根据IC Insights近期发布的McClean Report年中更新版显示,闪存市场将发生变化,在未来几年将从买方市场转向卖方市场。 闪存出货量和位需求量预计将增长,但闪存产能的投资这两年正在减小。IC Insights预计2009年闪
在近日于美国举行的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)上,一位业界高层对NAND市场做出了大胆的预测。在专题演说中,SanDisk创办人暨总裁、执行长Eli Harari警告,NAND产业正处于“十字路口”,主要是因为市场产
8月20日电,韩国三星电子和日本东芝表示,美国司法部针对快闪记忆体(闪存)业务的反垄断调查已结束。 三星电子的女发言人Lee Eun-hee对路透说,“公司收到了来自美国司法部的信函,称已结束了对NAND闪存业务的调查。
在今后的2年~3年内,NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度。具体来说,到2011年~2012年,通过采用2Xnm的制造工艺与3位/单元~4位/单元的多值技术,NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。但是,如果要实现超过128Gb
NAND闪存产业正处在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari称未来的产能需要和产品需求“失去了关联”。NAND闪存糟糕的产业模式使厂商对建新厂失去兴趣。积极地来看,Harari称2013年NAND闪存位需求将达10万petabyte(PB,
手机及其它移动电子设备微型投影机发展惊人据iSuppli 公司,由于能够克服移动电子设备显示屏尺寸的限制,嵌入到智能手机等产品中的微型投影机的出货量未来四年将增长约60 倍。到2013 年,内嵌式微型投影机的出货量将
在摩尔定律推动下,工艺技术的缩微没有停止,基本上每两年一个台阶,今年可达32纳米(注释,通常指微处理器的量产还要推迟几个季度) 。其实走在缩微制程最前面的是NAND闪存。据IMFlash报道, 已于2008年11月时实现34纳
苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示,该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议,并向后者预付5亿美元货款。 这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商,面临闪存芯片价格滑坡和来
美光科技今天公布了其截至2009年6月4日的2009财年第三季度经营业绩。2009财年第三季度,公司公布的销售净额为11亿美元,净亏损2.9亿美元,或摊薄后每股0.36美元。本季度末公司持有现金和投资额为13亿美元。 第三季
Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在
美国硅谷一家公司19日宣布开发出一种新技术,并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说,新型存储器的单位存储密度有望达到现有NAND型闪存芯
在面临破产威胁之际,许多内存供应商为了维护自己的形象,纷纷强调潜在的市场复苏,试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是,虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定,但iSuppli公司认为,这些厂商
NAND Flash价格逐步回稳,配合结合卡类加密等新产品应用日新月异,也让未来发展性更受市场瞩目。 过去微软每推出一代新操作系统,市场就关注于对标准型DRAM需求的提升。 但即将发布的Windows 7却打破这项传统,除可