style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美国FormFactor已将该公司300mm晶圆检查用MEMS探针卡应用于NAND型闪存。由于存在装置成本和交货期等问题,迄今一直
据国外媒体报道,英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术。这两家公司称,这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限,使加工工艺缩小到5纳米,从而更加节省成本。 英特尔研究员和内存
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值(MLC)NAND闪存的SSD(固态硬盘)。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸 SSD相比,除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外,耗电量也削减了约1/2。预定2009年
市场研究机构IC Insights最近发布的McClean Report年中更新数字指出,闪存产业将在接下来几年由原本的买方市场转变为卖方市场。 IC Insights表示,闪存的单位出货量与位元需求都将有所成长,不过闪存制造商却在这几
市场研究机构IC Insights最近发布的McClean Report年中更新数字指出,闪存产业将在接下来几年由原本的买方市场转变为卖方市场。 IC Insights表示,闪存的单位出货量与位元需求都将有所成长,不过闪存制造商却在这几
据市场调研公司IC Insights最近发表的McClean报告年中更新,闪存市场的供需平衡状态正在发生明显变化,将在未来几年极大地有利于NAND闪存供应商。单位出货量和比特需求量继续增加。但与此同时,闪存方面的资本支出严
根据IC Insights近期发布的McClean Report年中更新版显示,闪存市场将发生变化,在未来几年将从买方市场转向卖方市场。 闪存出货量和位需求量预计将增长,但闪存产能的投资这两年正在减小。IC Insights预计2009年闪
在近日于美国举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中,SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告,NAND产业正处于“十字路口”,主要是因为市场产
8月20日电,韩国三星电子和日本东芝表示,美国司法部针对快闪记忆体(闪存)业务的反垄断调查已结束。 三星电子的女发言人Lee Eun-hee对路透说,“公司收到了来自美国司法部的信函,称已结束了对NAND闪存业务的调查。
在今后的2年~3年内,NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度。具体来说,到2011年~2012年,通过采用2Xnm的制造工艺与3位/单元~4位/单元的多值技术,NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。但是,如果要实现超过128Gb
NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。积极地来看,Harari称2013年NAND闪存位需求将达10万petabyte(PB,
手机及其它移动电子设备微型投影机发展惊人据iSuppli 公司,由于能够克服移动电子设备显示屏尺寸的限制,嵌入到智能手机等产品中的微型投影机的出货量未来四年将增长约60 倍。到2013 年,内嵌式微型投影机的出货量将