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全球第一：海力士量产16nm 8GB闪存颗粒
韩国SK海力士今天宣布，已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今最先进的闪存制造工艺。其实早在今年六月，海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存，最近投产的则是第二版，芯片尺寸更小，
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SK海力士开始量产64GB 16纳米NAND闪存芯片
根据韩国内存芯片制造商SK海力士消息，公司已经开始大规模批量生产64GB 16nmMLCNAND闪存芯片。公司表示，SK海力士的16nmNAND闪存已于6月进入第一版本的批量生产，最近已开始第二版本的大规模生产。由于芯片尺寸
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SK海力士开始量产64GB 16纳米NAND闪存
元器件交易网讯 11月20日消息，根据韩国内存芯片制造商SK海力士消息，公司已经开始大规模批量生产64GB 16nm MLC NAND闪存芯片。公司表示，SK海力士的16nm NAND闪存已于6月进入第一版本的批量生产，最近已开始第二版本
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东芝推出采用19纳米工艺技术的嵌入式NAND闪存模块
东芝公司（Toshiba Corporation, TOKYO:6502）今天宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的e?MMCTM [1]标准，旨在应用于智能手机、平板电脑和数字摄
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东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块
21ic讯 东芝公司今天宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。该模块符合最新的e･MMCTM [1]标准，旨在应用于智能手机
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东芝公布上半年财报：NAND闪存创最高营业利润记录
讯：东芝2013年10月30日发布了2013财年上半年（2013年4～9月）的合并财报。销售额同比增加13％，为30392亿日元，营业利润同比增加54％，为1056亿日元，实现大幅增益。其中，NAND闪存所属的电子元器件部门业绩尤
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东芝2013财年上半年大幅增益，NAND闪存业绩喜人
东芝2013年10月30日发布了2013财年上半年（2013年4～9月）的合并财报。销售额同比增加13％，为30392亿日元，营业利润同比增加54％，为1056亿日元，实现大幅增益。其中，NAND闪存所属的电子元器件部门业绩尤其出色，“
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为嵌入式应用选择 实现NAND闪存海量存储
在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量存储密度。NAND
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未来闪存价格趋势大预测
闪存的技术发展已经迈入了一个新的台阶，比如堆叠式3D NAND芯片将在未来四年内成为闪存芯片市场上的主流方案。等到这些技术的量产，能在一定程度上降低闪存价格，同时随着大数据时代的到来，人们对于闪存的需求也促进
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未来闪存价格趋势大预测
讯：闪存的技术发展已经迈入了一个新的台阶，比如堆叠式3D NAND芯片将在未来四年内成为闪存芯片市场上的主流方案。等到这些技术的量产，能在一定程度上降低闪存价格，同时随着大数据时代的到来，人们对于闪存的
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闪存技术新起点：三星3D V-NAND技术解析
三星这两年已经是全球最大的NAND供应商，不仅生产能力强大，技术实力也是顶级的。本月初宣布量产世界首款3D垂直闪存V-NAND，月中就有相关的企业级V-NAND闪存发布了。海力士、SanDisk、美光、东芝等其他NAND厂商也有各
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只对高端，三星推首款3D垂直NAND闪存技术SSD
在硬盘厂商之间的较量中，比拼的不仅仅是性能参数上的快速，对于推出新技术、新产品的速度也同样要追求一个“快”字。 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产
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三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND
三星电子在存储技术上的领先的确无可匹敌，今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头，3D堆叠已经成了潮流，处理器、内存
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三星宣布量产全球首个3D垂直闪存V-NAND
三星电子继续确立在存储技术上的领先地位，今天又宣布已经批量投产全球第一个采用3D垂直设计的NAND闪存“V-NAND”。这年头，3D堆叠已经成了潮流，处理器、内存什么的都要堆起来。三星的V-NAND单颗芯片容量
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NAND闪存第一季度意外出现短缺
21ic讯 据IHS公司的移动与嵌入存储市场追踪报告，今年第一季度中国低端智能手机的需求大增，让内存供应商措手不及，刺激了NAND闪存市场的增长并导致其出现供应短缺。第一季度NAND闪存出货量为87亿个(1GB当量)，高于去
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三星第一季NAND闪存销售额突破20亿美元
据市场调研机构iSuppli于7日公布的统计数据，三星电子今年第一季度NAND闪存销售额达到20.32亿美元。该公司单季度的NAND闪存销售额超过20亿美元是2011年第三季度以来的首次。三星在NAND闪存市场的份额达38.5%，稳居第
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东芝将于今年八月激活Fab 5新厂 用于3D NAND闪存生产
东芝公司(Toshiba)宣布将在今年八月激活位于日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程，准备增加NAND闪存的制造产能，同时转移至3D NAND生产。这项工程预计将在2014年夏天完成，东芝强调，目前尚未决定任何设备投资等
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中国厂商成全球芯片行业增长新引擎
重新掌握主动随着中国低端智能手机和平板电脑的需求激增，以及华为等中国移动设备厂商的强势崛起，东芝、SKHynix等亚洲存储芯片厂商有望从这种趋势中获得重要回报。中国目前已取代美国，成为全球第一大智能手机市场。
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东芝Fab 5新厂激活用于3D NAND闪存生产
东芝公司(Toshiba)宣布将在今年八月激活位于日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程，准备增加 NAND 闪存的制造产能，同时转移至 3D NAND 生产。 这项工程预计将在2014年夏天完成，东芝强调，目前尚未决定任何设备
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赚翻了！本季度闪存供应依然供不应求
根据行业观察家表示，由于需求旺盛，智能手机、平板电脑、固态硬盘在服务器和大型数据中心越来越多地被采用，2013年第三季度，全球NAND闪存供应仍将偏紧。 供应持续紧张，将进一步推高NAND闪存芯片价格，在第三季度
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