2011年度的瑞银全球生命科学大会(UBSGlobalLifeSciencesConference)于9月19-21日在纽约举行。几百家生物公司的CEO将在顶级机构投资者面前发表讲话,每人30分钟。在经历了疲软的第二季度之后,LifeTechnologies的CE
许多较老的单片降压型开关调整器采用了片上反馈环路补偿。尽管这有助于实现非常简单的设计流程,但是,它通常不容许对环路动态特性进行最优化。结果就是需要选择功率路径元器件以适应反馈环路的要求,一般来说,这是
随着领先微处理器的每一代后续产品对电流的需求不断提高,为了使功耗保持在可管理的水平,就需要把工作电压降至更低。同时,这些高电流水平带来极大的电流变化率(di/dt),因而使电压调节(即稳压)也变得更加困难得多。
80+TM 和计算机产业拯救气候行动计划 (Climate Savers Computing) ™ 给计算机电源设立了一个强有力的效率标准。这些标准的“白金”级别规定计算机电源在 20% 额定负载状态下必须有 90% 的效率,50
21ic讯 美国国家半导体公司近日宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器。美国国家半导体新推出的LM5113是一款高度集成的高边和低边GaN FET驱
北京时间6月16日下午消息(张月红)周三,墨西哥电信监管机构Cofetel称将向5家电信运营商进行处罚,原因在于运营商的不合标准的服务。Cofetel称,自2003年以来,至少有16项服务质量不合标准,Cofetel没有详细说明将
21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,栅
21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,栅
21ic讯 宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。 EPC2001 FET是一种100 VDS器件,RDS(ON) 最大值是7mΩ,栅
1 前言 传统的集成模拟开关电路如ADG211系列等由于其接触电阻在几十Ω至数百Ω范围,不能满足功率器件的开关控制要求。由于半导体技术的发展,目前已经有诸多无触点开关可供设计者选用。无触点开关在电
1 前言 传统的集成模拟开关电路如ADG211系列等由于其接触电阻在几十Ω至数百Ω范围,不能满足功率器件的开关控制要求。由于半导体技术的发展,目前已经有诸多无触点开关可供设计者选用。无触点开关在电