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三大因素影响，明年Q1 NAND闪存价格将再降10%
中美贸易冲击升温、英特尔CPU缺货、苹果新机出货量不如预期等3大因素冲击，造成NAND Flash旺季不旺，展望明年上半年供过于求的情况恐更加显著，价格跌势难止，预估第1季NAND合约价将再进一步走跌，跌幅约10%。
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美光发布2019财年Q1财报，暴利时代一去不复返！
美光公司今天发布了截至11月29日的2019财年Q1季度财报，当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。
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明年存储芯片价格大降价：NAND闪存降45%、内存降30%：
花旗给出的预测显示明年NAND闪存会降价45%，DRAM内存则会跌30%，而且Q2季度之前是看不到价格底线的。
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SSD售价低至7毛每GB，还将持续下降！
据一些分析师称，2019年NAND闪存可能会降至0.08美元/千兆字节，而三星的QLC驱动器等替代产品可能会进一步推动这一趋势。
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内存结束狂涨价时代！价格10月份跌了10% 2019年还要再跌20%
从2016年下半年开始，全球存储芯片进入了新一轮的旺季，DRAM内存、NAND闪存价格从那时候起大幅上涨，一直持续到2018年。如今NAND闪存价格今年已经暴跌了，彻底扭转了价格走势，而DRAM内存一
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赛普拉斯与海力士携手组建NAND闪存合资公司
赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)日前宣布，与海力士半导体公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合资公司。协议约定在前五年中，合资公司将生产及销售赛普拉斯现有的SLC NAND闪存系列产品，并将继续投资于下一代NAND产品。合资公司总部设立在香港，海力士与赛普拉斯将分别持有60%与40%的股份。
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赛普拉斯与海力士携手组建NAND闪存合资公司
全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)(纳斯达克代码：CY)日前宣布，与海力士半导体公司(SK hynix system ic, Inc.)成立合资公司。协议约定在前五年中，合资公司将生产及销售赛普拉斯现有的SLC NAND闪存系列产品，并将继续投资于下一代NAND产品。合资公司总部设立在香港，海力士与赛普拉斯将分别持有60%与40%的股份。
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赛普拉斯公布2018年第三季度财报
全球领先的嵌入式解决方案供应商赛普拉斯半导体公司(Cypress Semiconductor Corp.)(纳斯达克代码：CY)发布2018年第三季度财报，亮点如下：
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三年了，PC内存的涨价终于到头了！
2016年以来，存储芯片价格持续上涨，今年已经是第三个年头。虽然NAND闪存、SSD等产品已经有所回落，但内存依然没有下跌势头。不过，业内普遍预测，到今年第四季度，内存的涨价终于到头了。日前，集邦咨询
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三星/SK海力士推迟3D NAND闪存芯片产能扩充，需求增长乏力
内存价格已经连续上涨两年多，业内普遍预测到今年第四季度将逐步回归正常，但还没来得及兴奋，坏消息就来了。据台湾媒体援引业内消息称，三星电子、SK海力士都计划推迟工厂扩建、产能扩充计划，原因是客户需求正在
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傲腾能否取代NAND闪存？英特尔：还是谈谈QLC闪存取代HDD硬盘吧
在高端存储芯片上，英特尔还有3D XPoint闪存/傲腾硬盘，那么傲腾能不能取代NAND闪存，同时变得更廉价呢?英特尔官方没有直接回答这个问题，不过倒是谈起了QLC闪存取代HDD硬盘，言外之意就是傲腾廉价真不是容易的事。
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如何从NAND 闪存中实现U-BOOT的启动？
随着嵌入式系统的日趋复杂,它对大容量数据存储的需求越来越紧迫。而嵌入式设备低功耗、小体积以及低成本的要求,使硬盘无法得到广泛的应用。NAND闪存 设备就是为了满足这种需求而迅速发展起来的。目前关于U-BOOT的移植解决方案主要面向的是微处理器中的NOR 闪存，如果能在微处理器上的NAND 闪存中实现U-BOOT的启动，则会给实际应用带来极大的方便。
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押注存储业务，英特尔中国大连二期工厂投产：主产96层3D NAND闪存
英特尔公司三年前宣布将中国大连的Fab 68晶圆厂改造为NAND工厂，总投资55亿美元，现在二期工厂已经投产了，主要生存96层堆栈的3D NAND闪存。
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独占鳌头!三星在全球半导体市场的销售额较英特尔高出22%
8月21日，调研公司IC Insights发布报告称，由于DRAM和NAND闪存需求的持续增长，今年上半年三星电子在全球半导体市场的销售额较英特尔高出22%，而一年前的该比例仅为1%。
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2019年内存芯片产业总价值预计将达1016亿美元 占全年整个IC行业的多达24%
这两年DRAM内存、NAND闪存行业的疯狂激荡大家都看在眼里。内存尤其夸张，价格持续飙升。闪存方面倒是基本稳定了，但市场需求持续异常旺盛。两大行业空前火热，从业者自然也是赚得盆满钵满。根据市调机构IC Insight的最新报告，2018年全球前DRAM内存芯片产业总价值预计将达1016亿美元，年增幅高达39%，继续稳居第一，占全年整个IC行业的多达24%。
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三星正式宣布开始批量大规模生产第五代V-NAND闪存芯片
与前一代产品达到1.4Gbps的峰值相比，新一代产品使存储和RAM之间的传输速度提高了40%。但随着更好的性能，电压从1.8V降至1.2V。
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Q3季度NAND闪存价格还会继续下滑
在过去的两年中，DRAM、NAND闪存都有持续将近两年的涨价，不过NAND闪存今年初开始降价，主要原因是2017年底四大NAND厂商的64层3D NAND闪存解决良率问题，产能迅速增长，今年以来市场已经是供过于求。Digitimes援引业界消息称Q3季度NAND生产商还会继续转向更先进的生产技术来扩大产量，闪存供应在Q3季度还会继续增长。
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多灾多难！无锡SK海力士再次突发火灾
6月5日晚间有消息称，位于无锡的SK海力士工厂突然发生火灾。据悉，发生火灾的是无锡海力士正在建设的第二工厂项目，目前受灾情况尚不明朗。
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美光与英特尔达成协议 生产最强劲的3D NAND闪存芯片
光科技近期不断为股东送出大礼包，此前它宣布，将从明年起把至少50%的自由现金流返还给股东。 另外，美光还宣布与英特尔达成协议，生产并交付全球性能最强劲的3D NAND闪存芯片。
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慧荣科技发布首款有企业级数据保护功能的PCIe NVMe单芯片 SSD存储解决方案
在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(Silicon Motion Technology Corporation, 纳斯达克交易代码: SIMO)近日发布了最新一代的支持PCIe Gen3 NVMe 1.3的FerriSSD®单芯片固态硬盘家族，新产品系列包含支持PCIe Gen3 x4 的SM689及支持PCIe Gen3 x 2的SM681，其连续读取速度最高达到1.45GB/s, 连续写入速度最高达到650MB/s, 大幅提升SSD和主处理器之间
