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微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场
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IR 针对电动汽车和混合动力汽车应用推出600V车用IGBT
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化。新器件适用的电流范围很广，提供最小为 5μs的短路
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微电子所6500V超高压IGBT研制取得重要突破
中国科学院微电子研究所IGBT团队在高压高功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）研制方面，继上半年1700V系列之后，近期在6500V系列超高压领域再次取得关键技术突破。由微电子所完全自主设计的6500V Trench FS IGBT（沟槽栅场
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IR推出超高速1200V IGBT
21ic讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出一对高效、可靠的超高速沟道绝缘栅双极晶体管 (IGBTs) ，该产品为焊接、高功率整流等感应加热和共振开关应用进行了优化。 全新1200 V IGBT 器
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基于IGBT的固态脉冲调制器设计
摘要：基于课题建设的需要，需对某型雷达脉冲调制器进行固态化改造，为达到经济省时的目的，采用了设计与仿真的方法。应用新型功率开关器件IGBT替代电真空器件，设计了单片机控制的固态脉冲调制器。克服了雷达脉冲调
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IGBT电力电子装置的应用详解
IGBT在以变频器及各类电源为代表的电力电子装置中得到了广泛应用。IGBT集双极型功率晶体管和功率MOSFET的优点于一体，具有电压控制、输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、通断速度快和工作频率高等优
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IR 推出高可靠性超高速1200V IGBT
21ic讯 国际整流器公司 (简称IR) 近日推出针对感应加热、不间断电源（UPS）太阳能和焊接应用而设计的可靠、高效 1200V 绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列。全新超高速 1200V IGBT 系列采用纤薄晶圆场截止沟道技术，可显
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摆脱对存储器市场的过度依赖 三星计划明年第二季度量产IGBT芯片
三星电子(SamsungElectronics)2012年第2季将推出电力芯片产品，这是自1999年三星将电力半导体厂抛售给快捷半导体(FairchildSemiconductor)13年后，三星首度推出的电力芯片产品。据南韩电子新闻报导，三星2011年5月与
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单相桥式PWM逆变器死区补偿的一种方法
摘要：为了更好的了解脉冲宽度调制控制技术及其在实际电路中的应用，文中以单相SPWM逆变电路为控制对象，分别从PWM的产生机制、死区补偿和输出电压与输出电流等方面详细介绍了死区补偿的一种方法。并对逆变器的工作模
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三相IGBT全桥隔离驱动电源设计
摘要：设计了一种基于电流型PWM控制器UC3845的三相IGBT全桥隔离驱动电源。采用单端反激式结构，电压反馈与电流反馈组成双闭环串级结构。TL431a与PC817组成反馈网络，旁路掉UC3845内部误差放大器，反馈信号直接输入到
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杂散电感对高效IGBT逆变器设计的影响
IGBT技术不能落后于应用要求。因此，英飞凌推出了最新一代的IGBT芯片以满足具体应用的需求。与目前逆变器设计应用功率或各自额定电流水平相关的开关速度和软度要求是推动这些不同型号器件优化的主要动力。这些型号包
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绿色能源计划推动中国IGBT市场增长
据IHS iSuppli公司中国研究服务即将发表的一份报告，由于绿色能源与能源效率得到更多的重视，以及政府投资支持和严格的能源政策，2011-2015年中国绝缘栅双极型晶体管(IGBT)市场销售额的复合年度增长率将达13%。由于功
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铜进金退 长电科技加快技术改造
[世华财讯]近年来，随着封装技术的不断进步，封装所需要的材料也在逐步改进，封装行业正在经历铜取代金的转变。由于黄金价格最近几年的持续飙升，加快了封装行业铜制程的推进，很多芯片厂商开始纷纷改用铜线键合，这
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高能效功率电子技术领域的新进展
21ic讯 从1957年第一只晶闸管的诞生开始，功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展，产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到，到2030年，受益于采用
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高能效功率电子技术领域的新进展
从1957年第一只晶闸管的诞生开始，功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展，产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到，到2030年，受益于采用半导体技术
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高能效功率电子技术领域的新进展
从1957年第一只晶闸管的诞生开始，功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展，产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到，到2030年，受益于采用半导体技术
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高能效功率电子技术领域的新进展
从1957年第一只晶闸管的诞生开始，功率电子技术以相当迅猛的速度发展。近年来又取得了长足的进展，产生极佳的经济及社会效益。从美国高能效经济委员会(ACEE)出版的一份报告可以看到，到2030年，受益于采用半导体技术
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高压变频器主电路图分析及其应用
1.引言 目前，随着现代电力电子技术和微电子技术的迅猛发展，高压大功率变频调速装置不断地成熟起来，原来一直难于解决的高压问题，近年来通过器件串联或单元串联得到了很好的解决。其应用领域和范围也越来越为
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高压变频器主电路图分析及其应用
1.引言 目前，随着现代电力电子技术和微电子技术的迅猛发展，高压大功率变频调速装置不断地成熟起来，原来一直难于解决的高压问题，近年来通过器件串联或单元串联得到了很好的解决。其应用领域和范围也越来越为
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Diodes 40V闸极驱动器减少IGBT开关损耗
Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其
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