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NAND闪存将面临更大降价压力
【导读】NAND闪存将面临更大降价压力 分析师警告称，IM Flash Technologies LLC兴建一家新厂的举动，可能延长NAND闪存市场面临价格压力的时间。英特尔和美光日前表示，它们已决定在新加坡兴建其用于生产NAND
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DRAM芯片价格强劲攀升，海力士第四季利润同比激增166%
【导读】DRAM芯片价格强劲攀升，海力士第四季利润同比激增166% 据报道，尽管去年第四季度NAND闪存销售疲软，平均销售价格下跌，但DRAM储存产品的价格持续强劲攀升。导致韩国海力士(Hynix)四季度的利润比三季度增
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东芝乐观估计后市NAND闪存需求可望在2007下半年复苏
【导读】东芝乐观估计后市NAND闪存需求可望在2007下半年复苏 NAND闪存芯片市场最近几周的情况发生了好转，日本厂商东芝(Toshiba)近期即发表乐观的前景预测，预期NAND闪存未来可望取代硬盘应用在笔记本电脑(
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07年NAND闪存需求翻倍
【导读】07年NAND闪存需求翻倍 4月20日，“Flashtopia by Samsung”大会在广东深圳举行。会上，三星半导体部门数位副总裁以及多名三星市场人士或工程师分别发表演讲，向受邀的61家共计350余人次的客户及代理
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NAND闪存的未来在SSD
【导读】NAND闪存的未来在SSD 作为赞助商参加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美国美光科技公司(Micron Technology， Inc.)举办了名为“Flash Memory Technology Direction”的技术研讨
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东芝投资66亿美元兴建NAND闪存工厂，09年量产
【导读】东芝投资66亿美元兴建NAND闪存工厂，09年量产 据《朝日新闻》(Asahi Shimbun)报道，日本电子巨头东芝(Toshiba)将投资逾66亿美元在日本北部兴建一家新的NAND闪存工厂。这家工厂位于Iwate Prefecture，
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恒忆与海力士扩大合作，共同推广创新的NAND闪存技术与产品
【导读】恒忆与海力士扩大合作，共同推广创新的NAND闪存技术与产品 恒忆（Numonyx）宣布与海力士半导体公司达成为期五年的协议，在飞速增长的NAND闪存领域扩展联合开发计划。针对NAND技术在未来五年面临的挑战，两家
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闪存价格上涨威胁SSD技术的普及
【导读】今年前两个季度NAND闪存的平均销售价格（ASP）反弹，令供应商非常高兴，使其在2008年经受惨重损失之后又获得了希望。 今年前两个季度NAND闪存的平均销售价格（ASP）反弹，令供应商非常高兴，使其在
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传东芝投资22亿美元扩大NAND闪存产能
【导读】据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。 据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将
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今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求
【导读】据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。 据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。iSuppli高级半导
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NAND闪存军备竞赛 可能导致市场“崩盘”
【导读】但是不要看现在，NAND闪存的“派对”可能将要结束了。海力士、美光、三星和东芝已经或者即将建造新的NAND晶圆工厂，此举可能会导致生产能力过剩和价格下跌。 关键词：海力，三星，东芝，NAND，手机，平板
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日本地震影响iPad2及动力汽车
【导读】NAND闪存是iPhone4和iPad 2不可或缺的部件。地震后国际市场内存芯片价格已上涨近10%，闪存价格更是暴涨近20%。 摘要： NAND闪存是iPhone4和iPad 2不可或缺的部件。地震后国际市场内存芯片价格已上涨近10
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第二季度NAND闪存市场：东芝暴跌美光得利
【导读】据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报，第二季度美国内存生产商美光的NAND闪存市场份额超过20%，这是其七年前进入该市场以来的首次，受益于竞争对手东芝表现不佳等有利因素。 摘要： 据IHS iSuppli公司
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2014年eMMC将占NAND移动市场出货量的40%
据iSuppli公司，2010年用于手机的嵌入式多媒体卡(eMMC) NAND闪存将出现爆炸性增长，预计出货量增长224%。2007年eMMC面世的时候增长缓慢，但三年后的2010年，其出货量将增长
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韩国结束对闪存商反垄断调查未发现违法行为
韩国公平交易委员会在一份声明中表示尚未发现韩国或其他地区闪存厂商有操纵价格或其他垄断行为的证据。该机构调查了四家NAND闪存制造商。在被调查的四家厂商中，两家位于韩
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三星宣布量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单
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MicroSD容量：改一个字母用了9年
磁盘发明到现在已经快60年了，60一甲子，原来的数据存储和现在的数据存储有哪些不同？国外著名的媒体computerworld也选了7张产品对比图片来说明数据存储技术和时代的变迁。我们一起来看看吧。 1、相对磁
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NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年
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NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年
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东芝开始生产15nm工艺的MLC NAND闪存芯片
【导读】半导体行业的闪存制造工艺进步除了意味着用户能够获得更好的存储性能，同时也意味着SSD固态存储设备价格的下降。 过去几年中SSD的降价幅度还是颇大的，目前最便宜的固态存储驱动器每GB的价格不到50美分，
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