MOSFET
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为节能式电源选择正确的拓扑
世界各地有关降低电子系统能耗的各种倡议，正促使单相交流输入电源设计人员采用更先进的电源技术。为了获得更高的功率级，这些倡议要求效率达到87% 及以上。由于标准反激式 (flyback) 和双开关正激式等传统电源拓扑都
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恩智浦发布符合汽车工业标准的LFPAK封装功率SO-8MOSFET系列
恩智浦半导体4月23日发布了符合汽车行业Q101标准的LFPAK封装（紧凑型热增强无耗封装）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技术，面积比DPAK封装减小了46%，热性能与DPAK封装近似。 主要特点为：LFPAK封装利用铜
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英飞凌Q2业绩劲升，携手飞兆推动MOSFET封装标准化
英飞凌科技于近日宣布，2009/10财年第二季度公司营收额预计将环比增长约10%，与此同时，英飞凌还预计在刚结束的这个季度，公司分部利润率有望达到10%以上。 在本财年第三季度，英飞凌预计公司营收将取得持续增长，
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上海华虹NEC介绍
上海华虹NEC成立于1997年7月，资本额为9亿美元，是大陆第1家8吋晶圆厂，目前拥有2条8吋生产线，月产能8.5万片，客户遍及大陆、台湾、南韩、日本以及美国等。 上海华虹NEC的Power MOSFET和分离件组件(Discrete)制程
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业界最全无损耗封装（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列产品隆重登场
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）近日成为首个发布以LFPAK为封装（一种紧凑型热增强无损耗的封装）全系列汽车功率MOSFET的供应商。结合了恩智浦在封装技术及TrenchMOS技术方面的优势和经验，新的符合Q101标准的LF
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内置28V MOSFET双向过流保护器MAX14544/MAX14545（Maxim）
Maxim推出内置28V MOSFET的双向过流保护器MAX14544/MAX14545，有效避免主机因过载故障和/或输出过压而损坏。器件本身的集成功能，结合开关断开状态下输出端较高的耐压能力，使其成为外设供电端口保护的理想选择。目标
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新型25V芯片组IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF （IR）
国际整流器公司（IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR
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新型25V芯片组IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF （IR）
国际整流器公司（IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片组，为 12V 输入同步降压应用 (包括服务器、台式电脑和笔记本电脑) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片组不但采用了 IR
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坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
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坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
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坚固耐用、具有低导通电阻的汽车用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系列，适用于需要低导通电阻的各种应用，包括电动助力转向系统 (EPS) 、集成式起动发电机 (ISA) 泵
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MOSFET与MOSFET驱动电路原理及利用
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非所有原创。包含 MOS管的推选 ，特征，驱动以及运用 电路。 在运用 MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会思虑 M
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RS推出1200种三洋半导体产品
S Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online渠道推出三洋（SANYO）半导体公司的1200类半导体产品。此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导
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半桥拓扑结构高端MOSFET驱动方案选择：变压器还是硅芯片？
在节能环保意识的鞭策及世界各地最新能效规范的推动下，提高能效已经成为业界共识。与反激、正激、双开关反激、双开关正激和全桥等硬开关技术相比，双电感加单电容(LLC)、有源钳位反激、有源钳位正激、非对称半桥(AH
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3.3x3.3mm MLP封装的25V MOSFET FDMC7570S(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能，并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列，可应对工业、计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战。FDMC7570S是采用3m
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RS推出1200种三洋半导体产品
S Components于今日宣布，通过其在线目录RS Online渠道推出三洋（SANYO）半导体公司的1200类半导体产品。此次推出的产品中，除了有采用三洋半导体独自技术达成的用于电源电池管理的MOSFET系列(具有业界最高水准的低导
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适用于ORing和电机驱动应用的PQFN封装MOSFET（IR）
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅技术，是该公司首批采
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超薄PowerTrenchN沟道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用
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超薄PowerTrenchN沟道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机、便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求，推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，这两款器件使用
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BUCK电路拓扑
BUCK电路拓扑T是全控元件(GTR,GTO,MOSFET,IGBT)，当时，T导通。 D：续流二极管。 L和C组成LPF。二、工作原理四、假设及参数计算 1.T，D均为理想器件 2.L较大，使得在一个周期内电流连续且无内阻 3.直流输出电压
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火焰舞者
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