GAN

GaN FET 成为下一代工业电源的优先选择

传统的电源主力——金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT)——只有在牺牲效率、外形尺寸和散热的情况下才能提高功率密度。

TI 推出全新 GaN 技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

点击上方蓝字关注我们！德州仪器（TI）今宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™实时微控制器（MCU），辅以台达（DeltaElectronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。与使用传统架构的企业服务器电源供应器...

车载 GaN FET 可实现 HEVEV 的高频和稳健性设计

为了解决消费者对电动汽车 (EV) 普及的里程、充电时间和价格等问题，世界各地的汽车制造商都在增加电池容量而不增加尺寸、重量或组件成本。我正在寻找一种加快速度的方法充电。

TI 推出全新 GaN 技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

点击上方蓝字关注我们！德州仪器（TI）今宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™实时微控制器（MCU），辅以台达（DeltaElectronics）长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器（PSU）。与使用传统架构的企业服务器电源供应器...

TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本北京2021年9月23日/美通社/--德州仪器（TI）（纳斯达克代码TXN）今宣布其氮化镓（GaN）技术和C2000™实时微控制器（MCU），辅以台达（DeltaElectronics）长期耕...

德州仪器推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

（全球TMT2021年9月23日讯）德州仪器（TI）宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™ 实时微控制器（MCU），辅以台达（Delta Electronics）长期耕耘之

TI推出全新GaN技术，携手台达打造高效能服务器电源供应器

TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本

GaN 打破壁垒——射频功率放大器变得更宽更高级

意法半导体单片 GaN 栅极驱动器加速工业和家庭自动化并提高灵活性和集成度

中国，2021年9月9日——意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。

三款全新MasterGaN系列产品提供新的GaN配置，最高450 mΩ

点击“意法半导体PDSA"，关注我们！MASTERGAN3、MASTERGAN4、以及MASTERGAN5器件现在已发货至分销商处，支持工程师创建新的应用。MASTERGAN3的低侧电阻为225mΩ，高侧电阻为450mΩ。另一方面，MASTERGAN4的低侧和高侧电阻均为225m...

厚积薄发，ST和Exagan开启GaN发展新篇章

☝ 点击上方 “ 意法半导体PDSA”，关注我们‍‍‍‍‍‍‍‍氮化镓(GaN)是‍‍‍一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4eV，电子迁移率为1,700cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有性质让器件具有更...

宏光照明子公司认购VisIC，进入GaN相关产品的开发业务

8月24日，宏光照明发布公告称，公司的全资附属公司FastSemiHoldingLtd.已投资VisICTechnologiesLimited。根据购股协议，FastSemi同意认购VisIC1,749,961股股份，约占VisIC经扩大已发行股本的21.86%，作价约25百万美...

利用C2000? 实时MCU 提高GaN 数字电源设计实用性， TI 来帮您！

点击上方蓝字关注我们！与碳化硅(SiC)FET和硅基FET相比，氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)可显著降低开关损耗和提高功率密度。这些特性对于数字电源转换器等高开关频率应用大有裨益，可帮助减小磁性元件的尺寸。电力电子行业的设计人员需要采用新的技术和方法来提高GaN系统的性能...

PowiGaN让消费电子小而强悍

PI的PowiGaN能够提供更高的效率，帮助完成体积小/重量轻的产品设计，已批量应用于众多领域的产品，包括工业、消费、照明和商用等。

意法半导体发布高性能车规级GaN产品系列

服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)发布了STi2GaN系列智能集成氮化镓(GaN)解决方案。

安世快讯 | Nexperia与联合汽车电子有限公司就氮化镓领域达成深度合作

近日，基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司(简称UAES)在功率半导体氮化镓(GaN)领域展开深度合作，旨在满足未来对新能源汽车电源系统不断提升的技术需求，并共同致力于推动GaN工艺技术在中国汽车市场的研发和应用。

科锐推出多款碳化硅基氮化镓器件，助力大型雷达加速发展

Wolfspeed CMPA901A020S、Wolfspeed CMPA9396025S、Wolfspeed CMPA801B030 系列均为GaN MMIC器件，具备小型化、高效率等优势。

ST亮相2021慕尼黑上海电子展：GaN提升电源能效，Teseo提升驾驶效率

ST参加了于2021年4月14-16日举办的2021慕尼黑上海电子展。

迎接氮化镓的新浪潮

ST在接受EE-Times采访时强调了这个新平台如何通过提供更轻的方案，3倍充电时间以及80%的系统体积缩小。

针对电动汽车应用，氮化镓的优势有哪些

为了解决诸如行驶距离，充电时间和价格等消费者关注的问题，以加速电动汽车(EV)的采用，全球的汽车制造商都要求增加电池容量和更快的充电能力，而尺寸，重量或组件成本却不能增加。