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海力士开始量产26纳米技术NAND闪存
韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。 该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。 海力士称它的芯片是26nm
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26nm的NAND闪存开始量产
韩国海力士声称，在其M11的300毫米生产线上开始利用20纳米技术进行64Gb的NAND闪存量产。 该公司在2月时曾报道拟进行20纳米级的64Gb的NAND生产，采用现有的32Gb产品进行叠层封装完成。 海力士称它的芯片是26nm的
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三星电子与东芝开始400Mbit秒高速NAND闪存接口规格的标准化活动
韩国三星电子（Samsung Electronics）与东芝宣布，开发出了面向NAND闪存的接口规格，并且已向JEDEC固态技术协会（Solid State Technology Association）提出了标准化方案。两公司的目标是2011年初实现标准化。接口规
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NAND闪存芯片供不应求价格将在三季度上涨
据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。iSuppli高级半导体分析师RickPierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智能
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NAND闪存芯片供不应求 价格将在第三季上涨
7月4日消息,据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。 iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一
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因供不应求NAND闪存芯片价格三季度将上涨
7月4日消息,据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。iSuppli高级半导体分析师RickPierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数
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NAND闪存芯片价格三季度将上涨
据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一般用于数码相机、智
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NAND闪存芯片供不应求 价格将在三季度上涨
7月4日消息,据iSuppli称，随着消费电子厂商准备圣诞假日的产品，今年第三季度NAND闪存芯片将供不应求。 iSuppli高级半导体分析师Rick Pierson说，当市场供货量紧张的时候，平均销售价格将上涨。NAND闪存芯片一
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NAND闪存的自适应闪存映射层设计
NAND闪存的自适应闪存映射层设计
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NAND闪存的自适应闪存映射层设计
NAND闪存的自适应闪存映射层设计
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NAND闪存销售Q1微增三星东芝主宰市场
据市场研究公司iSuppli发表的按美元统计的第一季度全球NAND闪存市场的销售收入数字显示，三星和东芝主宰了NAND闪存市场，仅给其它所有的公司留下了较少的市场份额。三星今年第一季度的市场份额是38.5%，紧随其后的东
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三星电子全球率先批量生产20纳米制程NAND闪存
据外电报道，三星电子表示，该公司从上周末开始批量生产20纳米制程32GB多层单元(MLC)NAND闪存。 20纳米制程32GB多层单元NAND闪存的生产性，比30纳米制程高50%左右。三星电子在全球半导体行业率先投入到了量产。 三星
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力晶半导体下半年量产40纳米NAND闪存
力晶半导体（PowerchipSemiconductorCorporation，PSC）公司董事长黄崇仁（FrankHuang）日前透露，该公司将于2010年下半年正式开始量产出货40纳米制程的NAND闪存芯片产品，同时他还指出力晶的闪存业务未来的工作重点
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09年全球前十大NAND供货商排行榜出炉
市场研究机构Web-FeetResearch公布2009年全球NAND闪存供货商排行榜，三星电子(SamsungElectronics)仍稳居市占率第一名位置，其后则是东芝(Toshiba)与SanDisk；SanDisk的表现意外亮眼，领先美光(Micron)、海力士(Hyni
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东芝计划耗资150亿日元生产25纳米闪存
东芝公司今年计划耗资150亿日元(约合1.6亿美元)兴建一条试验生产线，生产小于25纳米制程的NAND闪存芯片。目前东芝生产的NAND闪存是采用32与43纳米技术，主要应用于手机及数字相机等电子消费产品。为生产新的25纳米制
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英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片
据国外媒体报道，英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。
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英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片
据国外媒体报道，英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。作为目前应用
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美光即将量产25nm工艺NAND
在半导体内存行业，美国美光科技（MicronTechnology）的地位在不断提高。该公司2010年2月宣布收购第一大NOR闪存厂商瑞士恒忆（NumonyxB.V.）。除DRAM、NAND闪存外，该公司今后还将涉足NOR闪存、MCP（Multi-chipPacka
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SanDisk变身 开始对外供应NAND闪存晶圆
据报道，包括威刚、创见、PQI劲永等在内的台湾闪存产品厂商以及闪存控制器厂商群联电子近期都已经开始从SanDisk公司购买NAND闪存晶圆。这意味着SanDisk已经从自有品牌闪存设备制造商，摇身一变成了NAND晶圆
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SanDisk变身 开始对外供应NAND闪存晶圆
据报道，包括威刚、创见、PQI劲永等在内的台湾闪存产品厂商以及闪存控制器厂商群联电子近期都已经开始从SanDisk公司购买NAND闪存晶圆。这意味着SanDisk已经从自有品牌闪存设备制造商，摇身一变成了NAND晶圆供应商。
