为扩大显示器技术的发展,国内面板厂友达(2409)宣布收购索尼(SONY)转投资公司Field Emission Technologies的FED(场发射式显示器)资产及技术,准备跨入高阶的医疗与广播用面板需求。 友达昨(20)日宣布,已
采用了以JFET器件怍可变电阻,调整AGC回路的稳幅电路,其电路如附图所示。 工作原理该电路用很少的元件便搭成了一个闭环电路,实现了AGC自动稳幅功能。电路的振荡部分由IC1组成维恩电桥,其振荡频率由选频网络
据英国《每日邮报》的消息称,Intel可能会拿出高达4.87亿英镑现金(约合7.71亿美元),收购英国半导体供应商IQEPlc,相当于每股95便士。IQE目前已经成为一家高级半导体晶圆供应商,产品涵盖多种应用范围,包括无线、光
友达光电(AUO)宣布,与由SONY持股39.8%的Field Emission Technologies Inc.公司(FET)及FET Japan Inc.(FETJ)签署资产收购技术移转协议,收购FET的场发射显示器(field emission displays;FED)技术。透过这项交易
友达昨天宣布,收购索尼旗下的场发射显示器科技公司(FET),企图以技术优势,超越新奇美的产能优势。图为友达执行长暨总经理陈来助(中)与FET社长长谷川正平(左)及日本FET社长山崎纯签署协议。 友达/提供
Diodes公司推出两款新型双通道器件DMS3017SSD及DMS3019SSD,扩展了旗下DIOFET产品系列。DMS3017SSD及DMS3019SSD将一个经过优化的控制MOSFET及一个专有DIOFET集成在一个SO8封装中,为消费类及工业应用的负载点转换器提
看到这样一个电路,想问画框部分怎么个工作原理是什么,又有着怎么样的做用? powercheng:首先是保护作用。 当达到一定电压的时候,就短路掉PTC。然后继续整流。 如果不这样,就是直接对后面几个电
在“IEDM 2010”开幕当天举行的研讨会上,韩国三星尖端技术研究所(SAIT)与美国IBM相继发布了截止频率突破200GHz的石墨烯FET。两公司均计划将其应用于高频RF元件。 SAIT总裁Kinam Kim上午发表了主题演讲,介绍了
美国英特尔和美国IQE共同开发出了多栅极构造的III-V族半导体沟道FET(演讲编号:6.1)。提高了沟道控制性,与平面构造的III-V族半导体沟道FET相比,S因子及DIBL(Drain Induced Barrier Lowering,漏极感应势垒降低)
简单和容易的电源就绪指示器检测主管及以上电压 摘要:欠压/过压(紫外/过压)的指标,也称为电源就绪(薄)指标,可以通知便携设备的用户,当电池电压过低或电池被滥收费用。博指标通常控制外部FET的封锁在这样的
10月26日凌晨消息,赛维LDK太阳能高科技有限公司(LDK)(以下简称“赛维LDK”)周一称,该公司已经与中国汽车和电池制造商比亚迪(1211.HK)签署了一项为期两年的多晶硅销售协议,这项交易的价值大约为3亿美元。 赛维L