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Nexperia最新发布的产品和Wise-integration 的GaN产品
Nexperia 是基本半导体领域的专家，最近宣布其最新产品添加到越来越多的分立器件中，该器件采用具有侧面可湿性侧面 (SWF) 的无引线 DFN 封装。这些节省空间且坚固耐用的组件有助于满足智能和电动汽车中下一代应用的需求
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GANT衬衫先锋承袭经典，暨沈阳K11全新门店正式启幕
"衬"出新我，再续传奇 沈阳2022年9月8日 /美通社/ -- 9月6日，GANT沈阳K11全新门店正式启幕。此次GANT以新店开幕为契机，回顾品牌标志性衬衫单品的诞生与历史，并演绎经历沉淀后的迭代蜕变，拥抱全新衬衫型格，"衬"出新我。...
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电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN
基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。
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用于下一代射频应用的氮化镓 (GaN) 概述
近二十年来，氮化镓 (GaN) 半导体技术已被曝光，预示着射频功率能力的范式转变。尽管所有这些承诺尚未兑现，但 GaN 器件已稳步进入许多射频、微波、毫米波 (mmWave)，甚至现在甚至是太赫兹波 (THz) 应用。
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ROHM最新的GaN HEMT 提器件的高栅极耐压
新 EcoGaN™ 系列的第一个系列有助于降低数据中心和基站的功耗并实现更大的小型化 ROHM 150V GaN HEMT、GNE10xxTB 系列( GNE1040TB ) 将栅极耐压(额定栅极-源极电压)提高到业界领先的 8V - 非常适用于工业设备(如基站和数据中心以及物联网)的电源电路通讯设备。
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第五部分
我的最后一个问题是关于展望未来：您如何看待未来几年的 GaN?与 GaN 竞争的其他宽带隙材料有哪些?所以，我提到了一些关于碳化硅的事情。因此，这些天来，我们也在谈论电动汽车。那么，与其他解决方案相比，GaN 在哪些方面可以提供良好的价值?我们期望在哪里看到下一波增长?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第四部分
现在讨论的一个主题是器件的热管理方面，而宽带隙半导体、氮化镓，但不仅是碳化硅解决方案，承诺更高的工作温度和更高的效率。如您所知，在将这些设备设计到系统中时，设计人员还需要考虑热管理问题。那么，您的技术战略是什么，您如何看待随着功率密度的增加而对工艺和封装技术的未来发展产生影响的热管理需求?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第三部分
最新的GaN技术是把逻辑集成到 E-Mode GaN HEMT 中，因此，它可以以最少的工作量与驱动程序和控制器连接，并且还可以节省成本，因此不需要额外的组件。因此，我们的解决方案可以像 MOSFET 一样被驱动。为什么E-Mode GaN HEMT选择集成逻辑而不是 GaN 驱动器的原因是什么吗?
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一种新技术E-Mode GaN宽带隙半导体讨论，第二部分
目前有几个 GaN 器件概念。那么，大家能告诉我从设计的角度来看，哪些是主要的，哪些是我们的发展方向?，关于GaN的十件事，有没有你更关注的点?
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用于电气化的下一代 GaN发展，第二部分
在半导体外延材料制造过程中，会产生位错，即材料中的缺陷。半导体中的缺陷越多，可以在晶片上生产的可用器件就越少，这会增加成本。此外，不良的材料界面会导致更高的器件通道电阻，从而导致更多的能量在运行过程中被浪费，从而降低芯片的能效。
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PFC 图腾柱架构和 GaN 相结合，实现高功率和高效率
开放计算项目 (OCP) 由 Facebook 发起，旨在通过在感兴趣的公司之间公开共享数据中心解决方案和构建模块来减少超大规模数据中心的 OPEX 和 CAPEX。Google 于 2016 年加入 OCP，Bel Power Solutions自 OCP 开始以来一直提供符合 OCP 的电源解决方案。
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大数据中心电源和能量使用的情况讨论，第四部分
我与 Vicor 的产品营销和技术资源公司副总裁 Robert Gendron 就他们的数据中心战略进行了交谈。我首先询问了在他们的架构中使用 GaN 的情况;Vicor 已与其他 FET 一起评估了该技术。
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Transphorm GaN 系统级电源转换解决方案实现了新的性能
最近，我会见了 Transphorm 总裁兼联合创始人 Primit Parikh。Parikh 强调，他们的 GaN on Silicon 解决方案是业内唯一通过 JEDEC 认证的产品。
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用于 AC-DC 电源转换的 GaN 评估板
Transphorm 发布了用于 AC/DC 转换的 TDTTP4000W065AN 评估板。该板使用其 SuperGaN Gen IV GaN FET 技术将单相交流电转换为高达 4 kW 的直流电，并采用传统模拟控制的无桥图腾柱功率因数校正 (PFC)。
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世界脑健康日：我国 "脑健康行动"启动，把握"机会窗口期"
北京2022年7月23日 /美通社/ -- 为贯彻落实党中央、国务院全面推进健康中国建设的战略部署，进一步促进脑健康科学普及，积极预防认知障碍、脑血管病与抑郁症等重大神经和精神系统疾病，在国家卫生健康委员会、健康中国行动推进委员会办公室和中华医学会的指导下，2022年7月22日&...
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涂鸦智能推出BornSmart主题活动，"燃爆"全球智能家居市场生态
加利福尼亚州圣克拉拉2022年7月18日 /美通社/ -- 众所周知，优质的智能产品不仅能创造更高效的生活方式，同时也能够带来更舒适的生活体验。 借助IoT技术，用户可以在现实中体验各种"天马行空"的智慧家庭场景 -- 从办公室开车回家时，可以远程打开客厅空...
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适用于 CSP GaN FET 的简单且高性能的热管理解决方案
由于具有更好的品质因数，氮化镓等宽禁带半导体提供比硅更高的功率密度，占用的芯片面积更小，因此需要更小尺寸的封装。假设器件占用的面积是决定热性能的主要因素，那么可以合理地假设较小的功率器件会导致较高的热阻。3,4本文将展示芯片级封装 (CSP) GaN FET 如何提供至少与硅 MOSFET 相同(如果不优于)的热性能。由于其卓越的电气性能，GaN FET 的尺寸可以减小，从而在尊重温度限制的同时提高功率密度。这种行为将通过 PCB 布局的详细 3D 有限元模拟来展示，同时还提供实验验证以支持分析。
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汽车应用中的宽带隙材料
电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 正在寻找提高功率转换效率的解决方案。 长期以来，大多数电子功率器件都是基于硅的，硅是一种可以在加工过程中几乎不会产生任何缺陷的半导体。然而，硅的理论性能现在几乎已经完全实现，突出了这种材料的一些局限性，包括有限的电压阻断能力、有限的传热能力、有限的效率和不可忽略的传导损耗。与硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 半导体具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
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从硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技术的发展
本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，了解电子世界是如何在短短几年内发生巨大变化的，因为新的 SiC 和 GaN MOSFET 的发现和开发。
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使用GaN 功率 IC 提供高性能、可靠的电机驱动器第2部分
硅和碳化硅中的 IGBT 和 MOSFET 以类似方式驱动。该器件在 10-20 V 的栅极驱动下开启，通常关闭至 0 V 或负电压以实现更高的功率水平。分立增强型 GaN 器件通常需要 5-7 V 的栅极驱动，并且可能还需要负电压来关闭它们。如果没有正确优化，性能和可靠性都会受到影响。这是因为，虽然 GaN 是一种先进材料，但分立 GaN FET 确实有一个致命弱点：一个必须小心驱动的栅极节点。如果栅极上的电压过低，则 FET 没有完全导通，因此导通电阻和损耗都很高。如果电压太高，可能会损坏栅极。
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