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韩国政府称未发现NAND闪存行业操纵价格证据
据国外媒体报道，韩国公平交易委员会周三表示，未发现韩国或其他地区的NAND闪存芯片制造商涉嫌价格操纵的证据，因此针对NAND行业可能违反反垄断法将近3年的调查宣告结束。 该委员会发布公告称，所有涉及DRAM芯片、
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传韩系三位元型MLC NAND芯片新品质量存稳定性问题
据业者透露，韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品，不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露，这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯
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NAND闪存芯片价格本月逐步趋于平稳
根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平，高密度芯片价格则将下降1-5%。其中，16Gb芯片期货价格下降2-7%，32Gb芯片价格持平或下降3%，两种芯片后半个月的平均
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美光第一财季扭亏盈利2.04亿美元
位于美国芯片制造商美光科技(MicronTechnology)周二公布，受惠于存储处理器旺销，公司第一财季扭亏为盈。 财报显示，美光第一财季实现净利润2。04亿美元，合每股收益23美分。去年同期，美光亏损7。18亿美元，合每股
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存储器产业狂想曲
任何技术的成功都应该在距它首次应用多年后才能衡量，而不是在刚走出开发实验室之时。许多技术先进的产品失败了，也有许多较简单的产品在许多年内取得了巨大收入。对任何新兴技术未来的预测都要求在新产品提供的较少
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中国台湾芯片公司改变策略应对市场下滑危机
台湾半导体生产商期望通过转变策略来应对电脑存储芯片市场占有率下降带来的挑战，但此举可能导致它们全盘退出核心业务。 由于芯片行业从2007年起陷入有史以来最严重的滑坡，南亚科技及台湾力晶半导体股份有限公司
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三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可
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NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，
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FormFactor将MEMS探针卡应用于多值NAND闪存
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美国FormFactor已将该公司300mm晶圆检查用MEMS探针卡应用于NAND型闪存。由于存在装置成本和交货期等问题，迄今一直
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英特尔宣布突破NAND闪存20纳米加工工艺极限
据国外媒体报道，英特尔和芯片技术公司Numonyx本周三发布了一项新技术。这两家公司称，这种新技术将使非易失性存储器突破NAND闪存的20纳米的极限，使加工工艺缩小到5纳米，从而更加节省成本。 英特尔研究员和内存
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东芝将投产配备32nm工艺NAND闪存的SSD
东芝发布了配备基于32nm级半导体工艺多值（MLC）NAND闪存的SSD（固态硬盘）。存储容量分别为30GB和62GB。与原来的2.5英寸 SSD相比，除了体积缩小至1/7左右、重量减少至1/8左右之外，耗电量也削减了约1/2。预定2009年
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NAND闪存价格恐上扬，缘于厂商减产效应
市场研究机构IC Insights最近发布的McClean Report年中更新数字指出，闪存产业将在接下来几年由原本的买方市场转变为卖方市场。 IC Insights表示，闪存的单位出货量与位元需求都将有所成长，不过闪存制造商却在这几
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受厂商减产效应影响，NAND闪存价格恐上扬
市场研究机构IC Insights最近发布的McClean Report年中更新数字指出，闪存产业将在接下来几年由原本的买方市场转变为卖方市场。 IC Insights表示，闪存的单位出货量与位元需求都将有所成长，不过闪存制造商却在这几
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强劲的需求和疲弱的资本支出使闪存供应商受益
据市场调研公司IC Insights最近发表的McClean报告年中更新，闪存市场的供需平衡状态正在发生明显变化，将在未来几年极大地有利于NAND闪存供应商。单位出货量和比特需求量继续增加。但与此同时，闪存方面的资本支出严
