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东芝开始提供业内首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND闪存模块的样品出货
符合JEDEC UFS 2.0版本标准的嵌入式存储器将高达64GB的NAND和控制器融合于单一封装内东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，即日起开始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本标准的32GB和64GB嵌入式NAND闪存模块的样品
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业界高层预言关于NAND闪存市场的8大趋势
在近日于美国举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上，一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中，SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告，NA
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东芝开始生产15nm工艺的MLC NAND闪存芯片
半导体行业的闪存制造工艺进步除了意味着用户能够获得更好的存储性能，同时也意味着SSD固态存储设备价格的下降。过去几年中SSD的降价幅度还是颇大的，目前最便宜的固态存储
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更快：15纳米制程NAND闪存芯片即将量产
东芝和SanDisk公司共同开发并即将量产世界上第一批15纳米制程技术的NAND闪存芯片，数据传输率比前代19纳米制程快1.3倍，将广泛应用在智能手机和平板电脑领域。对用户来说，低成本结构的杀伤力不容小觑。东芝还表示将
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闪迪东芝发布15nm闪存芯片，提速30%
半导体有多种类型，又有不同容量、速度和作用，但最广泛使用最常见的是NAND闪存（Flash），因此针对此类芯片的任何一次进步都有可能影响到各个行业。日前，SanDisk和东芝宣布，已经完成了迄今为止全球最
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美光NAND闪存和DRAM技术创新获SI认可
美光科技有限公司今天宣布，美光的32Gb、34纳米NAND闪存和1Gb、50纳米DRAM创新技术获得Semiconductor Insights公司(简称SI公司)认可，进入SI第八届Insight 年度大奖的最终
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NAND闪存蚕食DRAM地盘 处理器主板或搭闪存用的总线
在固态硬盘(SSD)正被市场疯狂采用的此时，我知道这个标题感觉不太礼貌，但这种装置只能说是产业界着眼于闪存(flash)的永久储存性──也就是储存的数据即使在装置断电后仍能有效保存，又称作“非挥发性(nonvolat
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内存技术更新至少还得再等十年
很少人会想到 NAND快闪内存已经快要消失在地平在线、即将被某种新技术取代，笔者最近参加了一场IBM/Texas Memory Systems关于闪存储存系统的电话会议，听到不少储存系统专家试图把对话导引到IBM在下一代内存技术的规
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基于ClearNAND闪存的系统设计改进方案
自问世以来，NAND闪存对ECC(纠错码)纠错能力的要求越来越高。虽然这不是一个新问题，但是支持最新的多层单元(MLC)架构和每单元存储三位数据(three-bit-per-cell)技术所需的
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东芝开发出最快的嵌入式NAND闪存模块设备控制器
东京—东芝公司2014年2月25日宣布，该公司已经开发出全球最快的符合JEDEC固态技术协会(JEDEC)制定的通用闪存存储(UFS)Ver.2.0和UFS统一存储器扩展(UME)Ver.1.0标准的嵌
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为eMMC5.0而生，闪迪新款iNAND闪存亮相
2月24日，闪迪推出首款128G TF卡，刷新了TF卡的存储记录。除此TF卡外，闪迪在MWC2014大会上还带来新一代iNAND Extreme至尊级eMMC闪存存储卡，支持eMMC5.0接口，高达300MB/s的读取速度，提升了I/O性能。
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2013年半导体市场的输家和赢家
【导读】全球半导体市场营收在经历了2012年下滑2.5%之后，在2013年增长近5%，有所恢复， 这要归功于存储领域的强劲表现。根据IHS初步估算，2013年全球半导体销售额从2012年的3029亿美元增长4.9%，来到3179亿美元。
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三星850引路：2T民用SSD不是梦，价格颤抖
三星的高端SSD产品线自2012年的840 Pro发布之后就再也没有得到更新了，只是在去年初的时候将低端的840升级到了840 EVO系列，除此以外就再无动作。 CES2014大展即将召开，三星也参与了本次展会，国外媒体
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半导体行业三巨头激战后20nm微细化
“半导体奥运会”的主角将重返赛场。在2014年2月9～13日于美国举办的“InternationalSolid-StateCircuitsConference（ISSCC）2014”上，世界最大的半导体企业美国英特尔公司将沉寂两年后再次发表论文，介绍已于2013年
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半导体行业三巨头激战后20nm微细化
“半导体奥运会”的主角将重返赛场。在2014年2月9～13日于美国举办的“InternationalSolid-StateCircuitsConference（ISSCC）2014”上，世界最大的半导体企业美国英特尔公司将沉寂两年后再次发表论文，介绍已于2013年
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半导体行业三巨头激战后20nm微细化
“半导体奥运会”的主角将重返赛场。在2014年2月9～13日于美国举办的“InternationalSolid-StateCircuitsConference(ISSCC)2014”上，世界最大的半导体企业美国英特尔公司将沉寂两年后再次发表论文，介绍已于2013年中
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半导体行业三巨头激战后20nm微细化
“半导体奥运会”的主角将重返赛场。在2014年2月9～13日于美国举办的“International Solid-State Circuits Conference（ISSCC） 2014”上，世界最大的半导体企业美国英特尔公司将沉寂两年后再次发表论文，介绍已于2
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东芝推出采用19纳米第二代工艺技术的新型嵌入式NAND闪存模块
新产品符合JEDEC e·MMC™ 5.0版标准东芝公司宣布推出新型嵌入式NAND闪存模块(e·MMC)，该模块整合了采用19纳米第二代工艺技术制造的NAND芯片。同时该模块符合最新的e·MMC™[1]标准，旨
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海力士量产全球最先进闪存颗粒 明年将再更新
韩国SK海力士今天宣布，公司已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今最先进的闪存制造工艺。其实早在今年六月，海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存，最近投产的则是第二版，芯片尺寸更
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全球第一：海力士量产16nm 8GB闪存颗粒
韩国SK海力士今天宣布，已经开始大规模量产16nm工艺的64Gb(8GB) MLC NAND闪存颗粒，这也是当今最先进的闪存制造工艺。其实早在今年六月，海力士就量产了第一版的16nm NAND闪存，最近投产的则是第二版，芯片尺寸更小，
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