与DRAM内存不同,NAND在断电后也能够储存数据。闪存断电时,浮栅晶体管 (FGT) 的金属氧化物半导体会向存储单元供电,保持数据的完整性。NAND单元阵列存储1到4位数据。
据统计,随着Intel闪存业务被SK海力士收购,韩国企业三星+SK海力士合计占市场份额已经超过50%。
新闻概要 公司全球首发238层 512Gb TLC 4D NAND闪存,将于明年上半年投入量产 成功研发层数最高,面积最小的NAND闪存,并显著改善生产效率、数据传输速度、功耗等特性 "公司将持续创新并不断突破技术瓶颈" 韩国首尔2022...
(全球TMT2022年8月3日讯)SK海力士于8月3日宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存。SK海力士向客户发送了238层 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。 图1...
颠覆性技术的深远影响从根本上改变了人们的生活、工作和娱乐方式
据韩媒thelec报道,华为方面计划采购NAND闪存晶圆,自行完成测试封装工序,已为此筹建相关设施,或将于下半年开始量产。
(全球TMT2021年12月30日讯)SK海力士宣布,已于12月30日圆满完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段。继12月22日获得中国国家市场监督管理总局的批准后,SK海力士完成了第一阶段的后续流程,包括从英特尔接管SSD业务及其位于中国大连NAND闪存制造厂的...
SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了,它们代表了每个单元能够存储的比特数据,密度越来越高,容量越来越大,当然可靠性、寿命越来越低。
(全球TMT2021年10月12日讯)嵌入式存储解决方案全球领导者SkyHigh Memory Limited将在其NAND闪存系列中推出3.0V 1Gb-4Gb密度4KB页面和2KB页面ML-3产品。全新的1Gb-4Gb ML-3 SLC NAND闪存产品系列设备的设...
(全球TMT2021年8月5日讯)面向物联网(IoT)、移动和汽车SoC的半导体IP提供商Arasan Chip Systems宣布立即提供符合开放Nand闪存接口(ONFI)5.0规范的N
长江存储科技有限责任公司128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070),已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。作为业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,长江存储X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量①。此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号:X2-9060),以满足不同应用场景的需求。
8月17日消息,据国外媒体报道,研究机构不久前曾预计,DRAM和NAND闪存这两大存储芯片的销售额,今年均会有上涨,后者的同比增长率预计会达到27%。 但与销售额同比增长不相匹配的是,目前的存储芯片
8月10日消息,据国外媒体报道,今年众多行业都受到了影响,需求明显下滑,5G智能手机处理器、NAND闪存、DRAM等半导体产品虽然并未受到影响,但在集成电路领域的产品类别中,多数都受到了影响,大部分产
8月13日消息,据国外媒体报道,受疫情影响,众多产品的市场需求都有不同程度的下滑,智能手机等电子产品也不例外,也影响到了存储产品的市场需求,已经出现了供应过剩的情况。 而存储模组供应商宇瞻的总经理张
8月4日消息,据国外媒体报道,研究机构预计,销售额在去年大幅下滑的NAND闪存,在今年将大幅增长,同比增长率将达到27.2%,销售额将达到560.07亿美元。 从研究机构的预计来看,在集成电路的33
6月17日消息,据国外媒体报道,在索尼和微软将推出的新一代游戏机的推动下,游戏主机对闪存的需求也将增加,产业链人士预计游戏主机对闪存的需求在今年三季度将回升。 索尼新一代游戏主机PS5 产业链人士表
2019年9月2日,中国武汉,紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司(以下简称“长江存储”) 在IC China 2019前夕宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256 Gb T
目前的内存技术以DRAM与NAND闪存为主流,但DRAM的读写速度快无法长时间储存数据;NAND Flash能保存数据, 但读写速度不佳。同时兼具运算、储存能力的下世代内存,如磁阻式内存(MRA
物联传媒本文作者:露西本文绘图:市大妈无处不在的物联网设备将产生庞大的数据,但问题在于是否保留所有数据,如果保留,数据将存储在哪里?相比云计算存储在过去几年中成为目标,如今正在有越来越多的观点认为应该转向布局本地存储和边缘存储,因为不是所有数据需要上云,并且时延要求较高的场景,比...
网易科技讯 4月13日消息,长江存储今日在官网宣布其128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。 长江存储表示,X2-6070是业