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2010年NAND闪存营收将创新高但面临供应过剩
据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电
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全球平板电脑持续火爆 NAND营收创历史新高
据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录。预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电
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2010年NAND闪存营业收入将达到最高纪录
据iSuppli公司，由于智能手机以及平板电脑的使用量增加，2010年全球NAND闪存营业收入将达到最高纪录预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子
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2010年NAND闪存营收创历史最高纪录
----营业收入将超过180亿美元，但面临供应过剩隐忧。
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尔必达和夏普共同开发ReRAM填补DRAM与NAND闪存的性能差
新一代存储器的大型共同开发项目即将在日本启动。尔必达存储器、夏普、东京大学以及产业技术综合研究所将联手开发Gbit级可变电阻式存储器（ReRAM）。此次开发将结合夏普拥有的可变电阻元件等材料技术和尔必达存储器拥
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三星宣布导入20nm级 NAND闪存芯片
三星电子称正在采用20nm级的工艺生产64G 每单元三位的NAND闪存。该存储芯片适合用于USB闪存和数码存储卡。三星称该芯片技术已于今年4月导入，但有意见质疑称三星此举是为了宣布27nm工艺已应对竞争对手宣布的26nm、25
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IC产业红色警报 9月市场已呈现弱势
目前模拟、存储器、PC芯片及其它，虽不能言己下降，但是己呈现季节性的弱势。 VLSI的总裁Dan Hutcheson认为在2010年初开始热了一阵之后，目前IC工业可能回复到正常的状态。有人说工业开始减缓，停顿或者是可怕的
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IC产业红色警报9月市场已呈现弱势
目前模拟、存储器、PC芯片及其它，虽不能言己下降，但是己呈现季节性的弱势。VLSI的总裁DanHutcheson认为在2010年初开始热了一阵之后，目前IC工业可能回复到正常的状态。有人说工业开始减缓，停顿或者是可怕的再次下
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IC产业红色警报 9月市场已呈现弱势
目前模拟、存储器、PC芯片及其它，虽不能言己下降，但是己呈现季节性的弱势。VLSI的总裁Dan Hutcheson认为在2010年初开始热了一阵之后，目前IC工业可能回复到正常的状态。有人说工业开始减缓，停顿或者是可怕的再次下
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德意志银行予半导体业买入评级2010年产业收入预计增长16%
9月9日《半导体行业特别报告》出版，涉及项目包括有：库存补充、企业升级周期、智能电话作为主要趋势、移动性长期转变、供应链动态、3G和4G的构建。涉及企业包括有：AMD公司（AMD）、ARM集团（ARMH）、AT&；T公司（T
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苹果效应不再 NAND闪存价格持续下滑
台湾媒体报道，来自存储芯片制造商的消息称，尽管苹果的iPhone和iPad销售火爆，但也难阻主流MLC NAND闪存芯片期货价格在9月份上半月的下滑。苹果为其iPhone和iPad放出了大量闪存芯片订单，但即便是这样也很难推动NAN
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德意志银行予半导体业买入评级 今年料增长16%
在9月9日出版的《半导体行业特别报告》为投资者及行业管理人员提供了及时的信息回顾。涉及项目包括有：库存补充、企业升级周期、智能电话作为主要趋势、移动性长期转变、供应链动态、3G和4G的构建。涉及企业包括有：
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德意志银行予半导体业买入评级 2010年产业收入预计增长16%
9月9日《半导体行业特别报告》出版，涉及项目包括有：库存补充、企业升级周期、智能电话作为主要趋势、移动性长期转变、供应链动态、3G和4G的构建。涉及企业包括有：AMD公司(AMD)、ARM 集团(ARMH)、AT&;T公司(T)、Al
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基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用
基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用
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基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用
基于NAND闪存的文件系统YAFFS在嵌入式系统中的应用
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Gartner上调全球半导体营收预期至3000亿
Gartner现在预计今年全球半导体营收将达到3000亿美元，比去年增长31.5%。它之前预计今年半导体营收的增幅只有27.1%。包括手机和笔记本电脑在内的消费者电子产品在半导体销售中占大多数份额。手机出货量持续增长将推动
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Elpida 和Spansion开始合作生产电荷俘获型NAND闪存
Elpida和Spansion发明一种电荷俘获型闪存，为1.8V SLC(单层单元)4Gb NAND闪存存储器。它是基于Spansion的MirrorBit电荷俘获型技术在Elpida的广岛厂进行量产。按公司的说法，与通常的浮栅NAND闪存相比，电荷俘获型NAN
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尔必达已与Spansion开发出4GNAND闪存
尔必达内存公司（ElpidaMemoryInc.）9月2日表示，该公司与Spansion公司（SpansionInc.）已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。这家
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尔必达已与Spansion开发出4G NAND闪存
尔必达内存公司（Elpida Memory Inc.）9月2日表示，该公司与Spansion公司（Spansion Inc.）已开发出一款新闪存芯片，拥有比现有芯片更为简单的信元结构，该公司计划于2011年开始在其日本西部的工厂批量生产该芯片。这
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东芝开始量产24nm工艺NAND闪存
东芝公司宣布，即日起开始使用24nm工艺批量生产NAND闪存芯片，这也是该领域内迄今为止最为先进的制造技术。东芝透露，24nm工艺已被用于生产世界上体积最小、存储密度最高的2bpc(每单元两个比特)MLCNAND闪存芯片，单颗
