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研析某型变频器的控制模式
1步进运动理论分析同步电动机采用变频器供电后，三相定子绕组输入的不是正弦连续电流，而是输入下列的对称离散电流。2步进工作模式分析2.1IGBT-PWM变频器主电路主电路采用交-直-交电压型逆变电路，6个不可控的二极管
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电磁炉检测电路工作原理分析
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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中国南车首家海外功率半导体研发中心落成
7月25日，中国南车株洲所首家海外功率半导体研发中心在英国顺利落成，这也是我国轨道交通装备制造企业首个海外高端器件研发中心。以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通装备关键技术之一，被业界认为是现代机车
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中国南车首家海外功率半导体研发中心落成
7月25日，中国南车株洲所首家海外功率半导体研发中心在英国顺利落成，这也是我国轨道交通装备制造企业首个海外高端器件研发中心。以IGBT为代表的功率半导体器件技术是轨道交通装备关键技术之一，被业界认为是现代机车
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如何保护马达驱动器与可再生能源系统中的IGBT
电源转换电路经常被应用在马达驱动器或可再生能源的功率转换上，设计中包括可以将直流电压转换为交流电压的电源转换器，以便用来推动马达或连接到可再生能源系统的电网(图1)。 图1，交流-直流-交流转换器功能框图。
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二极管+IGBT：新架构能带来什么新应用？
技术特点：逆向导通型IGBT将二极管和IGBT集成在同一个晶片里节省空间，价格低175度的结温，EMI效果良好应用领域：洗衣机、洗碗器、吸尘器、空调、冰箱的压缩机、伺服驱动、风扇由于现在经济的快速发展，能源的消耗也
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隔离驱动IGBT等功率器件设计所需要的一些技巧
标签：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效应，过载，短路等条件所造成的损害。本在线研讨会介绍了为何光耦栅极驱动
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浅析栅极电阻RG对IGBT开关特性的性能影响
1 前言 用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on
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瑞萨推出13款绝缘栅双极晶体管新品
21ic讯 瑞萨电子公司，日前宣布为其第七代具有业界领先性能的绝缘栅双极晶体管（IGBT）阵列增加13款新产品。新的IGBT包括采用650V电压的RJH/RJP65S系列和采用1250V电压的RJP1CS系列。新的IGBT作为功率半导体器件，用
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国产功率半导体芯片亟待突破
尽管我国拥有国际上最大的功率半导体市场，但是目前国内功率半导体产品的研发与国际大公司相比还存在很大差距，特别是高端器件差距更加明显。功率半导体在产品节能中发挥着巨大的作用。在可预见的将来，无论是水电、
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高能效设计研讨会：聚焦新能源和电力电子应用
2012中国(成都)电子展携手CNT Networks,我爱方案网与China Outlook Consulting将在西部重镇成都和西安两地召开高能效设计技术研讨会（8月16日，成都；8月14日，西安），特别针对新能源和电力电子应用设计，特别是逆变
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各种检测电路工作原理分析
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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各种检测电路工作原理分析
1 电网电压检测、高压检测保护电路 电网电压检测、高压检测保护电路原理如图1 所示。该输入电压与电网电压成正比，单片机以此电压为依据，与内部设定值进行比较，判断工作电压是否在其允许值范围内。若超过允许值
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IGBT在不间断电源中的应用
1.引言在UPS中使用的功率器件有双极型功率晶体管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通电压低，通态电流大的优点、使用IGBT成为UPS功率设计的
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基于IGBT的固态高压脉冲电源的研究与设计
摘要：由于脉冲电源有断续供电的特性，在很多领域都获得了广泛的应用，其中高压脉冲电源是系统的核心组成部分。为了获取高重复频率、陡前沿高压脉冲电源，文中提出了一种基于IGBT的高压脉冲电源，系统主要由高压直流
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基于IGBT的固态高压脉冲电源的研究与设计
摘要：由于脉冲电源有断续供电的特性，在很多领域都获得了广泛的应用，其中高压脉冲电源是系统的核心组成部分。为了获取高重复频率、陡前沿高压脉冲电源，文中提出了一种基于IGBT的高压脉冲电源，系统主要由高压直流
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中低压变频器市场争夺，IGBT等核心器件研发能力成筹码
变频器市场中，高压变频器一直占据重要位置，而低压变频器则增长缓慢，但从2011年起，低压变频器一改低迷态势，以30%加速发展的高姿态呈现出供不应求的局面。我国变频调速技术发展与发达国家相比还不够成熟，中高端变
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富士与英飞凌就IGBT功率模块达成一项协议
5月31日消息，据媒体报道，富士电子有限公司和芯片厂商英飞凌科技股份公司于近日宣布，双方达成一项协议，利用英飞凌的HybridPACK 2功率模块合作开发汽车IGBT功率模块。据悉，此协议是为满足混合动力汽车的功率模块的
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新型IGBT软开关在应用中的损耗分析
本文介绍了集成续流二极管(FWD)的1200V RC-IGBT，并将探讨面向软开关应用的1,200V逆导型IGBT所取得的重大技术进步。IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用&ldquo
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10MW级高压变频器在600MW机组给水系统中的应用
摘 要：本文针对600MW机组锅炉给水系统，应用国产10MW级高压超大功率变频器代替液力耦合器机械调速，提高给水泵系统机械效率、节能降耗的经验进行了积极探讨。通过实践证明：在既有液力耦合器调速的基础上，通过高压
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