FET

计算机电源“白金”化

80+TM 和计算机产业拯救气候行动计划 (Climate Savers Computing) ™ 给计算机电源设立了一个强有力的效率标准。这些标准的“白金”级别规定计算机电源在 20% 额定负载状态下必须有 90% 的效率，50

美国国家半导体推出业界首款针对增强型氮化镓功率FET 100V半桥栅极驱动器

21ic讯 美国国家半导体公司近日宣布，推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱

墨西哥政府将因服务质量处罚5家电信运营商

北京时间6月16日下午消息（张月红）周三，墨西哥电信监管机构Cofetel称将向5家电信运营商进行处罚，原因在于运营商的不合标准的服务。Cofetel称，自2003年以来，至少有16项服务质量不合标准，Cofetel没有详细说明将

传感器与AD822型单电源、电源正负限输出、低功耗FET输入运算放大电路

传感器桥与AD824型正负电源限输出FET输入运算放大器电路

传感器 OPA604型低失真FET输入运算放大电路

AD824型单电源正负电源限输出低功耗FET输入运算放大器

EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

EPC发布两款无铅且符合RoHS要求的eGaN FET

21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅

用FET的AGC电路

使用FET的音频AGC电路

FET 给出30dB增益范围的AGC电路

不同类型无触点开关的性能比较

1　前言　　传统的集成模拟开关电路如ADG211系列等由于其接触电阻在几十Ω至数百Ω范围，不能满足功率器件的开关控制要求。由于半导体技术的发展，目前已经有诸多无触点开关可供设计者选用。无触点开关在电

不同类型无触点开关的性能比较

1　前言　　传统的集成模拟开关电路如ADG211系列等由于其接触电阻在几十Ω至数百Ω范围，不能满足功率器件的开关控制要求。由于半导体技术的发展，目前已经有诸多无触点开关可供设计者选用。无触点开关在电

差动输入FET缓冲的电流源电路图

差动输入FET缓冲的电流源电路图

用FET和晶体管的振荡器电路图

晶体JFET电容三点式振荡器电路图

JFET晶体振荡器电路图