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台DRAM厂拼增产抢回市占率 惟制程进度仍落后
经历上一波DRAM产业不景气，台系DRAM厂伤得很重，好不容易等到价格反弹到现金成本之上，开始全力扩产找回过去失落的市占率，惟即使目前台系DRAM厂再努力，也只能用落后的制程来追赶，传出三星电子 (Samsung Electron
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DRAM合约价涨势告终12月再现拉锯战
11月下旬DRAM合约价终止涨势，2GB容量DDR2模块高价面临下跌压力，DDR3模块价格则是持平开始，主要是反应传统淡季将至，近期现货价格近期修正高达15%，合约价开始出现压力，惟南亚科发言人白培霖表示，PCOEM业者的需求
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iSuppli：明年第2季DDR3跃登DRAM市场主流
11月24日消息，根据市场研究机构iSuppli的最新预测，DDR3(Double Data Rate 3)标准型内存将在2010年第2季成为产业主流，全球DRAM市场出货占比可望突破50%。 据国外媒体报道，以单位出货量计算，DDR3明年第2季的市占
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iSuppli：明年第2季DDR3跃登DRAM市場主流
根据市场研究机构iSuppli的最新预测，DDR3(DoubleDataRate3)标准型内存将在2010年第2季成为产业主流，全球DRAM市场出货占比可望突破50%。 以单位出货量计算，DDR3明年第2季的市占率将达50。9%，较今年第2季的14。2%
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DRAM厂想靠DDR3翻身，得先过技术门槛
市场研究机构DIGITIMESResearch指出，2007年以来，全球DRAM厂商在过度乐观的预期下，相继投入产能扩充竞赛，这也使得DRAM供过于求的阴影挥之不去；自此，DRAM价格持续下挫，过去八季中，除龙头厂商三星电子外，多数D
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集邦：全球DRAM产业Q3营收季增率高达40.7％
根据调查，今年第三季，DDR3在计算机系统厂商积极拉抬PC搭载DDR3比例下，需求量激增，DDR3合约价在第三季大涨36%，现货价也在合约价的带动下上涨24%。DDR2方面，由于DDR3合约价格大涨，亦带动DDR2合约价格的涨势，且
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南亚科、华亚科冲刺50纳米 明年资本支出逾600亿新台币
台塑集团旗下DRAM厂南亚科和华亚科2009年第3季亏损均大幅缩小，并纷摩拳擦掌准备冲刺先进制程，其中，南亚科10月中已全数转换至 68纳米制程，首批50纳米产品已试产成功，目标2010年第2季全数转至50纳米制程，届时将全
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IR3522和IR3506 XPhase 芯片组(IR)
国际整流器公司 (IR) 推出IR3522和IR3506 XPhase 芯片组，为DDR3多相位内存应用提供全面的功率解决方案。新推出的IR3522双输出脉宽调制 (PWM) 控制器内置了I2C接口，为DDR3 VDDQ和Vtt轨提供了全面的系统控制。这款器
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Hynix开始量产54纳米制程1GB DDR3节省30%耗电量
Yonhap News报导，南韩内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 12日宣布，将开始量产一款采用54纳米制程技术的1GB DDR3 DRAM，其耗电量将节省30%，运算速度则较DDR2增加近1倍。 Hynix表示，该公司计划将能源节省技术应
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爱德万推T5503测试系统
爱德万测试于今年年中发表最新的高速内存测试机T5503扩充架构，以256颗DDR3内存之同测技术领先业界，两倍于前一款机型，此款扩充架构机型，配合T5503 8448 Channels之测试头，现已开始出货。 爱德万表示，未来高质
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三星对半导体业前景谨慎
全球最大内存芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)近日表示，尽管半导体业已由2年的低迷谷底重振，公司对前景仍抱持谨慎态度。三星电子半导体部门总裁权五铉(Kwon Oh-hyun)在中国台湾台北举办的移动解决方案年度
