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智能手机微型投影机初露锋芒 NAND闪存繁荣依旧
手机及其它移动电子设备微型投影机发展惊人据iSuppli 公司，由于能够克服移动电子设备显示屏尺寸的限制，嵌入到智能手机等产品中的微型投影机的出货量未来四年将增长约60 倍。到2013 年，内嵌式微型投影机的出货量将
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谁走在半导体工艺制程的前列
在摩尔定律推动下，工艺技术的缩微没有停止，基本上每两年一个台阶，今年可达32纳米(注释，通常指微处理器的量产还要推迟几个季度) 。其实走在缩微制程最前面的是NAND闪存。据IMFlash报道， 已于2008年11月时实现34纳
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苹果预付5亿美元 与东芝签闪存长期供货协议
苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。 这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来
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美光科技公布2009财年第三季度业绩报告
美光科技今天公布了其截至2009年6月4日的2009财年第三季度经营业绩。2009财年第三季度，公司公布的销售净额为11亿美元，净亏损2.9亿美元，或摊薄后每股0.36美元。本季度末公司持有现金和投资额为13亿美元。 第三季
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Micron量产34nm NAND闪存芯片
Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。 Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在
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美硅谷公司开发出数据存储新技术 有望取代NAND闪存
美国硅谷一家公司１９日宣布开发出一种新技术，并计划利用它来制造比闪存容量更大、读写速度更快的新型存储器。这家名为“统一半导体”的公司发布新闻公报说，新型存储器的单位存储密度有望达到现有ＮＡＮＤ型闪存芯
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iSuppli称内存市场复苏的报告过于夸张
在面临破产威胁之际，许多内存供应商为了维护自己的形象，纷纷强调潜在的市场复苏，试图向外界描绘出一幅比较乐观的图景。但是，虽然预计总体内存芯片价格将在2009年剩余时间内趋于稳定，但iSuppli公司认为，这些厂商
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Windows 7将发布 为NAND闪存发展添动能
NAND Flash价格逐步回稳，配合结合卡类加密等新产品应用日新月异，也让未来发展性更受市场瞩目。 过去微软每推出一代新操作系统，市场就关注于对标准型DRAM需求的提升。 但即将发布的Windows 7却打破这项传统，除可
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块抽象化NAND闪存（美光）
美光科技股份有限公司公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制
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DRAM市场在2009年下半年将显著增长
据国际电子商情报道，继2009年第一季度销售额触及低点之后，预计今年余下时间内的DRAM市场增长情况将会非常出众。随着产能缩减，平均销售价格上涨和系统需求开始回升，预计DRAM市场将在2009年下半年大涨。 从环比情
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ONFI发布新的NAND规范 创造新的速度纪录
开放式NAND闪存接口（ONFI）工作组专门致力于简化NAND闪存与消费电子设备、计算平台及工业系统的集成。该组织今天发布了ONFI 2.1版技术规范。这个芯片级标准接口是最新的规范，延续了ONFI工作组此前发布的标准：ONFI
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SSD 2.0：相变内存将挑战NAND闪存？
从70年代开始，相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它
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SSD 2.0：相变内存将挑战NAND闪存？
从70年代开始，相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它
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受益东芝海力士减产 NAND闪存价格回稳
12月25日消息，据台湾媒体报道，NAND Flash12月下旬合约价出炉，终止先前下跌趋势，至少都以平盘以上开出，主流规格晶片涨幅更在16%以上，随价格回稳走扬，将有助创见、威刚、群联等模组业者降低库存跌价损失压力。
