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  • 在高频直流—直流转换器内使用650V碳化硅MOSFET的好处

    摘要 本文评测了主开关采用意法半导体新产品650V SiC MOSFET的直流-直流升压转换器的电热特性，并将SiC碳化硅器件与新一代硅器件做了全面的比较。测试结果证明，新SiC碳化硅开关管提升了开关性能标杆，让系统具更高的能效，对市场上现有系统设计影响较大。 前言 市场对开关速度、功率、机械应力和热应力耐受度的要求日益提高，而硅器件理论上正在接近性能上限。 宽带隙半导体器件因电、热、机械等各项性能表现俱佳而被业界看好，被认为是硅半导体器件的替代技术。在这些新材料中，兼容硅技术制程的碳化硅(SiC)是最有前景的技术。碳化硅材料的电气特性使其适用于研制高击穿电压器件，但是，远高于普通硅器件的制造成本限制了其在中低压器件中的推广应用。在600V电压范围内，硅器件的性能非常好，性价比高于碳化硅器件。不过，应用要求芯片有更高的性能，而硅器件已经达到了极限。最近几年，人们更加关注环境、能效和污染问题，导致电气能效标准趋严，这不只限于大功率应用，还包括低负载应用。现在，开关频率可以更高，同时开关损耗可以降至更低，本文介绍的650V碳化硅晶体管特别适合这种应用场景。 第一章 表1是4H SiC碳化硅器件与硅器件的特性比较表。如表1所示，碳化硅的宽带隙使电力电子器件具有很多优异特性。 表1. 碳化硅与硅材料特性比较 更高的关键应用准许使用掺杂程度更高的超薄裸片，使其损耗比其它芯片低很多。碳化硅热导率比硅器件高出很多，因此，功率损耗散热导致的温降在整个器件上都比较低。因为碳化硅的熔点温度更高，可以工作在400 °C范围内，这些特性让人们更加看好碳化硅器件在开关速度、损耗、Rdson导通电阻、击穿电压方面的性能表现。事实上，击穿电压高于1200V的碳化硅器件深受市场欢迎。是否选择超高击穿电压的碳化硅器件，不仅要考虑电气特性，还要考虑碳化硅的制造成本高于硅器件。对于600V电压以下碳化硅产品，以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圆片，而且生产设备非常昂贵，因此，碳化硅器件的性价比不如硅器件。今天，4吋和6吋碳化硅晶圆片非常常见，市场对碳化硅器件需求增长可以让厂商降低制造成本。600V SiC MOSFET开始出现在市场上，具有令人感兴趣的特性，适用于各种应用领域。 新器件: 650V SiC MOSFET 如前文介绍，硅功率MOSFET器件的性能正在接近极限。意法半导体开发出一个60兆欧姆 /650 SiC MOSFET产品原型，克服了600V功率MOSFET的性能极限。为证明这款650V SiC MOSFET的优势，我们将其与当前最先进的超结功率MOSFET对比。表 2 列出了这两种对比器件的电气参数。为了使测试条件具有可比性，我们选择两款150°C时RDSon参数相似的硅器件和碳化硅器件。 表2. 不难发现，Rdson参数对应的热导系数不同。如图1所示，碳化硅器件的Rdson基本上与温度无关，最高结温高于同级的硅器件，这准许工作温度更高，而不会导致损耗增加。开关损耗也是如此，见图2。 两个器件的另一个重差别是驱动这两个器件完全导通需要不同的栅电压，硅MOSFET是10V，碳化硅MOSFET是20V。 案例研究: 升压转换器 我们在一个标准升压转换器(图3)内对比分析650V SiC MOSFET与先进的硅器件，为了解650V SiC MOSFET的特性，我们用100 Khz和200KHz开关频率进行对比。 测试条件如下: VIN=160V，VOUT=400V，POUTmax=1600W，占空比=60%，升压二极管 = 碳化硅STPSC2006。栅驱动条件: · 硅MOSFET: VGS=0/10V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω · 碳化硅MOSFET: VGS=0/20V, RGON=5.6Ω, RGOFF=2.2Ω 为降低外部因素对测试结果的影响，我们选用了封装(TO247)相同的硅MOSFET和碳化硅MOSFET，安装相同的空气冷却式散热器，记录并比较在各种负载条件下的能效。如图4(a)和(b)所示，在fsw=200KHz时,碳化硅MOSFET的开关特性优于硅器件(100 Khz开关频率也是如此)，从图5 (a)和(b)的能效和热曲线不难看出，碳化硅MOSFET的开关特性明显优于硅器件。 在100 Khz和200 KHz开关频率时，两个测试显示，碳化硅MOSFET能效更高，封装温度更低。从图中不难看出，当高频率开关时，碳化硅的优势比较突出。 结论 新650V碳化硅MOSFET是面向高能效系统的最新产品。在硬开关应用中，这款产品能够提高能效，采用新的热管理方法，提高了功率/立方厘米比。对于其固有参数，这款产品将能够用于软开关应用，这是将来的研发目标。

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  • 中国研发投入额全球第二仅次于美国 重回10%以上增速

    近日消息，三部委共同发布的《2016年全国科技经费投入统计公报》显示，2016年我国研发经费投入总量为15676.7亿元，比上年增长10.6%，增速比上年提高了1.7个百分点。 这是自2012年以来研发经费增速持续4年下滑后的首次回升，也是研发经费在经历了2014年、2015年连续两年个位数增长后重新回到10%以上的增长速度。 研发投入强度接近发达国家水平 引导全社会加大对研发的投入，是落实创新驱动发展战略的重要基础，也是2020年我国进入创新型国家行列的关键因素。 近年来，我国研发经费投入持续增长，总量保持在世界第二位，与位列首位的美国的差距正逐步缩小。 2016年，从投入强度(研发经费与国内生产总值之比)来看，为2.11%，比上年提高0.05个百分点;按研究与试验发展(R&D)人员(全时工作量)计算的人均经费为40.4万元，比上年增加2.7万元。 国家统计局社科文司高级统计师关晓静表示，2.11%的研发投入强度虽然与OECD国家2.40%的平均水平还有距离，但已经超过欧盟15国2.08%的平均水平。近年来我国研发经费投入强度一直呈稳定上升趋势，与发达国家的差距逐年缩小。 关晓静称，我国研发投入再创历史新高得益于政府引导和政策环境的不断优化。2016年，国家财政科技支出达7760.7亿元，比上年增长10.8%，增速为近4年来的最高水平。 同时，一系列鼓励全社会研发投入的政策取得良好效果，以企业研发费用税前加计扣除政策为例，2016年享受该项政策的规模以上工业企业比上年增长20%，这些企业减免的所得税比上年增长8.9%。2016年，全国开展研发活动的规模以上工业企业比上年增长18.1%，投入的研发经费比上年增长9.3%，增速分别比上年提高2.6个和1.1个百分点。 基础研究经费占比达到10年来最好水平 公报数据还显示，基础研究经费占比继续回升。 基础研究是一个国家科研最重要的基础之一，发达国家均把增强基础研究作为提升本国科技实力的重要力量。 2016年我国基础研究经费为822.9亿元，比上年增长14.9%，明显高于应用研究经费(5.4%)和试验发展经费(11.1%)的增速。基础研究占比延续了上年回升态势，达到5.2%，为近10年来的最高水平。 从科研主体来说，企业对中国科研的拉动作用进一步增强，企业研发经费占全社会研发经费的比重保持在八成以上。 随着“双创”的深入开展，进一步激发了企业开展研发活动的积极性。2016年中国各类企业研发经费支出12144亿元，比上年增长11.6%，较上年提高3.4个百分点;企业对全社会研发经费增长的贡献为83.8%，比上年提升12.7个百分点，企业对全社会研发经费增长的拉动作用进一步增强。 在规模以上工业企业中，研究与试验发展(R&D)经费投入超过500亿元的行业大类有7个，这7个行业的经费占全部规模以上工业企业研究与试验发展(R&D)经费的比重为60.2%;研究与试验发展(R&D)经费投入在100亿元以上且投入强度超过规模以上工业企业平均水平的行业大类有9个。 广东居首、六省市研发经费超千亿 分地区看，研究与试验发展(R&D)经费投入超过千亿元的省(市)有6个。 他们分别是广东(占13%)、江苏(占12.9%)、山东(占10%)、北京(占9.5%)、浙江(占7.2%)和上海(占6.7%)。 另外，研究与试验发展经费投入强度超过全国平均水平的省(市)有8个，分别为北京、上海、天津、江苏、广东、浙江、山东和陕西。 关晓静说，研发投入强度看，我国与以色列(4.25%)、韩国(4.23%)、日本(3.49%)等创新型国家相比还有很大差距。从经费投入结构看，我国基础研究经费虽然实现两年连增，但仍处于较低水平，与发达国家15-25%的占比水平相比也有很大差距。 关晓静表示，未来几年，政府部门要进一步加大财政科技投入，充分发挥政府资金对全社会研发经费投入的引导和拉动作用;也要进一步完善创新政策体系建设并推动研发加计扣除等政策的有效落实，进一步激发市场主体开展研发活动的积极性;还要积极引导地方政府和企业加大对基础研究的投入，加强对前瞻性科学研究和原始创新能力的建设;同时要通过科研项目管理体制改革，提升研发经费投入的针对性和有效性，提高研发资金的使用效率。

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  • 高通向欧盟做出让步 380亿美元收购NXP有望获批

    近日消息，欧盟委员会表示针对380亿美元收购恩智浦半导体公司(NXP Semiconductors)交易，高通公司已经做出让步。 高通去年10月宣布，将以380亿美元收购恩智浦半导体公司。这将是全球半导体市场最大一笔并购交易。今年6月9日，欧盟对这笔交易展开全面调查，主要担心该交易将导致芯片价格上涨，削弱半导体行业的创新能力。 当天，据欧盟委员会在官方网站上称，高通已于10月5日提交了建议书，对收购条款作出了让步，但并未透露详细的信息。 在审查这笔交易期间，由于高通未能及时提供所需信息，欧盟曾分别于6月和8月两次中断审查。因此，原定于10月17日公布审查结果的计划也被推后。 分析人士称，该交易完成后，高通将成为快速发展的汽车芯片市场的领先供应商。今年4月，美国反垄断机构已无条件批准了这笔交易。之前就有分析人士称，要想获得欧盟的批准，高通可能要做出一些让步。 未来数日，预计欧盟将针对高通的建议寻求竞争对手和公众的评估。 2015年12月，欧盟还向高通发出了“异议声明”，指控高通利用其在手机芯片市场的主导地位打压竞争对手。  

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  • 富士通淡出半导体事业!8寸晶圆厂卖安森美

     近日消息，富士通宣布，旗下子公司富士通半导体(Fujitsu Semiconductor)所属的8寸晶圆工厂“会津富士通半导体制造公司”将卖给美国安森美半导体(On Semiconductor)。 富士通半导体已和安森美达成共识，安森美计划在2018年4月1日追加取得上述8寸晶圆厂30%股权、将持股比重从现行的10%提高至40%，且之后也计划进一步提高持股比重，目标在2018年后半提高至60%、2020年前半提高至100%。 据报导，富士通正加快淡出半导体等非核心事业、将公司资源集中至IT服务事业。据报导，安森美预估将出资约20亿日圆追加取得上述8寸晶圆厂30%股权，且该8寸晶圆厂收编在安森美旗下之后也计划扩增产能。

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  • 51亿元!高通在台湾被判不公平竞争被重罚

    10月11日，据中国台湾媒体报道，因被认定不公平竞争，高通遭台湾地区公平交易委员会罚款234亿元新台币(约合人民币50.96亿元)，创下台湾地区公平交易委员会有史以来最高裁罚纪录。 据了解，中国台湾公平交易委员会认为，高通在CDMA、WCDMA及LTE等移动通讯标准基频芯片市场具有独占地位，但却不向其他芯片厂商进行专利授权、采取不签专利授权就不提供芯片等手段进行垄断行为。 中国台湾公平交易委员会认定，高通的经营模式损害了基频芯片的市场竞争，直接或者间接阻碍了其他公司的竞争行为，属于不公平竞争。 按照中国台湾地区相关规定，对高通处以234亿元新台币罚款。 2015年2月中国内地对高通处以60.88亿元罚款，国家发改委认定高通滥用市场支配地位实施排除、限制竞争，高通此前持续申诉，但在最后一刻放弃了听证申辩，与政府部门达成和解。 2016年12月韩国公平贸易委员会（KFTC），对高通展开反垄断调查，认为高通在韩国市场利和销售智能手机芯片时妨碍市场竞争，高通在韩国滥用其市场主导地位，在销售芯片时强迫手机制造商为一些不必要的专利支付费用，决定决定对高通处以1.03万亿韩元(约9.12亿美元)的罚款，创下韩国反垄断史的最高罚金记录。

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  • 阿里云大数据学院落户青岛 欲5年培养五千名云计算等人才

     记者从青岛西海岸新区获悉，“山东科技大学・阿里云大数据学院”签约仪式11日在阿里巴巴云栖大会上举行。该学院由青岛西海岸新区、山东科技大学、阿里巴巴集团阿里云计算有限公司、青岛青软实训教育科技股份有限公司四方合作共建，是中国北方第一所由政府推动扶持的阿里云大数据学院，将在5年内培养5000名云计算、大数据云安全和人工智能方面的高端专业人才。 据悉，山东科技大学・阿里云大数据学院将引入阿里云ACF基础认证和ACP专业认证，形成包含留学生、研究生、本科生多层次的大数据专业人才培养体系，达到国内一流办学水平，并计划三年内打造立足青岛、面向全国、放眼全球的新型示范性大数据学院。 阿里巴巴集团是国际顶尖的互联网企业，更是国内大数据发展的领导者，在大数据人才培养方面具有丰富的资源和经验，其主导的云栖大会聚焦创新、创业、大数据、大平台，全方位展示云计算最新应用和实践成果，成为引领云计算行业创新发展风向标。山东科技大学拥有国家级创新创业孵化基地，在数据挖掘、数据分析和处理等专业具有较强的学科优势。青软实训是中国国内领先的IT职业教育和企业人力资源服务机构。 青岛西海岸新区拥有良好的大数据发展环境，截至2016年底，新区已集聚大数据相关企业2000多家，宽带端口总数超过130万个，通信光缆线路总长度超过3万公里，地区骨干网带宽最大值170G，互联网用户数44.5万户，基本实现4G网络无缝覆盖。海洋大数据、工业大数据、军民融合大数据开发与应用发展迅速，部分行业及民生领域的大数据应用走在全国前列。

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  • 贸泽电子与Basler 签订全球分销协议 开售Basler嵌入式视觉相机模块

    最新半导体和电子元件的全球授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics)宣布与全球领先的高品质数码相机和镜头制造商Basler签订全球分销协议。Basler的嵌入式视觉产品结合了最新的芯片和软件开发技术以及工业机器视觉技术，可组成高成本效益的板级相机系统，适用于工厂自动化、物流、机器人和工业物联网 (IIoT)。 贸泽电子现在供应的Basler产品线采用该公司的 dart系列相机模块和用于轻松评估与开发的嵌入式视觉套件。Basler dart相机系列主要用于满足各种各样视觉应用的需求。体积小巧的单板相机系列具有Basler的PGI功能集。PGI 提供强大的内部成像优化技术，可以在不增加CPU负荷的情况下全速优化图像。PGI 的独特之处就在于它将5x5去拜耳化、彩色抗锯齿、去噪和改善的锐化功能集于一身。dart相机模块采用Basler基于LVDS的BCON接口或 USB3 Vision标准接口，可以轻松集成、方便插拔，并可以稳定地传输数据。 贸泽同时还供应Basler易于使用的嵌入式视觉套件，使开发人员能够直接集成或评估相机。dart USB评估套件包含一个dart USB相机模块，而dart BCON for LVDS开发套件包含一个dart BCON相机模块和一个处理板。dart BCON模块具有基于LVDS 的BCON接口，而处理板基于Xilinx Zynq片上系统(SoC)。这两个套件均配有镜头、电缆和 pylon相机软件套装。此外，具有dart相机模块的开发套件还可以通过合作伙伴AAEON和Critical Link 的产品，与Intel® Programmable Solutions Group(以前称为 Altera®)FPGA搭配使用。

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  • 苹果也得为它打工 iPhoneX大卖三星数钱

     一个月以后(11月3日)苹果公司今年的重磅产品iPhone X就将开始正式发售。除了苹果本身希望靠iPhone X赚得巨额利润外，苹果在智能手机市场上的主要竞争对手三星也在期盼iPhone X能大卖——据《华尔街日报》报道，苹果每卖出一部iPhone X，三星将收入110美元。也就是说，苹果每卖出一部iPhone X，其超过10%的营收都要划入三星的账上。 市场分析公司Counterpoint预计苹果在未来两年内将售出1.3亿部iPhone X，这将使三星获得接近143亿美元的额外收入。 三星OLED屏幕生产冠绝全球 苹果大卖，三星赚翻，造成这样“尴尬”局面的原因在于三星为苹果iPhone X的主要供应商，包括芯片和OLED屏幕两个最重要的零部件均来自三星，尤其是OLED屏幕是三星所有对外供应的组件中最贵的部分，其为三星带来了巨额利润。 三星是全球唯一一家能生产OLED屏幕、NAND闪存和DRAM芯片的公司，而iPhone则是苹果的主要收入来源。《华尔街日报》也指出，上述屏幕、闪存、芯片业务带来的订单是三星电子元件业务的重要部分，占三星电子总营收的35%左右。 目前三星在OLED显示技术方面的主要竞争对手是LG，不过尽管LG最近加大了生产，直到今年年初，三星还是唯一一家拥有足够的人力(和技术力)生产苹果所需产品的制造商。 当然，苹果肯定不想看到自己的头号竞争对手因为自家的主打产品而赚得盆满钵满，《福布斯》便指出，有传言称苹果正考虑从2019年开始使用LG的OLED屏幕。 其实在苹果正式发布iPhone X之前，明基证券知名苹果分析师郭明錤(MingChi-Kuo)便透露，苹果每卖出一部iPhone X，就将为其零部件供应商支付120-130美元。 苹果为什么使用三星零部件? 芯片和屏幕是智能手机最关键的部件，芯片如同手机的发动机，而屏幕则决定了所有手机功能的呈现。 苹果和三星作为当今全球最大的两家智能手机供应商，为市场份额争得你死我活，那为什么苹果还执意要使用三星的芯片和屏幕，让对手扼住自己的咽喉?苹果的苦衷在于除了三星，别无选择。 由于iPhone的生产规模巨大，苹果必须要一家能够在特定时间区间内能够满足其生产需求、并提供高质量产品的制造商，能满足这个条件的只有三星。 韩国新闻网站ETNews去年8月报道称，三星曾将其OLED屏幕生产线全部投入生产，正是为了给iPhone X供货，当时三星的OLED产量便从每月1.5万台跃升至每月10.5万台之多! 苹果之前也尝试使用过其他制造商的产品，但往往以失败告终。例如从2014年开始，苹果就开始使用中国台湾制造商台积电生产的芯片，但显然台积电的产量并不能达到苹果的需求。因此，去年7月苹果又将制造商换回了三星。 三星爆炸、苹果iPhone 8发售遇冷 尽管“相爱相杀”的苹果和三星牢牢占据着全球智能手机市场领头羊地位，但最近两年来两家公司均遭受到了不小的挑战。 2016年，三星推出Galaxy Note 7平板式智能手机。然而，因该产品于世界各地连番发生爆炸事故，三星最终决定全球回收并停止生产，宣传也全面下架，放弃Galaxy Note 7不仅影响到三星业绩甚至连韩国的经济也受到牵连。 苹果方面，每出新品必然口碑炸裂，引起抢购的现象在此次发布iPhone 8后戛然而止，iPhone 8也因发售当天无人排队而被冠以“史上最尴尬的iPhone”的称号。 彭博社报道称，罗森布拉特证券公司(Rosenblatt Securities)分析师张军(音译)在给客户的报告中称，iPhone 8的预订量惨淡，其中在中国最为明显。据京东的数据显示，在接受预订后的三天时间内，消费者共订购150万台iPhone 8，而iPhone 7同期的订单数约为350万台。张军说： “我们知道前期的预订量并不能反映出iPhone 8的整个周期，况且iPhone X还没有正式发布，但我们很担心，可能为此要减少iPhone 8的生产，而由于产能的原因，明年一季度之前可能也很难买到iPhone X。”

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  • 电池鼓包!iPhone 8电池爆裂事件增至5起

    继日本、台湾、香港用户出现iPhone 8/8 Plus电池爆裂事故后，媒体又新报道了两起。 据MacRumors，来自加拿大多伦多的读者Anthony Wu提供线索称，自己周日刚拆封的一台iPhone 8 Plus出现了屏幕被撑开的问题，中框附近可以看到明显的变形，怀疑与电池鼓包有关。 他的这台iPhone 8P已经在周一退回。 与此同时，希腊的iRepair维修商店爆料称，他们收到的一起案例是，昨晚拆封的iPhone 8充了一夜电，早上起来，屏幕就撑开了。 机主强调，自己用的是原装充电器和数据线。 截至发稿，iPhone 8/8 Plus的的屏幕撑爆事故已经至少公开了5起。 MacRumors表示，针对台湾和日本的那两起，苹果当时就表示已经获悉并展开调查，但迄今没有动态披露。 不过，对于已经卖出的数百万部iPhone 8来说，五起完全可以归咎为正常范围内的电池问题。对比Note7，在召回前的事故案例多大上百起，同时伴随的还有起火等严重硬伤。 大家怎么看这事?

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  • 苹果供应商Dialog宣布3亿美元并购Silego

    近日消息，据外媒报道Dialog Semiconductor 宣布以2.76亿美元现金并购总部设于美国加州圣塔克拉拉的未上市企业Silego Technology Inc.。 10月5日公布的数据显示，Dialog、Silego的共同客户包括亚马逊、Canon、谷歌、Fossil、LG、微软、Panasonic 、三星电子、nest、Sony、广达。 Dialog格现有客户还包括鸿海、华为(Huawei)、博世(Bosch)、小米、Oppo、vivo、Plantronics、魅族、爱信精机 (Aisin)、任天堂(Nintendo)、Mitsuba。 Silego现有客户还包括Arris International plc、仁宝、戴尔、fitbit、Garmin、技嘉、GoPro、Harman、宏达电、英业达、Konica Minota、联想/摩托罗拉、 微星 、Nike、和硕、Synapse、东芝。 Silego是一家可编程混合信号IC(CMIC)领导厂商、员工总数约235人，2017年营收预估将超过8千万美元、2018年可望有两位数的成长幅度。 这项并购案(预计在2017年底完成所有程序)将可巩固Dialog在物联网(IoT)、移动运算以及车用芯片市场的领导地位。 Thomson Reuters报导，Dialog首席执行官Jalal Bagherli在电话会议上表示，Silego团队若在未来15个月内达成营收目标、并购价将会增加3,040万美元。 fastcompany.com曾报导，苹果供货商Dialog半导体于2016年11月砸1千万美元投资无线充电技术开发商Energous。 Dialog、Energous于今年1月底发表策略合作后的首款产品「DA4100 WattUp IC」。 此次收购也可望使得Dialog的潜在市场规模扩大逾14亿美元，同时推升2018年每股盈余以及毛利率。Dialog过去也曾尝试展开购并，包括一项以46亿美元收购Atmel的交易，但最终宣告破局。此次交易已获得双方公司董事会的同意，最快年底前可完成交易案。

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  • Adafruit 创客级Feather nRF52 Bluefruit开发板登陆贸泽

     专注于新产品引入 (NPI) 与推动创新的领先分销商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售Adafruit的Feather nRF52 Bluefruit。Feather nRF52 Bluefruit属于Adafruit的Feather系列，是一种独立的可堆叠开发板，兼容Arduino并采用低功耗蓝牙®技术，同时内置有USB和电池充电接口。使用强大的板载Nordic片上系统(SoC)，工程师和创客可以直接在开发板上运行代码，而不需要外部微控制器，因此可以为各种物联网(IoT)、可穿戴设备、照明、MIDI音频及其他应用提高性能并降低能耗。 贸泽电子供应的Adafruit Feather nRF52 Bluefruit在原来的nRF51 Bluefruit模块基础上进行了改进，其闪存、SRAM和性能是nRF51 Bluefruit的两倍，并新增了对Arduino集成开发平台(IDE)的本地支持。此款Feather搭载了Nordic nRF52 SoC，此SoC基于32位Arm® Cortex® M4F处理器，并配有512 KB闪存和64 KB RAM。此SoC的嵌入式2.4 GHz收发器提供最高4 dBm 的传输功率，在低功耗蓝牙模式下接收器灵敏度为-96 dBm。 此开发板具有一系列外设，包括19个通用输入和输出(GPIO)、8个模拟输入和 3 个4路输出PWM模块。内置的USB转串口转换器支持快速编程和调试，标准锂聚合物电池接口提供板载USB电池充电功能。51 × 23 × 8 mm的尺寸，仅5.7 克的重量使此开发板成为了名副其实的轻薄型无接头开发板，可与几乎所有不需要UART的Adafruit FeatherWings电路板搭配使用。

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  • 贸泽开售面向工业4.0的Maxim MAX14819双IO-Link 主机收发器

    专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 宣布即日起备货Maxim Integrated的MAX14819 IO-Link®主机收发器。MAX14819的独特架构可以将功耗最高降低50%，完全兼容所有模式下的IO-Link和SIO通信，使设计人员能够将智能传感器应用于工业4.0或工业物联网 (IoT)。 贸泽供应的Maxim MAX14819双通道IO-Link主机收发器集成有内部成帧器/UART，具有最灵活的架构，同时实现了最短循环周期(最高400毫秒)。有了这款收发器，微控制器中就不必再配备UART ，从而可以降低物料清单(BOM)成本。该器件强大的L+ 电源控制器提供可设置的电流限制和反向电压/电流保护来保证稳定的通信以及最低功耗。 此收发器集成了两个低功耗传感器电源控制器以及先进的电流限制、反向电流阻断和 反向极性保护功能以实现强大的低功耗解决方案。该器件提供可选的驱动电流(100 mA至500 mA)，支持9 V到36 V的供电电压。此外， MAX14819 还具有仅1 Ω的典型低导通电阻，因此有助于降低功耗。 贸泽即日起开放订购的Maxim MAX14819双通道IO-Link主机收发器采用专门针对-40到+125℃环境设计的48针4 mm × 4 mm TQFN 封装。另外贸泽还库存有MAX14819EVKIT评估套件，可帮助工程师测试板载MAX14819收发器。此套件的Windows® 7兼容软件所提供的图形用户界面 (GUI) 可帮助用户体验该器件的功能。

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  • ROHM荣获德国大陆集团“2016年度最佳供应商”殊荣

    全球知名半导体制造商ROHM于7月12日(周三)在德国雷根斯堡举行的德国大陆集团(Continental AG)2016年度供应商表彰仪式上，连续第3年荣获通用IC、分立半导体门类“年度最佳供应商”殊荣。 大陆集团在全球各地约有100个生产基地，2016年全年共和2700多家供应商合作，购入了近1200亿个零部件。 另外，对满足公司所制定标准的900多家战略合作供应商，还会从质量、技术、物流、成本等各种发方面进行综合评估，每年表彰优秀供应商。2016年度，共有15家公司被评选为最佳供应商。 在表彰仪式上，大陆集团执行董事会主席Elmar Degenhart博士和大陆汽车集团采购负责人Günter Fella谈及质量的重要性时说到：“我们的目标很明确，就是要在工作的各个方面系统性地实行零缺陷。为此，供应链上的所有公司都必须把质量标准融入企业的DNA中。落实到员工的日常工作中，让品质管控成为每一个流程不可或缺的环节”。 ROHM Semiconductor GmbH公司(德国)社长Christian Andre先生在获奖时高兴地说到“作为时刻将质量第一铭记于心进行产品制造的全体员工的代表，能够获得这个奖项我感到非常高兴。这次能够获奖是对罗姆从1958年创业以来一直倡导的质量第一的企业态度的肯定。今后，罗姆将会努力提供更高品质、更高性能的产品以及最好的服务。”

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  • 艾迈斯半导体进一步扩大新加坡生产制造能力，满足全球市场对光学传感器解决方案的需求

     中国，2017年9月25日，全球领先的高性能传感器解决方案供应商艾迈斯半导体公司今日宣布在新加坡裕廊集团淡滨尼纳米空间建立新的制造工厂。艾迈斯半导体公司将运营全自动化的净室和先进滤波器沉积技术，用于制造高精度、一流微型光学传感器。此外，艾迈斯半导体公司还将投资一条新的VCSEL(垂直腔面发射激光器)研发和生产线。 未来三年，艾迈斯半导体公司将在淡滨尼生产项目中投入近2亿美金，其中包括净室设备的配置、VCSEL新厂房的建造以及淡滨尼纳米空间工厂传感器的制造生产。加上今年早些时候宣布的宏茂桥新工厂建设计划，艾迈斯半导体公司将极大地促进新加坡电子和精密工程行业的发展。 艾迈斯半导体公司在新加坡的持续扩张也直接顺应了客户对其先进传感器解决方案和高端光学封装的大量需求。在淡滨尼纳米空间高科技园，艾迈斯半导体公司将为先进的移动应用设备制造微型光学传感器。这个新工厂将不仅完善宏茂桥新厂和奥地利生产厂的制造能力，还能有效加强公司与世界各地主要制造合作伙伴的协作关系。 淡滨尼纳米空间工厂的建成是为了满足尖端半导体制造的严格要求。在该项目的开幕仪式上，艾迈斯半导体公司管理委员会成员陪同新加坡贸易与工业部高级政务部长S.Iswaran先生参观了淡滨尼纳米空间新工厂。 艾迈斯半导体首席执行官Alexander Everke先生表示：“新加坡是艾迈斯半导体研发及制造战略中的重要组成部分。我们持续在当地开展差异化技术、先进设备以及雇员方面的投入，并致力于在新加坡的长期发展，提供尖端的设计和制程技术。非常感谢新加坡政府和新加坡经济发展局(EDB)，以及裕廊集团的不断支持，通过协同合作，我们将使新加坡成为全球领先的半导体设计和制造中心。” 新加坡经济发展局助理局长林国强(Lim Kok Kiang)先生则表示：“我们很高兴看到艾迈斯半导体公司在进行业务扩张时选择了新加坡和裕廊集团淡滨尼纳米空间。艾迈斯半导体的决定证明了新加坡在先进半导体生产制造领域所具有的吸引力。艾迈斯半导体新的生产扩展决策也与新加坡政府希望在物联网应用传感器等领域捕捉新发展机遇的期望相契合。” 全球领先的众多设备制造商均仰赖艾迈斯半导体的传感器捕获并分析光线、颜色、图像和声音，以提高产品精确度和安全性，并测量位置、环境和医学参数的微小变化。艾迈斯半导体的传感器解决方案在一系列定义当今所处世界的产品和技术中处于核心地位，其中包括智能手机、移动设备、智能家居和楼宇、工业自动化和车联网，以及其他许多需要进行数字化转型的产品设备。

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  • SUN EUROPEAN PARTNERS 收购 C&K

    Sun European Partners, LLP(下称「Sun European Partners」)的一家关联公司今天宣布, 该公司收购了 C&K 控股(下称「C&K」或「公司」), 收购金额未有公布。C&K 是全球最受信赖的高品质机电开关品牌之一。 C&K 成立于 1928 年, 拥有广博的产品组合, 可为设计、生产和经销电子产品的公司提供 55,000 款标准产品和 850 万种开关组合。此外, 公司无与伦比的定制设计能力深受全球倚重可靠开关性能的工程师的认同。 C&K 总部位于马萨诸塞州牛顿市, 在美国牛顿、法国多尔和中国惠州等全球设计中心拥有超过 1,500 名员工。C&K 向工业、汽车、航空太空、医疗、消费品、运输和电信行业的 2,000 多名客户提供可靠、经济、高品质的机电开关。 Sun European Partners 总经理 Jerome Nomme 表示：「我们对本次高潜力的投资感到兴奋。高度分散化的机电开关市场全球规模预计达到 60 亿欧元。C&K 可以加强其领先的市场地位, 进一步巩固其作为优选制造商的地位。我们渴望与 C&K 携手合作, 推动该公司的盈利性增长。」 C&K 首席执行官 John Boucher 补充道：「与 Sun European Partners 携手合作对于 C&K 而言是一个重要里程碑。他们的投资是对我们的迅猛增长和业务成功的高度认可, 而我们的市场领先地位和独特能力将使我们为未来成功做好准备。通过将我们的优势与 Sun 的优势结合起来, 我们有机会进军新市场, 同时在现有产品组合基础上增加新的富有创意的开关产品。」 Sun European Partners 在法国的公司收购领域富有经验。其关联公司中包括许多领先企业, 比如全球最大的化妆品、个人护理产品和药品包装生产商 Albea;全球领先的高品质汽车刹车管供应商 Flexitech;全球白色家电能源管理专家 Robertshaw。最近出售的关联公司包括出售给全球著名服装生产商 HanesBrands 的 DBApparel (DIM、 Playtex、Wonderbra)以及出售给 Lisi 集团的 Manoir Aerospace。 收购过程由 Lincoln 国际公司负责管理, 在此过程中 Kirkland & Ellis、Ernst & Young 和 DLA Piper 为 Sun European Partners 提供咨询服务。Tikehau 则为此提供收购融资服务。

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