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NAND闪存市场市况平稳 合约价有望触底
NAND闪存（Flash）合约价12月上旬缓慢下跌，内存模块厂认为，短期将出现回调，12月底将可望触底，明年元月间随着中国农历年前的备货需求来到，有机会出现价格止跌反弹。市场研究机构DRAMeXchange调查显示，12月上旬N
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存储巨头美光第一财季净亏损2.7亿美元
北京时间12月21日早间消息，美国第一大存储芯片制造商美光科技周四发布了其2013财年第一财季财报。由于PC市场需求不振导致供大于求，打压了存储芯片价格，美光科技当季净营收18.3亿美元，同比下滑12%;净亏损从去年同
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NAND Flash合约价月底可望触底
NAND闪存（Flash）合约价12月上旬缓慢下跌，内存模块厂认为，短期将出现回调，12月底将可望触底，明年元月间随着中国农历年前的备货需求来到，有机会出现价格止跌反弹。市场研究机构DRAMeXchange调查显示，12月上旬N
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NAND闪存市场第三季度表现亮丽
据IHS公司的闪存市场简报，NAND闪存市场在第三季度成功扭转颓势，需求改善和厂商大幅削减产量，使需求更加平衡。NAND营业收入从第二季度的43亿美元上升到45亿美元，增长5%。行业整体营业利润从1.592亿美元上升到3.50
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NAND闪存要“长生不老”：测试1亿次循环挂不了
固态硬盘普及了，随之而来的可靠性和寿命问题越发引人关注，特别是随着NAND闪存工艺的进步，反而越来越不耐用了：MCL NAND闪存再25nm时代还有3000-5000次的编程/擦写循环(P/E)，20nm时代就只有3000次了
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无限擦写循环？Macronix新闪存技术
固态硬盘普及了，随之而来的可靠性喝寿命问题越发引人关注，特别是随着NAND闪存工艺的进步，反而越来越不耐用了：MCL NAND闪存再25nm时代还有3000-5000次的编程/擦写循环(P/E)，20nm时代就只有3000次了，TLC规格的更
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NAND欲闪存一统江山面临的难题
虽然新的NVM技术将成为未来几年的主流，但NAND闪存不太可能“一统江山”，因为新的NVM介质可能需要几年的时间才能匹配NAND闪存的价格。NAND闪存所面临的困境是由于技术方面的限制。随着技术的不断发展，厂商正不断缩
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卖得好就涨价 智能机闪存芯片迎来旺季
据台湾媒体报道，由于智能机领域对闪存芯片的需求量激增，世界前四大闪存芯片供应商，三星电子、东芝、SanDisk及SK Hynix可能会提高其产品价格。到11月中旬，其价格涨幅可能将达10-15%。业内消息称，由于苹果iPhone
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卖得好就涨价 智能机闪存芯片迎来旺季
据台湾媒体报道，由于智能机领域对闪存芯片的需求量激增，世界前四大闪存芯片供应商，三星电子、东芝、SanDisk及SK Hynix可能会提高其产品价格。到11月中旬，其价格涨幅可能将达10-15%。业内消息称，由于苹果iPhone
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智能机闪存芯片需求激增 4大供应商考虑涨价
9月21日消息，据台湾媒体报道，由于智能机领域对闪存芯片的需求量激增，世界前四大闪存芯片供应商，三星电子、东芝、SanDisk及SK Hynix可能会提高其产品价格。到11月中旬，其价格涨幅可能将达10-15%。 业内消息称，由
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智能机闪存芯片需求激增 4大供应商考虑涨价
9月21日消息，据台湾媒体报道，由于智能机领域对闪存芯片的需求量激增，世界前四大闪存芯片供应商，三星电子、东芝、SanDisk及SK Hynix可能会提高其产品价格。到11月中旬，其价格涨幅可能将达10-15%。 业内消息称，由
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三星在华存储芯片项目开建 抢占中国市场份额
三星电子将发力抢占中国存储芯片市场。9月12日，三星电子宣布，位于中国大陆西安的10nm级NAND型闪存(NANDFlash)制造厂将会开始动工，预期可在2013年底兴建完成，并于2014年起开始投产。三星电子指出，新成立的三星(中
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美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%
据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报，第二季度美国内存生产商美光的NAND闪存市场份额超过20%，这是其七年前进入该市场以来的首次，受益于竞争对手东芝表现不佳等有利因素。第二季度美光的NAND市场份额是20.7%，排名
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美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%
据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报，第二季度美国内存生产商美光的NAND闪存市场份额超过20%，这是其七年前进入该市场以来的首次，受益于竞争对手东芝表现不佳等有利因素。第二季度美光的NAND市场份额是20.7%，排名
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美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%
21ic讯 据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报，第二季度美国内存生产商美光的NAND闪存市场份额超过20%，这是其七年前进入该市场以来的首次，受益于竞争对手东芝表现不佳等有利因素。第二季度美光的NAND市场份额是2
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IBM重大技术突破 能耗低于NAND闪存技术
根据Computerworld网站报道，IBM研究人员在自旋电子学领域（“自旋迁移电子学”的简称）取得了重大技术突破，能够利用电子在磁场内的自旋并结合读写头，在半导体材料上记录和读取数位数据，可以将电子自旋周期延长30
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IBM重大技术突破 能耗低于NAND闪存技术
根据Computerworld网站报道，IBM研究人员在自旋电子学领域（“自旋迁移电子学”的简称）取得了重大技术突破，能够利用电子在磁场内的自旋并结合读写头，在半导体材料上记录和读取数位数据，可以将电子自旋周期延长30
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为嵌入式应用选择、实现NAND闪存海量存储
标签：NAND POS在嵌入式应用中，海量存储密度正在以前所未有的速度增长。像便携式媒体播放器、蜂窝电话、数码相机、便携式导航设备、无线网卡、闪盘这样的消费产品由于需要处理越来越多的多媒体内容而要求更高的海量
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东芝将下调NAND闪存芯片30%产能
7月24日消息，据路透社报道，东芝公司周二称，将下调NAND闪存芯片30%产能。这凸显了芯片市场供应状况的挑战性，该公司的股价也因而出现下挫。东芝表示，由于U盘和存储卡的芯片供过于求，它将削减其在日本西部的四日市
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东芝将下调NAND闪存芯片30%产能
7月24日消息，据路透社报道，东芝公司周二称，将下调NAND闪存芯片30%产能。这凸显了芯片市场供应状况的挑战性，该公司的股价也因而出现下挫。东芝表示，由于U盘和存储卡的芯片供过于求，它将削减其在日本西部的四日市
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