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Intel、美光25nm NAND闪存二季度开售
Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各种产品。IMFT 25nm NAND闪存于今年初宣
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iSuppli：iPhone将导致NAND闪存供货紧张
北京时间2月22日下午消息，据国外媒体报道，美国市场研究公司iSuppli表示，由于iPhone已经成为NAND闪存芯片的最大使用设备，因此该产品的销量增长以及容量增加将导致NAND闪存芯片在2010年的某一时期出现供货紧张。iS
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三星/海力士NAND闪存芯片迈向20nm级工艺
继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的25n
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英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片
英特尔和美光科技预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。 作为目前应用的最小的NAND闪存技术，25纳
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英特尔美光将推出25纳米NAND闪存芯片
据国外媒体报道，英特尔和美光科技星期一预计将宣布这两家公司将推出全球第一个基于25纳米NAND闪存技术的芯片。这种25纳米的8GB闪存芯片目前还是样品，预计将在2010年下半年之前开始大批量生产。 作为目前应用的最
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内存业酝酿地震：传金士顿1亿美元购海力士
业内人士日前透露,美国金士顿科技公司(Kingston Technology )预付了1亿美元给韩国海力士半导体公司以购买其2010年需要的内存和NAND闪存. 此外,该业内人士还表示,总部在台湾的威刚科技(a-data technology)正在寻求途
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警示：一季度半导体供应商将继续维持低库存
据iSuppli公司，经过2009年对膨胀的库存大幅削减 ，全球半导体供应商预计将在2010年第一季度维持低量库存，以期在不明朗的经济环境中能获益。半导体供应商的库存天数（DOI）预计将在第一季度下降到68.3，比2009年第四
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一季度半导体供应商将继续维持低库存
据iSuppli公司，经过2009年对膨胀的库存大幅削减 ，全球半导体供应商预计将在2010年第一季度维持低量库存，以期在不明朗的经济环境中能获益。半导体供应商的库存天数（DOI）预计将在第一季度下降到68.3，比2009年第四
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全球芯片库存保持紧缩NAND闪存或短缺
据市场研究公司iSuppli的调查，全球半导体供应商预计将在第一季度保持轻库存，以便在不确定的经济形势下保持盈利。 第一季度末库存天数预计将减少至68。3天，上季度为68。5天。去年第四季度，库存天数已经少于历史平
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iSuppli：全球芯片库存保持紧缩 NAND闪存或短缺
据市场研究公司iSuppli的调查，全球半导体供应商预计将在第一季度保持轻库存，以便在不确定的经济形势下保持盈利。 第一季度末库存天数预计将减少至68.3天，上季度为68.5天。去年第四季度，库存天数已经少于历史平
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韩国政府称未发现NAND闪存行业操纵价格证据
据国外媒体报道，韩国公平交易委员会周三表示，未发现韩国或其他地区的NAND闪存芯片制造商涉嫌价格操纵的证据，因此针对NAND行业可能违反反垄断法将近3年的调查宣告结束。 该委员会发布公告称，所有涉及DRAM芯片、
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传韩系三位元型MLC NAND芯片新品质量存稳定性问题
据业者透露，韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品，不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露，这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯
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NAND闪存芯片价格本月逐步趋于平稳
根据市场调研公司DRAMeXchange的最新统计，12月后半个月的MLC NAND闪存芯片价格和前半月相比持平，高密度芯片价格则将下降1-5%。其中，16Gb芯片期货价格下降2-7%，32Gb芯片价格持平或下降3%，两种芯片后半个月的平均
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美光第一财季扭亏盈利2.04亿美元
位于美国芯片制造商美光科技(MicronTechnology)周二公布，受惠于存储处理器旺销，公司第一财季扭亏为盈。 财报显示，美光第一财季实现净利润2。04亿美元，合每股收益23美分。去年同期，美光亏损7。18亿美元，合每股
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存储器产业狂想曲
任何技术的成功都应该在距它首次应用多年后才能衡量，而不是在刚走出开发实验室之时。许多技术先进的产品失败了，也有许多较简单的产品在许多年内取得了巨大收入。对任何新兴技术未来的预测都要求在新产品提供的较少
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中国台湾芯片公司改变策略应对市场下滑危机
台湾半导体生产商期望通过转变策略来应对电脑存储芯片市场占有率下降带来的挑战，但此举可能导致它们全盘退出核心业务。 由于芯片行业从2007年起陷入有史以来最严重的滑坡，南亚科技及台湾力晶半导体股份有限公司
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三星宣布开始量产两种新型30nm制程NAND闪存芯片
三星近日宣布将开始量产两款30nm制程NAND闪存芯片产品。其中一种闪存产品采用类似DDR内存的双倍传输技术，据三星公司宣称，这种产品的读取带宽是传统闪存芯片的3倍左右，单颗这样的DDR MLC闪存芯片数据传输峰值带宽可
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NAND闪存技术将在十年之内遭遇技术极限
《IEEE Transactions on Magnetics》上最近发表了卡内基梅隆大学教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。师徒俩研究了13种非易失性存储技术，看它们到2020年的时候能否在单位容量成本上超越机械硬盘，
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FormFactor将MEMS探针卡应用于多值NAND闪存
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;"> 美国FormFactor已将该公司300mm晶圆检查用MEMS探针卡应用于NAND型闪存。由于存在装置成本和交货期等问题，迄今一直
