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武汉“新芯”能成为亮点
沉默了一段时间之后的武汉“新芯“，近期又开始显声。它的变化主要有两个方面，更英文名为XMC，以及宣布与中芯国际之间已不再是姊妹公司关系。观看EE Times采访它的市场营销经理Walter Lange谈话之后，发现
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北美半导体设备制造商B/B值连续5个月逾1
5月北美半导体设备制造商订单出货(B/B)值为1.08，与4月持平，已连续5个月维持在1以上水准。 国际半导体设备材料产业协会(SEMI)指出，北美半导体设备厂商5月的3个月平均订单金额为13.2亿美元，较4月11.7亿美元增加12.
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封测厂动能稳健 日月光5月封测营收创新高 力成营收也同升
IC封测日月光(2311-TW)今(7)日公布 5 月营收，封测营收为124.1亿元，较 4 月增加6.3%，较去年同期成长12.2%，创下封测营收历史新高，合并营收则达174.4亿元，较 4 月成长4.3%，较去年同期成长11.5%；另一家封测厂力成
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HOLTEK推出BS84xxxA-3系列新一代Flash触控单片机
21ic讯 Holtek推出新一代内建8通道的12-bit ADC的Flash触控MCU BS84xxxA-3系列，此系列共有2颗，BS84B08A-3与BS84C12A-3分别支持8个及12个触控按键，可应用于温度或其它电压讯号量测等应用，如温控电茶壶、电陶炉、
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HOLTEK推出BS83xxxA系列新一代Flash触控单片机
21ic讯 Holtek推出新一代Flash触控MCU BS83xxxA，除了保有上一代的优点之外还比上一代触控MCU更省电，触控侦测的更新率更高，并且抗干扰的能力更好。在产品开发阶段还提供了OCDS EV及新的Touch Key开发平台，使用简
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常用Nor Flash操作
SST39VF160芯片介绍SST39VF160是一个1M×16的CMOS多功能FlashMPF器件，由SST特有的高性能SuperFlash技术制造而成(SuperFlash技术的分裂闸split-gate单元结构和厚氧化物
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100万次擦写！三星首创45nm嵌入式闪存
三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称，基于其45nm e
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199元，800台工程版PPBox今日被速抢
PPTV携手华数传媒合作推出了机顶盒产品PPBox，299元售价在业界引起了不小的轰动。今日零点800台工程版PPBox的网络预售正式首发了，工程版的售价为199元，但仅过了3分钟的时间，800台PPBox就被速抢一空。
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全球首创45nm嵌入式闪存 100万次擦写！
三星电子近日宣布，正在开发全球首款采用45nm工艺的嵌入式闪存eFlash，并且已经成功在智能卡测试芯片上部署了新工艺，为量产和商用打下了坚实基础。三星宣称，基于其45nm eFlash的智能卡电路具备极高的可靠性、耐久性
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盛群低功耗LCD Flash MCU 满足温度与高抗杂讯要求
盛群推全新系列的TinyPower液晶(LCD)快闪记忆体(Flash)微控制器(MCU)，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个微控制器，符合工业上-40°C～85°C工作温度与高抗杂讯之性能要求，且提供48～80接脚的不同封
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三星淡出microSD，NAND Flash供应链再洗牌
近期内存业界传出三星电子(Samsung Electronics)将策略性淡出小型内存卡microSD生产行列，未来仅针对少数几家客户以供应Wafer方式，让客户自行生产并封装 microSD成卡，至于三星既有资源将全数投注于eMMC、eMCP、固态
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MSP430---FLASH 读写
MSP430 FLASH型单片机的FLASH存储器模块根据不同的容量分为若干段，其中信息存储器SegmengA及SegmentB各有128字节，其他段有512字节。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其
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Holtek全新TinyPowerTM LCD Flash MCU适合各应用领域
Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个MCU，符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，且提供48 ~ 80-pin的不同封装型式，搭配TinyPowerTM Flash
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因应产业变化 宇瞻以前瞻思考再创新局
今年智慧型手机、平板等行动装置快速成长、DRAM及NAND Flash价格也不断走高，整体景气看旺，对于数位储存市场来说，将会有很大的发展空间。然而也正因为智慧手机和平板装置成为未来主流、亦随着云端热潮崛起，产业典
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英飞凌与格罗方德共同开发40nm嵌入式Flash制程
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製
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英飞凌与格罗方德共同开发40nm嵌入式Flash制程
英飞凌科技与格罗方德公司 (Globalfoundries Inc.) 今日宣佈共同开发并合作生产 40 奈米 (nm) 嵌入式快闪记忆体 (eFlash) 製程技术。这项合作案将着重于以英飞凌 eFlash 晶片设计为基础的技术开发，以及採用 40nm 製
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HOLTEK推出HT66FB5x0 and HT68FB5x0 Full Speed USB Flash MCU系列
Holtek推出全新的A/D与I/O两系列的Full Speed USB Flash MCU - HT66FB540、HT66FB550、HT66FB560与HT68FB540、HT68FB550、HT68FB560。HT66FB5x0与HT68FB5x0为Holtek新世代8-bit Flash USB MCU系列产品。Holtek提供高
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HOLTEK新推出HT69FxxA超低功耗功能强大的TinyPowerTM LCD Flash MCU系列
Holtek推出全新系列的TinyPowerTM LCD Flash MCU，全系列包含HT69F30A、HT69F40A及HT69F50A三个MCU，符合工业上-40℃ ~ 85℃工作温度与高抗噪声之性能要求，且提供48 ~ 80-pin的不同封装型式，搭配TinyPowerTM Flash
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HOLTEK推出HT66FxxA最佳性价比、功能强大的Enhanced Flash MCU系列
继现有的Enhanced Flash MCU A/D型的HT66Fxx系列，Holtek再推出HT66F60A/70A、HT66FB60A/70A及HT66FU60A/70A系列MCU。除承袭原有之USB及UART系列外，并将程序空间推展到32K Words。适用于各种小家电、量测仪表、工业
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锐成芯微 创业企业的平台梦
从手机到平板电脑，以及蓝牙耳机等外设，各种数码产品想要能“说”会“唱”，都必须依靠音频芯片。高性能的音频芯片往往功耗较高，会大幅度降低移动设备电池使用时限。今年初，成都锐成芯微科技有限责任公司(以下简称
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搬砖砌楼
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火焰舞者
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