利用NAND Flash实现嵌入式系统的远程更新
北京时间3月7日消息,根据集邦科技(TrendForce)旗下的分析部门DRAMeXchange的研究,针对对DRAM与NAND Flash产业的长久观察下,提出了对2012-2015年间产业发展的六大趋势预测:趋势一、PC-DRAM现阶段主流规格DDR3将主
根据集邦科技(TrendForce)旗下的研究机构DRAMeXchange调查指出,因中国农历年假期的销售状况,不如一些下游客户原先的预期,故在农历年长假过后,下游客户的库存回补意愿普遍不高,部分记忆卡及UFD业者也敦促NAND Fl
摘要:针对MPEG4格式压缩的视频数据,给出了采用NAND FLASH为存储介质,以FPGA为存储阵列的控制器,并用DSF作为数据处理的核心单元,来完成大容量视频数据存储的系统设计方法,同时对坏块的检测处理等关键问题提出了
摘要:针对MPEG4格式压缩的视频数据,给出了采用NAND FLASH为存储介质,以FPGA为存储阵列的控制器,并用DSF作为数据处理的核心单元,来完成大容量视频数据存储的系统设计方法,同时对坏块的检测处理等关键问题提出了
“移动世界亚洲峰会”日前在上海举行,记者从会上获悉,在一再延宕之后,泰国将在今年3季度拍卖3G牌照。Thitipong Nandhabiwat是泰国国家广播与电信管理委员会(NBTC)的助理副主席,他在峰会上透露了这条
美系记忆体大厂美光(Micron)拿下华亚科主导权后,正式扩大美系阵营的势力,华亚科总经理高启全表示,此举有利于台美日DRAM产业大整并,3方可整合DRAM及NANDFlash资源和技术,朝整合性产品发展,DRAM厂不能再像尔必达
加州大学和微软的研究发现,随着芯片尺寸缩小,NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm,SSD的延迟会增加一倍。加州大学的研究生Laura Grupp说,他们测试了7家SSD供应商的45种不同
延迟和错误率令SSD前景蒙上阴影
Nand Flash作为一种安全、快速的存储体,因其具有体积小、容量大、成本低、掉电数 据不丢失等一系列优点,已逐步取代其它半导体存储元件,成为嵌入式系统中数据存储的主 要载体。尽管Nand Flash的每个单元块相互独
基于磨损均衡思想的Nand Flash存储管理在TMS320F28x中的实现
外电报导,全球第二大内存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并财报:受内存价格下滑、PC需求趋缓的影响,净损达2,399亿韩元(2.131亿美元),逊于去年同期的纯益300亿韩元,已连续第2
2月6日消息,据国外媒体报道,美国Shentel(Shenandoah Telecommunications Company)今日宣布,公司已与Sprint Nextel达成合作协议,将在公司服务区域内提供4G LTE网络服务。根据协议,Shentel将在服务区域内提供Spri
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,2011年第四季NAND Flash市场在欧洲主权债券风暴持续发酵,为全球经济复苏带来了不确定的阴影笼罩下,使得市场对传统第四季旺季产生了旺季不旺的预期心理
全球NAND Flash产品市场发展现况与预测根据台湾工业技术研究院,从NAND Flash产品容量来看,2011年32Gb的出货量仍高于64Gb,2012年64Gb的出货量才超过32Gb,预估2012年~2013年的主流容量为64Gb。预估2014年~2015年的
英特尔的新款手机芯片在许多方面都让人感到意外,但最大的意外是其速度。评测网站Anandtech称,英特尔在国际消费电子展上公布的代号为Medfield的凌动Z2460芯片,远远超过部分市场上最快的手机。如果配置英特尔芯片的
有消息人士表示,苹果以3.9亿美元的价格完成收购以色列闪存盘部件制造商Anobit。据称,该收购价格较此前Anobit方面的报价要低。收购传闻最早于去年12月20日由以色列Calcalist报纸报道。当时消息称苹果拟5亿美元的价格
北京时间1月13日早间消息,美国芯片测评网站Anandtech周四发布了智能手机芯片测评报告,英特尔最新推出的智能手机芯片能够轻松击败当前市面上其他竞争对手。Anandtech网站创始人安南德•辛皮(Anand Shimpi)在报
根据市场研究机构Bernstein Research 公司分析师Toni Sacconaghi 报告指出,苹果公司在上一季买了全球NAND 快闪记忆体出货量的23% ,凭借着这么大的采购量,苹果拿到的成本价格可说是出乎意料之外的低。Sacconaghi 报
据工业技术研究院,随着2011年下半年景气看法越趋保守,全球半导体市场从成长5%下修至持平或衰退5%左右,全球内存市场也随之下修,从成长1.2%下修至衰退9.6%。其中DRAM衰退幅度最大达26.6%,其次Pseudo SRAM衰退10.1