元器件交易网讯 11月6日消息,据台湾媒体报道,储存型快闪存储器(NAND Flash)市场需求急速下降,合约价不断下跌。此前,海力士(Hynix)中国大陆无锡厂发生火灾意外,不仅带动动态随机存取存储器(DRAM)价格飙涨,同时
研究机构TrendForce旗下记忆体事业处DRAMeXchange调查显示,在市场需求持续走弱下,10月下旬NAND Flash合约价较10月上旬下跌2-8%。DRAMeXchange指出,儘管三星与SK Hynix的NAND均有所减产、力图填补DRAM产能,但由于
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,第三季虽然NAND Flash价格涨幅不若第二季明显,但由于下半年NAND Flash供货商产出成长依旧相当有限,加上智能型手机与平板计算机成长步伐稳健,
研究机构集邦(TrendForce)旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange表示,今年Q3虽然NAND Flash价格涨幅不若Q2明显,但由于下半年NAND供应商产出成长依旧有限,加上智慧型手机与平板电脑成长步伐稳健,因此即便Q3合约报价持
传统的Flash读写是通过CPU软件编程实现,其读写速度较慢,且占用CPU资源,另外由于Flash芯片本身功能指令较多,使得对芯片进行直接操作变得非常困难。
南韩DRAM大厂SK海力士昨(29)日宣布,9月工安事故停工的无锡厂复工时间,可能从原订11月延后至12月。业界预期,未来两季DRAM仍将短缺,价格看涨,华亚科(3474)、威刚等业者营运持续看俏。SK海力士昨日公布第3季财
笔者已经完成了对微软新款Surface Pro 2的拆解分析工作。就像标题里说的那样,在微软“细密”的做工下,整个平板的拆解和维修都异常艰难,因此使用起来一定要小心,千万别碰着磕着,不然麻烦就大了。Surfa
21ic讯 Holtek Small Package A/D Flash Type MCU系列新增HT66F007,此颗MCU为HT66F005/HT66F006的延伸产品,提供更丰富的MCU资源。其中内含512 byte EERPOM及160 byte RAM为此型号的特点,符合工业上−40℃
21ic讯 Holtek继HT66F24D与HT66F25D,再增加一成员HT66F26D,在高电流LED驱动Enhanced A/D型Flash MCU系列产品,构成完整MCU系列。HT66F26D最大I/O Sink能力达80mA,全系列符合工业等级﹣40℃ ~ 85℃工作温度与高
Holtek新推出的HT67F488 / HT67F489系列,具有A/D及LCD功能的标准型Flash MCU。除具有多样化功能外,并规划与三星S3F9488相同之脚位。适用于各种小家电、居家医疗健康器材等产品。本系列MCU,包含有4K / 8K Word F
华邦电子(2344)第三季旺季不太旺,但仍守稳获利,展望第四季淡季不太淡,法人估合并营收下滑但获利逆势比第三季上扬,将为今年以来连续第三季获利。华邦第三季合并营收为83.09亿元,季减6%,主要是自身记忆体及旗下
转自台湾精实新闻的消息,三星电子25日公布,2013年第3季(7-9月)半导体部门合并营收年增11.7%(季增12.1%)至9.74兆韩元;合并营益年增102%(季增17%)至2.06兆韩元。三星指出,7-9月记忆体营收年增22%(季增12%)至6.37兆
市场需求疲弱不振,包括动态随机存取存储器(DRAM)与储存型快闪存储器(NAND Flash)现货价同创1个多月来新低纪录。根据集邦科技调查,DDR3 2Gb现货均价滑落至2.055美元,创9月12日来新低价,10月来跌幅已超过1成水平。
三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)25日公佈,2013年第3季(7-9月)半导体部门合併营收年增11.7%(季增12.1%)至9.74兆韩圜;合併营益年增102%(季增17%)至2.06兆韩圜。三星指出,7-9月记忆体营收年增22%(季增12%)至
华邦电(2344)今举行法人说明会,总经理詹东义指出,华邦电近期致力于深化与一线品牌客户合作关系,尽管近期终端市场需求并不强,不过华邦电一线客户在中低容量的利基DRAM、行动DRAM等产品线拉货动能旺盛,詹东义强调
21ic讯 近日,英飞凌科技股份公司联合第三方,推出了性能优越的750W伺服套件。该套件包括主控板和功率板两部分。主控板采用英飞凌32位微处理器XMC4500(ARM Cortex-M4 cor
随着传统的半导体制造技术在NAND flash领域即将达到极限,存储器芯片厂商纷纷开始采用3D生产技术以提高产能。根据IHS的报告显示,到2017年,全球近三分之二(65.2%)的快闪存储器芯片将采用3D技术,而在2013年这一比
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示,由于市场预期SK 海力士中国工厂火灾事件会减少未来NAND Flash供货,使得9月下旬合约价较8月下旬上涨3-6%。从需求面来看,通路端的记忆卡和随
LED晶 粒厂推出的覆晶元件,获得日系智慧型手机厂的认证,将会用在智慧型手机的Flash闪光灯,预计将在明年第一季出货。由于手机闪光灯需要可以承受瞬 间高电流的晶粒产品,能获得认识相当不简单,也成为首家
东京—东芝公司(TOKYO:6502)近日宣布,该公司将通过一个由Fixstars Corporation运营的技术信息网站“FlashAir Developers”为“FlashAir™”的应用和服务开发者提供技术信息。FlashAir™是包含嵌入式无