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Windows 7将发布 为NAND闪存发展添动能
NAND Flash价格逐步回稳，配合结合卡类加密等新产品应用日新月异，也让未来发展性更受市场瞩目。 过去微软每推出一代新操作系统，市场就关注于对标准型DRAM需求的提升。 但即将发布的Windows 7却打破这项传统，除可
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块抽象化NAND闪存（美光）
美光科技股份有限公司公布其高密度系列的块抽象化(BA) NAND闪存，可用于个人媒体播放机和其他应用中。BA NAND是个单封装解决方案，使用美光业内领先的34纳米工艺技术 - 将MLC NAND与一个内存控制器相结合，无需对控制
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DRAM市场在2009年下半年将显著增长
据国际电子商情报道，继2009年第一季度销售额触及低点之后，预计今年余下时间内的DRAM市场增长情况将会非常出众。随着产能缩减，平均销售价格上涨和系统需求开始回升，预计DRAM市场将在2009年下半年大涨。 从环比情
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ONFI发布新的NAND规范 创造新的速度纪录
开放式NAND闪存接口（ONFI）工作组专门致力于简化NAND闪存与消费电子设备、计算平台及工业系统的集成。该组织今天发布了ONFI 2.1版技术规范。这个芯片级标准接口是最新的规范，延续了ONFI工作组此前发布的标准：ONFI
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SSD 2.0：相变内存将挑战NAND闪存？
从70年代开始，相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它
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SSD 2.0：相变内存将挑战NAND闪存？
从70年代开始，相变内存(PhaseChangeMemory，PCM)就开始成为一个热议话题，由于其高读取/写入速度、低易失性和高存储密度而成为可能取代磁性存储介质的选择。现在，相变内存被认为是继NAND闪存后的下一代技术，因为它
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受益东芝海力士减产 NAND闪存价格回稳
12月25日消息，据台湾媒体报道，NAND Flash12月下旬合约价出炉，终止先前下跌趋势，至少都以平盘以上开出，主流规格晶片涨幅更在16%以上，随价格回稳走扬，将有助创见、威刚、群联等模组业者降低库存跌价损失压力。
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英特尔合资公司Numonyx推消费级NAND闪存
英特尔与意法半导体公司(STMicroelectronics NV)的合资子公司本周四宣布推出用于从手机、USB设备到数码相机和MP3播放器等消费电子产品的NAND闪存产品线。 新产品采用了Numonyx最新的41纳米制程工艺，其中包括用于固
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东芝NAND闪存将减产30％，其他半导体生产也将调整
东芝宣布，2009年1月开始，将在该公司的NAND闪存生产基地四日市工厂（三重县四日市市）进行生产调整。将把该工厂的产量削减30％左右。由于全球经济衰退，以面向内存卡及便携式媒体播放器为主的闪存市场需求低迷，供给
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全新系列NAND闪存产品（恒忆）
以提供完整的NOR、NAND、RAM和PCM（相变移位存储器）解决方案为己任，恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元 (MLC) NAND闪存
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串行NAND闪存技术（美光）
美光科技有限公司（Micron Technology, Inc）推出一项串行NAND闪存技术，使嵌入式应用产品能够灵活方便地升级存储容量。美光串行NAND闪存的最低芯片密度为1Gb，这样一来，客户就能够轻松地在串行NOR闪存现有存储能力
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英特尔美光量产34nm NAND闪存
英特尔和美光日前开始量产双方联合开发的34nm 32G MLC NAND Flash。 双方的合资公司IM Flash表示，明年将开始试产34nm低密度MLC（multi-level cell）和SLC（Single-level cell）产品。 该公司称34nm NAND flash量产
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东芝和SanDisk将重新分配NAND闪存合资企业的产能
东芝公司（东京证券交易所：6502）昨天宣布，东芝和SanDisk（纳斯达克股票代码：SNDK）已按照SanDisk的提议，就双方位于东芝日本四日市运营中心的两家生产300毫米 (mm) 晶圆NAND闪存的合资企业的晶圆产量、设备所有权
