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2011年DRAM市场衰退幅度达26.6%
据工业技术研究院，随着2011年下半年景气看法越趋保守，全球半导体市场从成长5%下修至持平或衰退5%左右，全球内存市场也随之下修，从成长1.2%下修至衰退9.6%。其中DRAM衰退幅度最大达26.6%，其次Pseudo SRAM衰退10.1
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苹果去年买进了全球 NAND 闪存的 1/4
苹果去年买进了全球 NAND 闪存的 1/4
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东芝、尔必达再谈整合
日系DRAM厂尔必达(Elpida)身陷财务风暴，近期传出在日本官方作媒下，正与同为日系NAND Flash大厂东芝(Toshiba)洽谈整合事宜。对此东芝和尔必达高层都不予置评。近期再度传出尔必达与东芝高层就合并及整合密谈协商，且
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2011年12月下旬NAND Flash合约价下滑3%-8%
根据集邦科技（TrendForce）旗下的DRAMeXchange的调查，由于市况持续不明，部分供货商与买方对于价格后市的看法较不一致，因此在交易冷清的情况下，12月下旬主流NAND Flash MLC合约价较12上旬的价格微幅下滑约3%-8%。
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如何用LED作光敏二极管
图1所示的简单电路是采用一只3.6V镍镉可充电电池供电，它能用一只LED探测光亮。电路实际上不消耗静态功耗。两只LED作为光敏二极管，用于探测和响应环境光。上方的小型透明红色LED包有一个黑套管，当有环境光时，它的
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快闪记忆体在嵌入式市场的创新应用
快闪记忆体在嵌入式市场的创新应用
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如何用LED作光敏二极管
图1所示的简单电路是采用一只3.6V镍镉可充电电池供电，它能用一只LED探测光亮。电路实际上不消耗静态功耗。两只LED作为光敏二极管，用于探测和响应环境光。上方的小型透明红色LED包有一个黑套管，当有环境光时，它的
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Q4 NAND Flash价格持续缓跌
根据集邦科技(TrendForce)旗下研究机构 DRAMeXchange 调查，由于自 2011年第四季初以来市场已先预期今年的年终假期电子销售旺季效应，可能会受欧债风暴的影响而呈现旺季不旺的状况，因此 NAND Flash 价格虽已在第三季
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固态硬碟出货量同比增长66%
研究机构IDC统计指出，第3季度固态硬碟（SSD）的出货量同比增长66%，营收较去年同期增长10%，市场表现活跃，预期明年将保持增长态势。在NAND Flash(储存型快闪记忆体记忆体)产品线当中表现突出，也成为市场瞩目焦点，
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基于MC9328MX21的多功能开发平台研究
基于MC9328MX21的多功能开发平台研究
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基于MC9328MX21的多功能开发平台研究
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淡出记忆体市场 日月光完成收购日月鸿
李洵颖／台北 日月光集团旗下记忆体封测厂日月鸿在主要客户力晶进行转型为代工厂的冲击下，由母公司日月光经公开收购程序，持有集团内记忆体封测厂日月鸿科技99%股权，完成收购程序。日月鸿目前力拼损益两平，若未来
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要找麻雀不找春燕
台湾发展半导体封测产业至今已逾20年，但力成科技董事长蔡笃恭绝对是个奇迹创造者，因为他不仅让力成当上封测股王，而且有很长一段时间，力成股价都是在百元以上，这是封测业者十分羡慕但却望尘莫及的。 另外一个
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树立行业新标杆：全球首款20纳米制程NAND设备
英特尔公司和美光科技公司日前宣布推出全球首款20纳米制程128 Gb多层单元（MLC）NAND设备，在NAND闪存技术领域树立了新的标杆。两家公司还宣布开始量产其20纳米制程64Gb NAND闪存，进一步扩展了双方在NAND制程工艺技
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台股弱 日月光矽品抗跌
(中央社记者钟荣峰台北2011年12月5日电)台股早盘指数虽小幅反弹仍震荡走弱，主要封装股表现疲软，成交量相对萎缩，日月光(2311)和矽品(2325)相对抗跌。 日月光平盘上震荡相对抗跌，股价上攻28元，站上短线均线，上
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泰国水灾过后固态硬盘的需求大增
自今年夏末以来，传统硬盘的价格一直在稳步上扬，因为全球70%左右的硬盘相关产品供应来自泰国，而泰国洪水造成了硬盘供应的短缺。最近惠普(微博)CEO梅格·惠特曼(Meg Whitman)就曾表示，该公司大客户近期受到了硬盘缺
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爱发科开发镍及钴的CVD装置，面向3D-NAND及Cu布线衬底用途
爱发科开发出了可使镍（Ni）及钴（Co）成膜的CVD装置“ENTRON-EX2 W300 CVD-Ni/CVD-Co”。设想应用于三维（3D）构造的NAND闪存单元及20nm以后的金属布线和Fin FET等领域。在“Semicon Japan 2011”（2011年1
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日本地震过后，NAND营业收入回升：可供泰国硬盘产业参考
据IHS iSuppli公司的移动与嵌入记忆体市场简报，在日本3月地震之后，NAND闪存产业快速复苏，为目前遭受泰国洪水冲击的硬盘厂商提供了宝贵经验。第三季度NAND闪存营业收入增长9.9%，达到52亿美元，扭转了第二季度下滑
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力晶将继续扩大NAND Flash产能
力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30nm 4Gb生产，而空出的产能将会以NAND FLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND 2Xnm的制程微缩。放远未来，力
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力晶将继续扩大NAND Flash产能
力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量，以最低的产能维持DRAM的技术发展，并于明年起全数转入30nm4Gb生产，而空出的产能将会以NANDFLASH填补，后续技术发展的重点也转移到NAND2Xnm的制程微缩。放远未来，力晶
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