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赛维LDK与比亚迪达成3亿美元多晶硅销售交易
北京时间10月26日凌晨消息，赛维LDK太阳能高科技有限公司(LDK)(以下简称“赛维LDK”)周一称，该公司已经与中国汽车和电池制造商比亚迪(1211.HK)签署了一项为期两年的多晶硅销售协议，这项交易的价值大约为3亿美元。
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赛维LDK欣喜与比亚迪达成多晶硅销售交易
北京时间10月26日凌晨消息，赛维LDK太阳能高科技有限公司(LDK)(以下简称“赛维LDK”)周一称，该公司已经与中国汽车和电池制造商比亚迪(1211.HK)签署了一项为期两年的多晶硅销售协议，这项交易的价值大约为
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DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）
Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效
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DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）
Diodes 公司推出首批采用专有DIOFET工艺开发的产品，将一个功率MOSFET与反并联肖特基二极管集成在一个芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件适用于同步降压负载点 (PoL) 转换器的低侧MOSFET位置，有助于提升效
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侨兴移动资产收购案凸显公司治理缺陷
导读：美国投资专家萨吉·卡桑(Saj Karsan)今天在投资博客Seeking Alpha上撰文称，侨兴资源近期收购侨兴移动资产的交易引起了外界广泛关注。这笔交易反映了当前公司治理标准的缺陷。侨兴资源提出，将以2亿美元
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40V JFET输入运算放大器（Intersil）
Intersil公司宣布推出其新JFET输入运算放大器产品家族的第一个成员 --- ISL28210，进一步扩大了其针对工业、医学和传感器市场的精密产品家族。 ISL28210结合了诸多业内领先的功能，使之成为用于过程控制模拟输入
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如何对反向转换器的FET关断电压进行缓冲
图 1 显示了反向转换器功率级和一次侧 MOSFET 电压波形。该转换器将能量存储于一个变压器主绕组电感中并在 MOSFET 关闭时将其释放到次级绕组。由于变压器的漏极电感会使漏电压升至反射输出电压 (Vreset) 以上，因
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新型纳米晶体管可直接探测细胞内部
据美国物理学家组织网、英国《自然》杂志网站8月12日报道，美国哈佛大学化学家和工程师共同制造了一种最新的V形纳米晶体管，外膜覆有一层磷脂双分子层，能非常容易地进入细胞内部进行检测，而不会对细胞造成任何可见
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IBM瞄准10nm以下工艺
美国IBM T.J.华生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半导体制造技术相关国际会议“2010 Symposium on VLSI Technology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确
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友达斥资12亿日元收购索尼旗下FET
友达1月20日斥资12亿日元，收购索尼（Sony）旗下的日本场发射显示器科技公司（FET）。友达在显示器产品上改变策略，积极跨入TFT-LCD以外的新兴技术，企图以技术领先的“质变”，超越新奇美在产能优势上的“量变”。S
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英特尔工艺开发负责人谈15nm工艺以后的CMOS技术
LSI的基本元件CMOS晶体管长期以来一直被指存在微细化极限，但目前来看似乎还远未走到终点。全球最大代工厂商台积电（TSMC）于今年夏季动工建设的新工厂打算支持直至7nm工艺的量产。台积电是半导体行业中唯一一家具体
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宽带Difet运算放大器电路
基础放大电路，供参考学习！
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FET输入高保真运算放大器电路
基础的放大电路。
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IBM确认瞄准10nm以下工艺
美国IBMT.J.华生研究中心（IBMT.J.WatsonResearchCenter）在半导体制造技术相关国际会议“2010SymposiumonVLSITechnology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确认了工作情
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IBM采用直径3nm FET25级环形振荡器动作，瞄准10nm以下工艺
美国IBM T.J.华生研究中心（IBM T.J. Watson Research Center）在半导体制造技术相关国际会议“2010Symposium on VLSITechnology”上宣布，试制出了采用最小直径为3nm的硅纳米线FET的25级CMOS环形振荡器，并实际确认
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NexFET功率模块（TI）
德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET
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消息称中国移动139邮箱可能将改为10086邮箱
6月13日消息，在中国移动正将公司现有域名从chinamobile.com全部转向10086.cn的同时，知情人士透露，中国移动用户的139邮箱也可能改为10086邮箱，这一事宜尚未得到中国移动证实。去年，浙江移动市场部花下15万元买下
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中国移动官网启用新域名10086.cn
6月7日上午消息，中国移动目前已启用域名10086.cn指向移动官网，此前有消息称中国移动已经制定统一门户网站的相关计划，要求各省公司网站在7月30日之前完成统一域名。去年浙江移动市场部花下15万元买下了10086.cn域名
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NexFET功率模块CSD86350Q5D（TI）
德州仪器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 电流下实现超过 90% 高效率的同步 MOSFET 半桥，其占位面积仅为同类竞争功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模块通过高级封装将 2 个非对称 NexFET 功率 MOSFET
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MOS-FET开关电路
MOS-FET虽然与JFET结构不同，但特性极为相似，N沟道和P沟道各分增强型和耗尽型，可在许多电路中代替J-FET，如图5.4-97所示，电路用MOS-FET代替J-FET更简单，如衅5.4-100所示短路开关对应图5.4-96中的A、C、D三个电路
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