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您的放大器偏移是否出了问题
您是否曾经有过在为您的电路选择最佳运算放大器上花费了大量时间但最后却发现厂商基准输入的失调电压不对的经历？要是在您的应用电路中，您发现其 10 倍于规范怎么办呢？您是将芯片拿去做故障分析，还是将芯片丢弃并
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日本应用物理学会采用晶圆粘贴法制成超薄III-V族半导体FET
目标是实现最终形态的MOS FET。(点击放大)已验证其性能超过具备超薄SOI构造的硅MOS FET。(点击放大)制造元件时使用的晶圆粘贴法。(点击放大) 东京大学研究生院工程学研究系电气工程学专业教授高木信一的研究小组，与
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通过优化变换器的FET开关来改善能量效率
在计算和消费电子产品中，效率已经有了显著的提高，重点是AC/DC转换上。不过，随着80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等规范的出现，设计人员开始认识到，AC/DC和DC/DC功率系统都需要改进。 AC/DC平均系统
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剑指高端显示器，友达光电借收购赢得FED先机
友达光电日前宣布，与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc.公司(以下简称 FET)及 FET Japan Inc.(以下简称 FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器 (field emission displays; F
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友达光电宣布收购FET公司的场发射显示器FED技术和资产
友达光电宣布，与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司（以下简称FET）及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays；FED)技
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友达光电宣布收购FET公司的FED资产及技术
友达光电1月20日宣布， 与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下简称FET)及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays;F
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友达12亿日元收购FET 显示器产品上策略改变
据台湾媒体报道，友达1月20日斥资12亿日元，收购索尼旗下的日本场发射显示器科技公司（FET）。友达在显示器产品上改变策略，积极跨入TFT-LCD以外的新兴技术，企图以技术领先的“质变”，超越新奇美在产能优
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集成FET的12 V双通道同步降压转换器(TI)
德州仪器 (TI) 宣布推出首款双通道输出的完全同步 SWIFT™ 电源管理集成电路。该 TPS54290 1.5 A/2.5 A 转换器可简化采用 12 V 电源的消费类电子产品的电源设计，如机顶盒或数字电视等。SWIFT 器件的输入电源电
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集成FET的12 V双通道同步降压转换器(TI)
德州仪器 (TI) 宣布推出首款双通道输出的完全同步 SWIFT™ 电源管理集成电路。该 TPS54290 1.5 A/2.5 A 转换器可简化采用 12 V 电源的消费类电子产品的电源设计，如机顶盒或数字电视等。SWIFT 器件的输入电源电
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友达光电收购FET公司之FED资产及技术
友达光电宣布，与由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司（以下简称FET）及FET Japan Inc.(以下简称FETJ)签署资产收购技术移转协议，收购FET的场发射显示器(field emission displays；FED)技
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液晶显示器特点及工作原理
液晶显示器(LCD)是现在非常普遍的显示器。它具有体积小、重量轻、省电、辐射低、易于携带等优点。液晶显示器（LCD）的原理与阴极射线管显示器（CRT）大不相同。LCD是基于液晶电光效应的显示器件。包括段显示方式的字
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允许USB旁路大电容的限流器
USB（通用串行总线）规格要求，一个连接的USB设备对主机或集线器给出一个与44Ω并联的不大于10μF的负载，它包含了通过器件稳压器的所有可见旁路电容。这个限制可避免当浪涌电流为电容充电时，设备上有过高的压降。
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压摆率达2675V/us的JFET输入放大器(TI)
德州仪器推出 OPA653 与 OPA659 JFET 输入运算放大器，其可实现3 倍于同类竞争产品的 2675 V/us 压摆率，从而可显著提高脉冲响应。上述放大器将宽带电压反馈放大器与高阻抗 JFET 输入级完美结合，可通过其高频率带宽
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采用薄型封装的MicroFET（飞兆）
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极
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采用薄型封装的MicroFET（飞兆）
飞兆半导体公司(Farichild Semiconductor)宣布其MicroFET现推出行业领先的薄型封装版本，帮助设计人员提升其设计性能。飞兆半导体与设计工程师和采购经理合作，开发了集成式P沟道PowerTrench® MOSFET与肖特基二极
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传中国移动百万元购买feixin域名
10月20日消息 据消息人士透露，中移动近日通过域名经纪人洽购feixin.com、feixin.cn等域名，交易金额预计在100万人民币左右，目前该交易尚未最终完成。比特网通过万网查询Whois信息发现，feixin.com、feixin.cn、fei
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分析师称Sprint很可能选择保持独立
北京时间9月18日凌晨消息，据国外媒体昨日报道，有关德国电信可能对Sprint发起收购要约的传言正继续减弱。本周早些时候有报道称，德国电信已聘用德意志银行(Deutsche Bank)来评估对Sprint发起收购要约事宜，但分析师
