MOSFET
-
基于TPS759XX多片信号处理系统的电源设计
以功率因数控制芯片MC33262 为核心,设计了一种宽电压输入范围、固定升压输出的150 W 的AC/ DC 变 换器. 对该变换器用有源功率因数校正(APFC) 技术、MC33262 芯片的原理和结构做了详尽的分析和讨论. 实验结果表明所设计的以MC33262 为核心的有源功率因数校正器能在95～250 V 的宽电压输入范围内得到非常稳定的400 V 直流电压输出,并使得功率因数达到0. 99 以上,总谐波畸变降低至6 %.
-
半导体激光管(LD)的电源设计
半导体激光管(LD)和普通二极管采用不同工艺，但电压和电流特性基本相同。在工作点时，小电压变化会导致激光管电流变化较大。此外电流纹波过大也会使得激光器输出不稳定。二极管激光器对它的驱动电源有十分严格的要求
-
150V MOSFET器件FDMS86200（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较
-
150V MOSFET器件FDMS86200（飞兆）
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和优化品质因数(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以满足DC-DC设计人员对具有较
-
采用高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
-
半导体激光管驱动电源设计与实现
为提高半导体激光器光功率输出稳定性，并保证激光器安全、可靠工作，设计了半导体激光器的驱动电源。驱动电源主电路采用同步DC／DC方式，输出效率高；驱动电路可以产生200 kHz触发脉冲，降低了输出电流的纹波，保证激光器输出功率稳定；驱动电路带有过压比较器及过流比较器，保证激光器安全工作。经过仿真和实验表明：该驱动电源在20 A工作时效率达到85％以上，纹波小于5％。
-
采用高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
-
采用高压背光逆变器改善液晶电视性能
数字电视在全球范围的应用，让消费者体验到以往CRT电视所没有的高分辨率。液晶电视则是发挥数字电视优势的下一代家电设备。因而消费者正不断需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、价格更低的电视机。采用高压背
-
月产能全满载 元隆将亏转盈
中小尺寸晶圆代工厂元隆电子总经理陈弘元表示，元隆6吋厂产能已全部满载，由于今年包括金属氧化物半导体场效晶体管（MOSFET）等模拟IC需求强劲，下半年已陆续与客户洽谈调涨报价事宜。 元隆完成减资及私募后，
-
高能效同步稳压器（安森美半导体）
安森美半导体(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步稳压器新系列，应用于消费电子，如机顶盒(STB)、数字视盘(DVD)/硬盘驱动器、液晶显示器/液晶电视、免提电话、线缆调制解调器和电信/数据通信设备。 N
-
Vishay改进ThermaSim在线MOSFET热仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进，为设计者提供更好的仿真精度、效率和用户友好度。Vishay的ThermaSim是一个免费工具，可让设计者在制造原型前，对器件进行细
-
功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
-
Vishay改进ThermaSim在线MOSFET热仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，对其ThermaSim在线MOSFET热仿真工具进行了改进，为设计者提供更好的仿真精度、效率和用户友好度。Vishay的ThermaSim是一个免费工具，可让设计者在制造原型前，对器件进行细
-
功率半导体行业的春天
功率半导体下游需求旺盛，发展前景看好。随着全球经济复苏势头增强，iSuppli公司预测2010年半导体市场营业收入为2833亿美元，增长率达到23.2%. MOSFET市场前景广阔。2007年全球MOSFET的销售额大约为52.89亿美元，
-
意法半导体（ST）发布突破性功率封装，扩大 MDmesh™ V MOSFET晶体管的功率密度优势
意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh™ V功率MOSFET技术的功率密度。 在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小
-
意法半导体（ST）发布突破性功率封装，扩大 MDmesh™ V MOSFET晶体管的功率密度优势
意法半导体推出一款先进的高性能功率封装，这项新技术将会提高意法半导体最新的MDmesh™ V功率MOSFET技术的功率密度。 在一个尺寸仅为8x8mm的无引脚封装外壳内，全新1mm高的贴装封装可容纳工业标准的TO-220大小
-
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中，通常包括单脉冲雪崩能量EAS，雪崩电流IAR，重复脉冲雪崩能量EAR等参数，而许多电子工程师在设计电源系统的过程中，很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系，如何在实际的应用中评
-
为节能式电源选择正确的拓扑
世界各地有关降低电子系统能耗的各种倡议，正促使单相交流输入电源设计人员采用更先进的电源技术。为了获得更高的功率级，这些倡议要求效率达到87% 及以上。由于标准反激式 (flyback) 和双开关正激式等传统电源拓扑都
-
恩智浦发布符合汽车工业标准的LFPAK封装功率SO-8MOSFET系列
恩智浦半导体4月23日发布了符合汽车行业Q101标准的LFPAK封装（紧凑型热增强无耗封装）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技术，面积比DPAK封装减小了46%，热性能与DPAK封装近似。 主要特点为：LFPAK封装利用铜
-
英飞凌Q2业绩劲升，携手飞兆推动MOSFET封装标准化
英飞凌科技于近日宣布，2009/10财年第二季度公司营收额预计将环比增长约10%，与此同时，英飞凌还预计在刚结束的这个季度，公司分部利润率有望达到10%以上。 在本财年第三季度，英飞凌预计公司营收将取得持续增长，
sunrisechip
qq3453539242
lmlj0502
snowsword
mcu430
Testtof
xscc
lingcoln
wangyin2111
heg77
kslwzzl
jhcj2014
jhcj2014
huazai123456
漫漫游之游
verifone
knight_21ic
yangling1011go
buaahjm
WZQ3
