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J-FET开关电路工作原理
1、简单开关控制电路图5.4-97为简单J-FET开关电路。当控制电压VC高于输入电压V1时，VGS=0，J-FET导通，传输信号至VO；当VC比V1足够负，VD导通而J-FET截止，VO=0。2、改进的J-FET开关电路图5.4-98电路是图5.4-97电路的
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新研发纳米管喷墨印刷工艺简化晶体管制造
目前有不少研究机构都投注了大量资源，来改善对纳米管(nanotubes)进行分类的方法，如此就能为印刷电子工艺生产出导电、半导电或是绝缘的墨水材料；有了这些墨水，晶体管或是其他电路组件，就能够轻易地用喷墨打印机在
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低失真文氏电桥正弦波振荡电路
电路的功能文氏电桥电路一直被作为正弦波发生电路使用，需要在低频范围产生低失真波形时可以采用这样电路。改变电阻RO或电容器CO可获得数百千赫兹以下的振荡频率。电路工作原理振荡原理是当环路内移相量是0度或360度
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澳大利亚FetchTV选择Envivio分发IPTV
据西班牙当地媒体报道，西班牙运营商Jazztel经过内部研究和一个月的讨论，已经决定终止其IPTV业务‘Jazztelia’。据西班牙商业报纸报道，Jazztel已经停止IPTV业务的用户订阅工作，尽管还继续拥有现有用户群
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使用FET输入型OP放大器的长时间模拟定时电路
电路的功能定时器专用IC有NE555和C-MOS单稳态多批振荡器4538B等。然后用FET输入型OP放大器也可用途长时间定时电路。本电路采用其他模拟电路中使用的双OP放大器余下的一个来组成定时器，这样可以减少IC的数量，事先了
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可用于VCA或幅度调制的FET乘法运算电路
电路的功能本电路是一种使用双FET的2象限乘法电路最大输入电压为10V，2象限乘法运算与幅度调制（AM）等效，可作为低频调制电路使用。电路工作原理本电路利用了FET的沟道电阻变化，以TT15、TT16特性相同为前提条件，O
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中国移动7月底改用10086.cn新域名
5月12日消息，消息人士向记者证实，“中国移动正在计划将公司现有域名从chinamobile.com全部转向10086.cn，预计在7月底完成统一域名的启用工作。”据了解，这次整合的范围涉及中国移动全部各级的企业网站、
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使用结型FET的简易电压控制放大器
电路的功能在VCA（电压控制放大器）。由反馈环路组成电路时，通过控制反正电压来改变放大器增益。所以传统的作法是利用二极管的单向特性或采用CDS光耦合器。而在本电路中，是利用栅极源极之间的电压使沟道电阻发生变
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低功耗高性能 JFET 输入音频运算放大器系列（TI）
德州仪器 (TI) 宣布推出具有超低噪音与超低失真、并可最大限度提高音频系统质量与性能的 JFET 输入运算放大器产品系列，从而进一步扩大 TI Burr-Brown 音频产品线。OPA1641、OPA1642 以及 OPA1644 每通道静态电流为
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路透社：Verizon Q1利润下降 用户增长疲软
美国电话运营商Verizon通讯星期四公布了财年第一季度财务报告。Verizon第一季度的利润从去年同期的32.1亿美元（合每股收益58美分）下降到了22.8亿美元（合每股收益14美分）。Verizon第一季度的利润包含支出了每股42美
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墨西哥运营商中断未实名手机用户服务
北京时间4月12日消息（张月红）上周，墨西哥参议院否决了下议院要求延长手机实名制登记的最后期限的提议，因此，从2010年4月10日开始，政府数据库内未实名登记的手机用户将无法使用手机服务。参议院电信委员会再讨论
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Ultra FRFET™液晶电视解决方案简化设计
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的液晶电视功率解决方案相比现今使用的传统解决方案，可为设计人员提供显著优势，最近的创新技术能够减少元件数目，简化设计，并进一步提高可靠性——所有这些可以大幅降低成
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IBM通过量产工艺试制出fT100GHz的石墨烯FET
美国IBM开发出了截止频率（fT）为100GHz的石墨烯（Graphene）FET。由此未来实现工作频率达到THz级FET的可能性变得更大。石墨烯是一种碳原子呈6角形网眼状连接的片状材料。借助石墨烯可将载流子迁移率提高到1万cm2/V
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Ultra FRFET™液晶电视解决方案简化设计
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的液晶电视功率解决方案相比现今使用的传统解决方案，可为设计人员提供显著优势，最近的创新技术能够减少元件数目，简化设计，并进一步提高可靠性——所有这些可以大幅降低成
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IBM通过量产工艺试制出fT100GHz的石墨烯FET（图）
美国IBM开发出了截止频率（fT）为100GHz的石墨烯（Graphene）FET。由此未来实现工作频率达到THz级FET的可能性变得更大。石墨烯是一种碳原子呈6角形网眼状连接的片状材料。借助石墨烯可将载流子迁移率提高到1万cm2/V
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看好FED前景，友达收购FET公司部分技术
友达光电2010年1月20日宣布， 与由索尼 (SONY) 持股39.8%的 Field Emission Technologies Inc. 公司（以下简称 FET）及 FET Japan Inc.（以下简称 FETJ）签署资产收购技术移转协议，收购 FET 的场发射显
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NEC等发布基于喷墨法的碳纳米管FET成果：“水基液滴材料较佳”
由NEC、产业技术综合研究所和东京大学组成的联合研究小组发布了以喷墨法试制的碳纳米管FET相关研究成果。当碳纳米管溶剂使用水时，绘图精度提高，而且还获得了较高的FET特性。该研究小组在“第57届应用物理学相关联合
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您的放大器偏移是否出了问题
您是否曾经有过在为您的电路选择最佳运算放大器上花费了大量时间但最后却发现厂商基准输入的失调电压不对的经历？要是在您的应用电路中，您发现其 10 倍于规范怎么办呢？您是将芯片拿去做故障分析，还是将芯片丢弃并
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日本应用物理学会采用晶圆粘贴法制成超薄III-V族半导体FET
目标是实现最终形态的MOS FET。(点击放大)已验证其性能超过具备超薄SOI构造的硅MOS FET。(点击放大)制造元件时使用的晶圆粘贴法。(点击放大) 东京大学研究生院工程学研究系电气工程学专业教授高木信一的研究小组，与
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通过优化变换器的FET开关来改善能量效率
在计算和消费电子产品中，效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。 AC/DC平均系统
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