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全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元
据媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(DramexchangeTechnologyInc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的龙头，
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台湾内存模块厂因新年业绩下降
台湾各大DRAM模组和NAND设备制造商的收入，在2012年1月录得双位数字的连续下跌，主因是由于农历新年假期造成工作天数下降。威刚科技已公布1月份业绩为新台币21.1亿元（7140万美元），同比下降23.8％。该公司预计其出
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紧咬金士顿：SanDisk亦准备全面降价
日前有传闻称，金士顿计划将旗下所有NAND闪存设备的价格降低最多15％，以刺激市场需求，而来自内存条厂商的最新消息称，SanDisk(闪迪)也准备调低旗下存储卡、U盘等产品的价格，以保护自己的市场份额。SanDisk目前仍是
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第四季度全球NAND闪存出货环比下滑8.6%
据国外媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的
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第四季度全球NAND闪存出货环比下滑8.6%
据国外媒体报道，根据亚洲最大芯片现货市场的交易商集邦科技（DramexchangeTechnologyInc）提供的最新数据，2011年第四季度全球第四季度NAND闪存芯片市场规模达到48.9亿美元，环比下滑了8.6%。三星电子依然是该市场的
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2011年Q4全球NAND闪存市场销售收入下降8.6%
2月6日消息,据台湾地区媒体报道，据市场研究公司DRAMeXchange最新发表的数据显示，2011年第四季度全球NAND闪存市场销售收入为48.9亿美元，环比下降8.6%。三星电子仍然是这个市场最大的供应商。2011年第四季度NAND闪存
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海力士第四季度净亏损2.13亿美元超过预期
全球第二大内存芯片厂商海力士周四公布了去年第四季度财报。由于PC销售的放缓导致芯片价格的下降，海力士该季度亏损超过预期。海力士表示，在截至去年12月31日的第四季度中，净亏损为2399亿韩元(约合2.13亿美元)，而
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闪存行业也掀起版权保护风潮
近日，包括松下(Panasonic)、三星(Samsung)、 SanDisk 、 Sony 和东芝 (Toshiba)五家主要的内存厂商，宣布将针对 SD卡和‘嵌入式闪存’上的数字版权保护，共同催生下一代标准。这项工作目前暂命名为 ‘下一代安全内存
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三星芯片工厂将落户北京 投资规模40亿美元
1月16日凌晨消息，新浪科技获得的可靠消息显示，三星电子在中国投资规模达40亿美元的芯片工厂将落户北京。分析师认为，这一投资在给地方政府带来税收等利好的同时，对国内的半导体行业却可能是一种伤害。1月4日，韩国
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三星芯片工厂将落户北京 投资规模40亿美元
1月16日消息，三星电子在中国投资规模达40亿美元的芯片工厂将落户北京。分析师认为，这一投资在给地方政府带来税收等利好的同时，对国内的半导体行业却可能是一种伤害。1月4日，韩国政府对外宣布，已经批准三星电子在
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苹果去年买进了全球NAND闪存的1/4
根据市场研究机构Bernstein Research 公司分析师Toni Sacconaghi 报告指出，苹果公司在上一季买了全球NAND 快闪记忆体出货量的23% ，凭借着这么大的采购量，苹果拿到的成本价格可说是出乎意料之外的低。 Saccon
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韩国周三批准三星在华投建40亿美元闪存厂
北京时间1月4日消息，据国外媒体报道，周三，韩国政府宣布，已经批准三星电子在中国建设一座闪存芯片工厂。这家工厂计划投资40亿美元，是三星在海外的第二座芯片工厂。工厂将使用20纳米或以下半导体生产工艺，大规模
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超越NAND闪存的新一代内存技术
虽然NAND闪存可能在2020年末引领企业级固态存储的蓬勃发展，不过这种技术潜在的对手已经出现，并开始获得业内关注。这些技术包括相变内存(PCM)、磁阻随机存取内存(MRAM)和电阻式随机存取内存(RRAM)。在过去的数年中，
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三星闪存厂选址中国，为了廉价劳工还是技术转移？
无论你是在西方市场、东方市场或是不属于这两个阵营的开发中国家，中国以及其贸易伙伴之间的关系，将会在接下来几年主导舆论与决策方向，而且我敢说，时间将长达数十年。更进一步说，无论你是美国小镇一家小型零售商
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亲力亲为？传苹果欲收购闪存厂Anobit
根据一份名为Calcalist的希伯来文刊物报导，PC与消费性电子大厂苹果(Apple)正在洽商收购以色列新创公司 Anobit Technologies ，价格在4亿至5亿美元之间； Anobit 是 NAND闪存控制器开发商，号称可提升闪存的耐久度(最
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英特尔和美光发布20nm工艺的128Gbit MLC NAND闪存
通过20nm工艺，在单枚芯片上实现128Gbit。 美国英特尔和美光科技（Micron Technology）于2011年12月6日（当地时间）发布了通过20nm级工艺技术制造的128Gbit MLC（2bit/单元）NAND闪存。美光科技NAND解决方案部门
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树立行业新标杆：全球首款20纳米制程NAND设备
英特尔公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元（MLC）NAND设备，在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存，进一步扩展了双方在NAND制程工艺技
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IMFT推出20纳米制程的NAND闪存
日前，英特尔(Intel)与美光(Micron)合资成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20纳米制程生产之128GB NAND闪存。两家公司的20纳米制程的64GB NAND闪存也将进入量产；128GB NAND闪存预计于2012年进行量产。 20纳米
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英特尔和美光推出20nm 128Gb多层单元NAND闪存
21ic讯 英特尔公司和美光科技公司今天宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元（MLC）NAND设备，在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存，进一步扩展了双方在NAND制程
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2011年芯片厂商TOP20排名，英特尔雄风大振
英特尔（Intel）即将成为市值500亿美元的公司，在2011年涨幅高达23%，在市场分析公司IHS的20大芯片厂商排名中,IHS初步预测英特尔在全球芯片产业的市场份额将由2010年的13.2%增长至2011年的15.9%。 考虑到过去几年里
