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东芝3D NAND晶圆厂破土动工带动NAND Flash业复苏
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NAND Flash扩产需求；该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩大五号半导体制造工厂（Fa
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东芝Fab5第二期动工 为量产3D NAND铺路
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NAND Flash扩产需求;该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩大五号半导体制造工厂(Fab
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东芝Fab5第二期动工 为量产3D NAND铺路
据外媒electronicsweekly报道，东芝垂直NAND晶圆厂第二期厂房已破土动工，应对未来NAND Flash扩产需求;该新建厂房被称为“叠分NAND晶圆厂”或“3D NAND晶圆厂”。东芝公司表示：“公司将扩
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联发科(2454)眼中的秘密武器，成就华邦电(2344)的大未来!
华邦编码型快闪记忆体(NOR Flash) 布局手机市场报捷，独家获得联发科主力晶片「MT6252」系列搭配采用，并打入三星、LG等大厂供应链。「MT6252」是联发科2011年秘密武器，放量出货当中，华邦NOR 晶片出货同步成长，挹
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SSD 2013 Q1出货量1150万台 未来成长空间仍相当大
固态硬碟(SSD)是这几年快速崛起的储存产品，也带给记忆体相关业者相当多商机，包括NAND Flash晶片、SSD供应商或是SSD控制晶片业者。目前NAND Flash晶片供应商包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、新帝
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为何Flash存储产品能够生存壮大
我永远忘不了自己第一眼看到华丽的菲斯克卡玛（Fisker Karma）1的情景。在那之前，公众一直沉迷于丰田普锐斯或日产Leaf等混合动力插电式汽车，这些车的外观性感异常，就像Martha Stewart在新一期维多利亚的秘密内衣产
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JEDEC标准(JESD216)S FDP对串行Flash在系统中的应用
摘要：JEDEC标准(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一个可供查询的描述串行Flash功能的参数表。文章主要介绍了这个串行Flash功能参数表的结构、功能和作用，并给出其在系统
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IBM筹划flash业务开发蓝图
IBM预计将在明年利用新创公司Diablo Technologies的技术，为伺服器双列直插式存储器模组(DIMM)插槽加入NAND flash。该公司并计划在DIMM埠中采用自行设计的控制器芯片。此外，IBM并加倍扩增去年从Texas Memory System
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高速PCB设计中的常见问题及解决方法
随着器件工作频率越来越高，高速PCB设计所面临的信号完整性等问题成为传统设计的一个瓶颈，工程师在设计出完整的解决方案上面临越来越大的挑战。尽管有关的高速仿真工具和互连工具可以帮助设计设计师解决部分难题，但
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国外半导体大厂积极壮大高毛利的智慧化嵌入式系统市场版图
【导读】值此智慧化嵌入式系统(Intelligent Embedded System)市场方兴未艾之际，Flash MCU内嵌的编码型快闪(NOR Flash)记忆体容量亦将大幅增长，以迎合智慧化嵌入式系统配备联网、图形化和语音人机介面等功能，以及内
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智能嵌入式系统力拱 高容量Flash MCU需求涨
嵌入式系统智能化商机旺 MCU厂升级eFlash制程微控制器(MCU)厂商在嵌入式快闪记忆体(eFlash)新一轮先进制程竞赛开打。值此智慧化嵌入式系统(Intelligent Embedded System
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新内存芯片更经凑更快 挑战DRAM和Flash
一家美国创业公司开发出一种更紧凑更快的内存芯片，向DRAM和Flash芯片发起了挑战。新的内存芯片被称为交叉内存(crossbar memory)，由Crossbar研发，该公司联合创始人兼首席科学家是密歇根大学教授Wei Lu。演示用交叉
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海力士未来恐会收回多数控制芯片对外采购权
【导读】NAND Flash大厂海力士积极建立芯片设计团队，继买下美系NAND Flash设计公司LAMD后，近期更出手买下USB 3.0设计厂银灿旗下内嵌式存储器(eMMC)部门，将成立新公司落脚台元科技园区，创下国际存储器大厂在台成立
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HTML5将给企业带来什么？
21ic通信网讯，HTML5是近年来互联网行业的热门词汇，火的很。微软IE产品总经理发文： 未来的网络属于HTML5。乔布斯生前也在公开信《Flash之我见》中预言：像HTML5这样在移动时代中创立的新标准，将会在移动设备上获得
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半导体厂扩产 力成进补
不让韩国三星专美于前，日本半导体大厂东芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，将共同斥资4,000亿日圆(约新台币1,221.2亿元)，于日本三重县四日市兴建储存型快闪存储器(NAND Flash)新厂，导入最新16至17纳米制程，使总产能
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为何Flash存储产品能够生存壮大？
我永远忘不了自己第一眼看到华丽的菲斯克卡玛（Fisker Karma）[1]的情景。在那之前，公众一直沉迷于丰田普锐斯或日产Leaf等混合动力插电式汽车，这些车的外观性感异常，就像Martha Stewart在新一期维多利亚的秘密
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HOLTEK推出单颗电池0.9V标准Flash MCU系列
21ic讯 Holtek新一代0.9V标准型Flash微控制器，整合了电源管理IC的功能，在单一芯片上实现单一颗电池之应用。同时整合外部电路，可达到体积缩小、组件精简、电池减少的绿色环保需求。本系列产品包含有HT66F017L及HT6
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HOLTEK新推出HT66F0172、HT66F0174 Enhanced A/D Flash MCU系列
21ic讯 Holtek新推出Enhanced A/D Flash Type MCU系列，此系列有两颗MCU分别为HT66F0172及HT66F0174，符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，并具有2Kx16 Flash程序内存，SRAM为128 Bytes、I/O 18个
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基于TMSF240芯片的内部FLASH自测试方法
飞控计算机CPU模块的处理器通常选用PowerPC或X86系列，CPU模块设计有专门的FLASH芯片，为保证飞控程序存放的正确无误，FLASH测试必不可少。而智能接口模块的处理器通常选用TMSF240、TMSF2812等，采用片内FLASH存放自
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HOLTEK推出HT85F2280/70/60 8051 A/D Flash Type MCU系列
21ic讯 Holtek推出全新的8051 A/D Flash Type MCU的HT85F2280、HT85F2270、HT85F2260系列，全系列宽工作电压范围2.2V~5.5V，符合工业等级-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，是一系列混合信号高性能MCU，使
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