC 10-nm和7-nmFinFET工艺节点认证
亮点：· Custom Compiler通过了TSMC的10nm和7nm FinFET工艺技术认证· Custom Compiler支持轨迹模式和全着色流程等新FinFET要求· Custom Compiler支持行业标准的iPDK，可以基于大量TSMC工艺技术
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10纳米进度超乎预期 台积电资本支出调高
台积电在2016年初法说会中宣布，今年资本支出将达90亿~100亿美元，较2015年80亿美元成长逾12~25%。然上半年资本支出进度可望超前50%，加上10纳米制程研发赶进度，后段封测产能及南京12寸晶圆厂也已进入动土阶段，台积
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三星成为全球首家量产10nm级内存的公司
三星电子3月5日宣布，已经在全球范围内第一家实现了10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，也是继2014年首个量产20nm DDR3内存颗粒后的又一壮举。三星没有披露新工艺的具体数字，只是模糊地称之为10nm级别或者1xnm，
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又一壮举：三星成为全球首家量产10nm级内存的公司
三星电子近日宣布，已经在全球范围内第一家实现了10nm级别工艺DDR4 DRAM内存颗粒的量产，也是继2014年首个量产20nm DDR3内存颗粒后的又一壮举。
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联发科下代Helio X30芯片曝光 10nm工艺制造
联发科的Helio X20是公司旗下首款十核心处理器(2.5GHz Cortex-A72×2、2.0GHz Cortex-A53×4、1.4GHz Cortex-A53×4)，同时目前Helio X20也已经进行大规模量产，同时魅族的MX6将成为首款搭载Heli
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台积电对英特尔说 这把10纳米决胜局我要赢
究竟谁握有最佳的半导体工艺技术?业界分析师们的看法莫衷一是。但有鉴于主题本身的复杂度以及芯片制造商传递的信息不明确，就不难了解为什么分析师的看法如此分歧了。
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TSMC认证Synopsys IC Compiler II适合10-nm FinFET生产，并开始7-nm工艺的初步设计
新思科技(Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS)日前宣布：TSMC已经按照Synopsys的IC Compiler™ II布局及布线解决方案，完成了在其最先进的10-纳米(nm)级FinFET v1.0技术节点上运行Synopsys数字、验收及自定
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英特尔延长14nm工艺周期，10nm被推迟到2017年
过去几年里，有越来越多的证据表明英特尔将延长‘tick-tock’更新的周期。而根据该公司最新的K-10文件，其著名的节点发展周期已经正式迎来终结——在制程收缩的节奏下，停留2代(甚至更多)处理器
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中国IC设计还未成气候
2016年度上海国际半导体展SEMICON China上周风光落幕，6大主题展区包括IC制造、LED及蓝宝石、TSV、半导体材料、MEMS和解决方案专区，总计今年展出摊位再添2成、至近 3000千个;摩根大通亚太股票研究报告指出，半导体业
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Cadence工具获台积电7纳米早期设计及10纳米芯片生产认证
楷登电子(美国 Cadence 公司，NASDAQ: CDNS)今日宣布，用于10纳米FinFET工艺的数字、定制/模拟和签核工具通过台积电(TSMC)V1.0设计参考手册(DRM)及SPICE认证。Cadence 和台积电为共有客户认证设计工具，开发最新流程
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抢先英特尔! 台积电Q1流片10nm制程
台积电召开财报会议，董事长、被誉为台湾半导体教父的张忠谋亲自出席，执行CEO刘德音和魏哲家联席。2015年，台积电合并总营收额为 8434.97亿元新台币(约为1662.53亿元人民币)，同比增长10.6%，税后净利3065.74亿元新
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