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ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
意法半导体发布55纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器（MCU）芯片将采用这项先进技术。目前，意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
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ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
意法半导体发布55纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器（MCU）芯片将采用这项先进技术。目前，意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
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ST发布55nm嵌入式闪存制造工艺
意法半导体发布55纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）制造工艺。意法半导体的新一代车用微控制器（MCU）芯片将采用这项先进技术。目前，意法半导体正在位于法国Crolles的世界一流的300mm晶圆厂进行这项技术的升级换代工作
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美光即将量产25nm工艺NAND
在半导体内存行业，美国美光科技（MicronTechnology）的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购第一大NOR闪存厂商瑞士恒忆（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND闪存外，该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP（Multi-chipPacka
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Intel、美光25nm NAND闪存二季度开售
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣
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三星赛灵思共同宣布45nm Spartan-6全面量产供货
三星电子有限公司和全球可编程逻辑解决方案领导厂商赛灵思公司共同宣布，赛灵思 Spartan-6 FPGA 系列已取得三星电子旗下晶圆代工厂三星代工（Samsung Foundry）的 45nm 工艺技术的全面生产认证。这种先进的工艺节点技
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Intel、IBM 22/15nm制程部分关键制造技术前瞻
半导体特征尺寸正在向22/15nm的等级不断缩小，传统的平面型晶体管还能满足要求吗?有关这个问题，业界已经讨论了很久。现在，决定半导体制造技术发展方向的历史拐点即将到来，尽管IBM和Intel两大阵营在发展方式上会有
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美国应用材料发布面向45nm以后工艺的激光退火装置
美国应用材料公司（Applied Materials）发布了能够以ms为单位进行退火的激光退火装置“Applied Vantage Astra”。主要在形成45nm工艺以后逻辑LSI的镍硅（NiSi）接触时使用。台湾台积电（Taiwan Semiconductor Manufa
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中芯国际深圳8/12英寸厂举行完工庆典
刚刚从与台积电的专利官司漩涡中脱身，大陆芯片厂商中芯国际旗下两座深圳芯片厂便于日前举行了完工庆典，这两间工厂分别具备200mm(8英寸)以及300mm(12英寸)生产能力.中芯公司新任CEO王宁国还参加了于11月19日举办的这
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中芯国际45nm制程今年12月试产
“中芯国际第一个45nm产品今年12月试产。”中芯国际总裁兼执行长张汝京在10月23日上海举办的第九届技术研讨会上透露，“中芯深圳的200mm生产厂今年年底将建设好，明年第一季度设备进场，安装调试，第二季度开始试产。
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解放60GHz，无线市场将发生巨大变化
坦白说，我在几年前一点也不推崇60GHz无线通信技术。这项技术存在着严重的信号衰减问题，其设计也具有相当程度的不确定性，所以我当时认为超宽带(UWB)无线技术应该能轻易打败这项技术，成功上市。 即使60GHz技术在理
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解放60GHz，无线市场将迎来巨大变化
坦白说，我在几年前一点也不推崇60GHz无线通信技术。这项技术存在着严重的信号衰减问题，其设计也具有相当程度的不确定性，所以我当时认为超宽带(UWB)无线技术应该能轻易打败这项技术，成功上市。 即使60GHz技术在理
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中芯国际在65/45nm制程中采用Cadence的DFM方案
中芯国际将采用Cadence Design Systems公司的“Litho Physical Analyzer”和“Litho Electrical Analyzer”作为65nm和45nm制程的设计工具。这两款工具可更好地模拟光刻工艺对器件制造的影响。SMIC is to adopt Caden
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ARM制成45nm SOI测试芯片 功耗降低40%
据ARM的研究人员的报道，公司制成的45nm SOI测试芯片和普通相同尺寸工艺相比，功耗可减少40%。该结果在近期的IEEE SOI Conference上发表。
