推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),推出AR0135 全局快门 CMOS 图像传感器,展示其图像传感技术的又一重大进步。该1/3英寸格式、
据IC Insight表示,2015年全球CMOS图像传感器收入增长了12%达到99亿美元,而2015年也是连续5年年度销售创新高。虽然复合年增长率会有所下降,但这一增长趋势预计还会持续五年。IC Insight预测2015年至2020年期间,CM
最新业绩报告显示,中芯国际2015年营业收入22.36亿美元,同比增长13.53%,净利润2.53亿美元,同比增长65.66%。截至2015年年底,中芯国际已经连续14个季度盈利;同时,该公司2015年营业收入和盈利两项指标均创下历史新
现在,好消息来了,索尼中国宣布,索尼半导体长崎技术中心虽有部分生产设备在熊本地震后短暂停运,但都在17日相继重启,生产得到恢复。
日本九州熊本县连续两天发生强烈地震,包括索尼、瑞萨、三菱电机等日本IDM大厂位于灾区的晶圆厂都已宣布停工。其中,索尼位于熊本县菊池郡的CMOS影像感测器(CIS)生产线停工,不仅影响智慧型手机厂第二季备货,若停工
一直以来,人们总是在讨论CMOS和CCD两种成像器之间的比较优势。虽然关于哪个更胜一筹的争论纷纭已久,但自始至终却没有任何定论浮出水面。由于人们关注的主题总在不断变化,因此,关于问题的答案也是不确定的。科技在
安森美半导体(ON Semiconductor)日前推出AR0135 全局快门 CMOS 图像传感器,展示其图像传感技术的又一重大进步。该1/3英寸格式、120万像素成像器件设计用于解决具挑战性的汽车影像和高速条码扫描,以及新兴应用如虚拟现实和三维深度传感的要求。这新的全局快门传感器令摄像机能“冻结”快速移动的场景数据,并确保与脉冲光源有效的同步。
21ic讯 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),推出AR0135 全局快门 CMOS 图像传感器,展示其图像传感技术的又一重大进步。该1/3英寸格式、120万像素成像器件设计用于解决具挑战性的汽车影像和高速条码扫
随着社会的发展,盲人对独立生活和事业追求越来越强烈,但是要保证在车水马龙的城市生活中安全自如的活动就需要一个专门的导盲设备来进行辅助。因此我们就要设计一款多功能
安森美半导体(ON Semiconductor)进一步扩展成像方案产品阵容,日前推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合高性能的SuperPD™相位检测自动对焦(PDAF)像素技术,提供微光下300 ms或更少时间的对焦速度,即使微光低于25勒克斯(lux)。此外,AR1337通过采用其片上PDAF处理,大大简化集成到智能手机平台和提高相机模块集成商生产能力,较市场上其它方案简化校准。
21ic讯 推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),进一步扩展成像方案产品阵容,推出最新的高性能CMOS数字图像传感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,针对消费电子产品如智能手机和平板电脑。AR1337结合
手机拍照功能在最近几年中地位变得越来越重要,与之相适应的,手机拍照组件的硬件规格也在不断提升。在2015年,又有不少“黑科技”进入手机摄影领域并逐渐普及,也有一些新的风向值得我们关注,下面的文章
汽车行业(汽车电子、车联网)已经成为科技和互联网巨头纷纷布局的下一个热门领域,其中苹果也跟进谷歌,开始研发电动车。而在日前,日本索尼公司也对架构进行了重组,设立了
静电放电会给电子器件带来破坏性的后果,它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展, CMOS电路的特征尺寸不断缩小,管子的栅氧厚度越来越薄,芯片的面积规模越来越大,MOS管能承受的电流和电压也越来越小,而外围的使用环境并未改变,因此要进一步优化电路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面积尽可能小、ESD性能可靠性满足要求且不需要增加额外的工艺步骤成为IC设计者主要考虑的问题。
本文主要介绍了几种电平(74HC245、74LVC4245等)转换的方法。(1) 晶体管+上拉电阻法就是一个双极型三极管或 MOSFET,C/D极接一个上拉电阻到正电源,输入电平很灵活,输出电平
日前艾迈斯半导体(ams AG)与传感器领先供应商CMOSIS(新视觉公司)达成协议,以现金形式100%收购其股份。
采用2240可编程定时器/计数器,连接压控振荡器和分频器与CMOS模拟开关,用作采样和保持相位检测器。CMOS逆转器放大和限制产生的基准频率,然后通过R9-C2,将其集成到基准三
IC1A的非反相输入端与IC1B的反相输入端连接到测试探头上。电路使用90%的电源电压作为CMOS逻辑高,2.7V作为TTL逻辑高。如下图所示的是一款在IC1B的非反相输入端设定电压的逻
IC1A的非反相输入端与IC1B的反相输入端连接到测试探头上。电路使用90%的电源电压作为CMOS逻辑高,2.7V作为TTL逻辑高。如下图所示的是一款在IC1B的非反相输入端设定电压的逻
艾迈斯半导体公司晶圆代工事业部今日宣布进一步扩展其行业领先的0.35μm高压CMOS专业制程平台。基于该高压制程平台的先进“H35”制程工艺,使艾迈斯半导体能涵盖一整套可有效节省空间并提升设备性能的电压可拓展的晶体管。