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  • 中芯国际追逐芯片强国梦：在2018年就要投产更先进的制程工艺

      2016年，全球五大芯片代工(晶圆代工)厂商中，来自中国台湾的就有台积电、联华电子和力晶科技三家，来自美国的格罗方德在全球是仅次于台积电的第二大芯片代工厂商，中国大陆只有中芯国际一家。目前来说，中芯国际已经能为全球客户提供350纳米到28纳米的芯片代工和技术服务。中芯国际能给客户提供全方位的芯片代工解决方案，能为客户代工逻辑芯片、耐高压芯片、系统芯片、闪存芯片、混合信号/射频收发芯片、电源管理芯片、图像传感器芯片和微型显示器芯片等等。 日前，集邦咨询报道：包括中芯国际和华力微电子等所有的中国大陆(本土)芯片代工厂商，现在投入量产且最先进的制程工艺是28纳米工艺。然而，拓墣产业研究院在近日公布的数据显示：中芯国际在2016年实现28纳米工艺产能，占到全球28纳米工艺总产能的比重仅为0.7%。同理，台积电、格罗方德和联华电子则分别占比为66.7%、16.1%和8.4%、集邦咨询称：“未来随着各外资厂商新厂的落成投产，等待大陆本土厂商的将是来自外资厂商在技术、人才、市场等多方面资源的直接竞争，中国大陆晶圆代工厂先进制程布局将全面开战。” 一方面，2018年下半年，台积电会向在南京的工厂导入16纳米FinFET工艺。2019年年末，格罗方德会向位于成都的工厂导入22纳米FD-SOI工艺。联华电子计划最快在2017年第二季度向厦门工厂(联芯)导入并投产28纳米工艺。另一方面，虽然中芯国际已经投产28纳米工艺，但仍需对高端的28纳米HKMG工艺深入探究。面对台积电、格罗方德和联华电子等对手，中芯国际接下来该怎么办?有一个好消息是：中芯国际计划在上海新建(一座)300毫米晶圆工厂。2018年，中芯国际就要在新建工厂投产14纳米工艺。 2015年6月，中芯国际和华为、高通、IMEC共同签下合作协议，合作研发14纳米工艺。中芯国际希望在2020年以前能有自己的14纳米工厂。中芯国际追逐芯片强国梦，为了尽早追上台积电、格罗方德和联华电子等对手，从研发28纳米工艺直接跳级到研发14纳米工艺。未来，中芯国际很可能从研发14纳米工艺再跳级到研发7纳米工艺。事实上，前不久，中芯国际CEO邱慈云对外提到，中芯国际在2017年晚些时候即会投入资金和人力来研发7纳米工艺。   从2011年到2016年，中芯国际在研发上的投入总体呈上升趋势。2015年和2016年，中芯国际在研发上的投入分别为2.37亿美元和3.18亿美元。从2012年开始，中芯国际才步入到了盈利阶段。2016年，中芯国际实现收入29.14亿美元，实现利润3.77亿美元。

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  • 中国建首个半导体薄膜设备生产基地

     近日，由沈阳拓荆科技有限公司建设的我国首个半导体薄膜设备生产基地在沈阳市浑南区落成投产。该基地一期可容纳1000人规模的研发制造团队，年产能可达100台(套)，实现产值15亿元。全部达产后，年产能可达350台(套)。 我国是全球最大的电子制造国。IC即集成电路是电子设备中最重要的组成部分，承担着运算和存储的功能，是计算机、数字家电、通信等行业的“心脏”。据行业协会发布的数据显示，去年，我国集成电路产业总营收达4335.5亿元，同比增长20.1%。 沈阳拓荆科技是由海外技术专家组建的高新技术企业，创立于2010年4月。2015年，拓荆科技获得国家集成电路产业投资基金(简称“国家大基金”)2.7亿元战略投资，是“国家大基金”在辽宁投资的第一家企业。同年，拓荆科技新厂区在沈阳市浑南区破土动工。新厂区占地面积5.2万平方米，拥有先进的研发设备、场所及生产用十级、百级和千级无尘洁净间，是我国首个半导体薄膜设备生产基地。 此前，该技术一直被发达国家垄断，设备进口严重受限，极大地制约了国产芯片产业发展。作为IC装备核心装备之一，该项目的建成一举填补了国内空白，显著提升了我国集成电路产业整体竞争力。拓荆科技的产品性能、指标达到国际一流设备水平，设备国产化率超过70%，产能是进口设备的1.1倍，成本却比进口设备低了30%。 截至目前，拓荆科技已申请专利316项、授权专利103项，公司年产值始终保持100%以上的增速，现已成为国内唯一能够生产适用于大规模集成电路生产线的半导体薄膜设备供应商。

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  • 3D芯片堆栈技术向数据中心抛媚眼

     运算密度跟不上因特网流量增加速度，数据中心分析之数据量的成长速度前所未有;要解决这个问题，需要更大的内存带宽，而这是3D芯片堆栈技术展现其承诺的一个领域。 被甲骨文(Oracle)取消的一个微处理器开发项目，在传统制程微缩速度减缓的同时，让人窥见未来高阶芯片设计的一隅;该Sparc CPU设计提案的目标是采用仍在开发的芯片堆栈技术，取得越来越难透过半导体制程技术取得的优势。 在上述概念背后的研究人员，是甲骨文在今年初被裁撤的硬件部门之一员;但他的点子化为一家顾问公司而存活了下来，并且已经开始与美国硅谷的半导体业者进行合作。 甲骨文前任资深首席工程师、创办了一家三人新创公司ProPrincipia的Don Draper表示：「我看得越深，越觉得这是一条可以走的路。 」 Draper指出：「运算密度跟不上因特网流量增加速度，数据中心分析之数据量的成长速度前所未有;要解决这个问题，需要更大的内存带宽，而这是3D芯片堆栈技术展现其承诺的一个领域。 」 在一场去年底举行的研讨会上，Draper展示了现有的Sparc处理器如何能重新设计成两颗尺寸较小、相互堆栈的裸晶;其中一颗只有处理器核心与高速缓存(caches)，另一个则是以N-1或N-2制程节点制造，以一半数据速率运作，乘载串行器-解串行器(serdes)等周边，以及L4高速缓存与芯片上网络──可降低成本与功耗。 Draper表示，新架构芯片的核心数量与L3高速缓存也能增加近一倍，特别是如果堆栈技术采用新兴的微流体冷却(microfluidic-cooling)技术：「在相同的技术节点，可以将性能提升两倍。 」     一颗大型CPU能被重新设计成两颗成本较低的芯片，并取得在功耗、性能方面的优势 (来源：ProPrincipia) 高风险却适用机器学习的设计提案 Draper并指出，新兴的芯片堆栈技术是将一个主处理器与一个加速器绑在一起、以因应内存密集任务例如机器学习应用的理想方案;而相反的，若采用芯片对芯片互连例如CCIX与OpenCAPI：「就像在用吸管吸汽水。 」 此外Draper也建议在后缘的裸晶采用整合式稳压器(integrated voltage regulator，IVR);他估计，采用相对较小的磁性电感(magnetic inductors)，该IVR能节省功率以及电路板站为面积，并将芯片的数据传输速率提升到150MHz。 尽管如此，Draper坦承，这个他在甲骨文提出的设计提案，也就是在最顶级的M系列处理器采用芯片堆栈技术，是非常高风险且巨大的承诺;举例来说：「如果在(芯片堆栈)实作过程中出了任何问题，最顶端的裸晶可能就会无法使用。 」 该芯片堆栈采用内存堆栈使用的硅穿孔(TSV)技术，该结构是规律的，但对于高密度、不规则的逻辑芯片来说会很棘手;TSV在厚度上也相对较高，在周遭也需要有保留区域。 Draper声称，芯片堆栈的散热问题大部分可以被解决;具备高导热性的铜接口能轻易地将热从温度较高的顶部裸晶，透过散热片或是风扇从对温度较低的底部裸晶排出。     Sparc T2处理器重新设计为两颗中型尺寸芯片，能将功耗降低17.3% (来源：Moongon Jung, Georgia Institute of Technology) Xperi (编按：原为Tessera)旗下的Invensas，在室温晶圆/裸晶堆栈技术方面是领导者;其技术也是新创公司ProPrincipia创办人Don Draper认为微处理器设计工程师将会用到的。 Invensas的DRAM堆栈可望在2019年量产，接着是处理器、ASIC、GPU与FPGA等各种组件。 Invensas总裁Craig Mitchell表示：「我们现在的目标是与客户沟通，取得他们的晶圆片，因为每个人的制程与硅穿孔(TSV)技术都有点不太一样。 」 另一个障碍是避免晶圆切割时产生的微小颗粒污染;他指出：「我们正在取得良好的进展，能展现4层的DRAM堆栈;另外我们正以3D DRAM为出发点，因为这是一个大规模的市场，而且如果你能在DRAM领域证实技术，将技术转移到任何地方就会容易许多。 」 Invensas是为Sony等厂商采以6~14微米间距的晶圆对晶圆技术接合氧化物，来堆栈CMOS影像传感器而立足市场;在明年某个时候，Invensas预期能迈向下一步，提供能封装一组MEMS传感器的制程技术。 接下来Invensas则将提供新开发的裸晶等级直接结合互连(die-level Direct Bond Interconnect，DBI)，以链接传感器与逻辑芯片;该技术已经授权给具备一座大型MEMS晶圆代工厂的Teledyne Dalsa。 最终Invensas的目标是让DBI互连能小于1微米，好将大型芯片转换成相互堆栈的小芯片数组。     Draper展示了类DBI芯片堆栈的横切面 (来源：ProPrincipia) 也有其他厂商准备进军此一领域，以较低成本的2.5D芯片堆栈技术，将裸晶并排在相对尺寸较大、较昂贵的硅中介层(interposer)上。 例如台积电(TSMC)在不久前宣布，正在开发一个新版本的晶圆级扇出式封装技术，名为整合式扇出封装(InFO)，目前应用于手机应用处理器。 此外台积电也将扩展其2.5D CoWos制程，可在约1,500 mm2面积的基板上放最多8颗的HBM2 DRAM。 Mitchell表示，扩展的InFO技术之40微米I/O焊垫与65mm2基板，不会与Invensas采用DBI技术的更大、更高密度芯片堆栈直接竞争。 但市场研究机构Yole Developpement封装技术分析师Emilie Jolivet表示，最近联发科(Mediatek)宣布，将在一款数据中心应用之芯片使用InFO，显示该技术正在伸展触角。 不过Mitchell表示，DBI与InFO式两种完全不同的技术，后者是一种封装技术、将精细节点的芯片链接到较大节点的印刷电路板链路，而DBI则是采用精细链接的芯片对芯片互连。 举例来说，苹果(Apple)的A10应用处理器采用InFO技术，将220微米间距的裸晶接口，转接至印刷电路板的350微米接口;相反的，DBI正被测试应用DRAM之间40微米的触点，可望在未来能堆栈到8层高。 至于英特尔(Intel)，则是开发了EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge)技术，一开始使用于大型FPGA链接外部的串行/解串器;Jolivet认为EMIB技术将改变市场局势，并扩大封装技术领域的战场。 而Mitcell则指出，EMIB也不会与DBI直接竞争，并质疑该技术能扩展到多大程度;他表示，DBI目前最大的竞争对手是热压接合(thermal compression)技术，但被限制在25微米以上的互连：「25微米看来是一道难以突破的障碍。 」 Yole Developpement表示，Apple在A10处理器采用的台积电InFO技术，可说是扇出式封装技术发展在去年的一个转折点;最近该机构有一篇报告指出，扇出封装的设备与材料可望取得40%的复合成长率。

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  • 中国创新企业强势出击CommunicAsia 2017与BroadcastAsia 2017

    作为亚洲最大的信息通信技术与广播电视行业盛会，CommunicAsia 2017与BroadcastAsia 2017将于2017年5月23日至25日在新加坡隆重举行。来自中国的319家企业将在两大展会上强势出击，组成规模最大的国际参展代表团，这其中包括7个团体展团以及众多中国知名科技企业，如中国卫通、中科大洋、烽火通信、海信、海思半导体、软通动力、华为、高斯贝尔数码、数码视讯、中天科技等。它们将展示云技术、物联网、OTT、智慧城市以及虚拟现实的最新发展成果。 近年来，在国家政策的驱动下，中国科技创新能力突飞猛进，引发世界瞩目。软通动力(iSoftStone)集团副总裁刘耀东先生表示：“随着全球数字化快速转型，中国政府提出了“互联网+”、“中国制造2025”、“大数据”、“供给侧改革”等一系列规划纲要，为全面促进各产业转型升级带来了重大利好。与此同时，在“一带一路”战略的带动下，越来越多的中国企业也参与到了全球数字化转型浪潮中，软通动力积极投身其中。在今年的CommunicAsia展上，软通动力将带来在城市级、企业级等不同领域的多种数字化转型解决方案，助力各个行业实现数字化转型。” 随着公司和产品的日渐成熟，不少中国科技企业已将目光投向国际市场。美国迪罗基公司发布的数据显示，东南亚在2016年以19亿美元的交易总量，成为中国企业对外收购中第三大交易市场。而2015年，这一数字还仅为1.93亿美元。迪罗基产业分析人员表示，中国在东南亚的科技投资将会越来越多2。 UBM SES项目总监黄永权(Victor Wong)先生表示：“自从2014年起，参与CommunicAsia与BroadcastAsia的中国企业数量已增加了54%，呈逐年递增状态。南亚市场对于中国科技企业来说存在着许多潜在机会。随着中国科技企业拓展海外市场的决心日益坚定，我们相信CommunicAsia与BroadcastAsia将能有效地帮助他们进军南亚市场。” 今年，来自58个国家的1,700家参展商以及38个国际展团将为企业和政府展示一个采用多项最新技术与创新的生态系统，以帮助他们紧跟数字化时代的步伐。CommunicAsia 2017和BroadcastAsia 2017两场展会将分别在新加坡滨海湾金沙会展中心(Marina Bay Sands)和新加坡新达城会展中心(Suntec Singapore)举行，总面积达到65,000平方米，预计会迎来48,000位与会者。 CommunicAsia和EnterpriseIT展会亮点 全世界36亿网民中有一半来自亚太，这令亚太地区迅速成为全球数字化创新中心。据麦肯锡预计，移动互联网、物联网(IoT)、云技术、3D打印以及高级机器人技术将有望为东南亚带来30%的GDP增长，对中国GDP增长的贡献也将多达22%3。 鉴于技术对亚太地区的经济影响越来越大，CommunicAsia和EnterpriseIT致力于汇聚全球ICT市场的知名企业，展示可以帮助亚洲企业和城市实现数字化转型的最新技术和创新成果。NXT@CommunicAsia将占据滨海湾金沙会展中心5楼的整个楼层，专注于展示智能城市方面的创新成果与突破性科技，其中包括人工智能、大数据、云技术、物联网、网络安全机器人以及AR/VR。NXT还将特设一个面向初创企业的Distruptive +专区，这是CommunicAsia历史上首次设立初创企业专区。届时30家初创企业将在此展示众多产品。作为全球规模最大的新兴市场初创企业竞赛，SeedStarsWorld也将首次在CommunicAsia上亮相。 作为一家专注于全景影像技术和智能算法研究的企业，南京泓众电子科技有限公司(Hznovi)将首次登陆CommunicAsia，并在NXT@CommunicAsia展示它们的一系列新产品。“我们将全景相机和智能算法相结合，添加了比如移动目标跟踪等算法，从而让全景相机变得更加智能，并给用户带来全新的VR视觉体验。这款相机可以广泛应用于安全、智慧城市、个人消费等领域，”泓众科技首席科学家、中科奥森董事长李子青先生表示：“作为一个全球性的技术交流平台，CommunicAsia可以很好地帮助包括Hznovi在内的中国科技企业在国际范围内展示自己的创新技术和解决方案。” 超过230位来自顶尖科技企业的首席高管将在CommunicAsia 2017峰会上发表重要演讲，并就如何驾驭如今“超连接”的数字化时代提供宝贵见解。Fast Future Research公司的首席执行官Rohit Talwar先生将作今年的未来展望，其演讲题目为：人工智能与真正的愚蠢——利用指数技术打造一个人性化的未来。 BroadcastAsia展会亮点 随着亚洲的广播电视公司开始过渡到基于IP(互联网协议)的系统，虚拟现实的叙事方式获得广泛关注，以及OTT成为广播电视的主流，BroadcastAsia 2017将呈现一个采用最新端到端解决方案的生态系统。 未来四年，增强现实(AR)和虚拟现实(VR)市场预计将增长至800亿美元，而单单中国市场就有望在2020年之前达到85亿美元的规模4。为使亚洲地区的广播电视公司及内容制造商掌握这一领域的新兴技术，BroadcastAsia将在2017年首次设立虚拟现实专区。 电视无处不在!专区(TV Everywhere! Zone)将在今年第三次与观众见面，并通过更大的展区重点展现非线性广播解决方案。电影摄制/胶片/制作技术专区(Cinematography/Film/Production Technology Zone)以及专业音频技术专区(ProfessionalAudioTechnology)将继续为内容制造商带来最新的设备和工具。 海思半导体有限公司机顶盒芯片产品线总经理刘志扬表示：“在今年的展会上，我们将展示符合广播级音视频及图像质量要求的海思全系列全4K超高清芯片及解决方案，将极大丰富并满足运营商对DVB，IPTV，OTT等各类产品形态的需求，并与机顶盒产业链各领域的合作伙伴共同携手，帮助运营商取得视频业务的不断深入发展与最终商业成功。海思芯片及解决方案将最大地帮助运营商开展各种增值业务和服务，例如广播电视、视频点播(VOD)、PVR、多视频发布、可视电话、虚拟现实/增强现实/360度全景视频、可视化门禁、家庭安放监控等增值应用。我们相信BroadcastAsia将是一个让海思与国际对接的理想窗口及平台。” 除了展览本身，BroadcastAsia 2017国际会议还将云集亚洲乃至全世界的顶级广播电视专家以及行业巨头，共同探讨新涌现的行业趋势、最佳业务和商业策略，并展现突破性技术。大会主要话题将包括OTT 2.0、虚拟现实成为搅动市场的下一个变数、优化所有屏幕的最佳体验、IP广播、超高清与1080p以及货币化的数据分析等。 黄永权先生补充道：“随着亚洲快速发展的智能城市以及不断变化的媒体，我们的展会将始终与时俱进，继续成为本地区的行业盛会，吸引所有渴望为未来做好准备的人士。”

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  • 联发科的高端梦碎 10nm量产只为取悦“金OV”？

     2016年对于联发科技(MTK)来说无疑是颇为失意的一年，由于去年产品大面积缺货，给了“老对手”高通可乘之机，更可怕的是，这有可能让全球手机第一芯片厂商在中国市场“失位”。 对于去年的缺货，MTK给出的官方解释是：“对P10产能预估不足，导致高端产品线断档”，有意思的是，还曾“大度”地提建议OPPO、vivo转单高通，没想到高通趁势与OPPO、vivo、金立先后达成专利和解，而品牌厂商也“示好性”的将后期产品更换为高通平台，最后连一直负隅顽抗的“老铁”魅族也不得不向高通低头。终于认识到事态严重，才有了今年年初蔡明介密集拜访国内品牌厂商的一幕。 去年底，有消息称MTK将赶在高通前发布10nm芯片，这也被看做是MTK最有力量的一次反击，不过在产品还未确定发布之前，MTK近期在中国电子展上展出了采用10纳米制成的两大技术：快速自动曝光双镜头变焦技术。 尽管其内部人士没有透露10nm芯片具体的量产时间，但是表明“(10纳米芯片)已经在和国内的某一线品牌进行测试，预计最快在今年的第二季度将会有搭载该款产品的国产手机问世”。 联发科技的高端梦 去年缺货是MTK和高通之战的转折点。 作为手机平台两大芯片设计厂商，高通和MTK的恩怨由来已久，明争暗斗多年。而一直主打高性价比策略的MTK，从山寨机时代至今，虽然市场份额在不断变大，但是其一直希望去掉头上“山寨之父”的帽子，给自己正名，与高通分食高端市场。 MTK在2015年曾推出Helio X10，被看做是借助4G杀入高端市场的信号，然而尴尬的是，小米将其用到了当时的主力机型红米NOTE2上，售价799元，一举将联发科打回原形。主导高配低价策略的小米再次借助Helio X10成功地玩了一次品牌营销，而MTK进军高端梦破碎，据传这也让MTK和小米交彻底翻脸。 从2015年到现在，MTK的高端梦一直没有变，但是受限于技术上的缺陷，联发科技的高端梦一直难圆。 更严重的是，从去年下半年开始，国内主流品牌纷纷调整产品线，加码旗舰高端机型，寻求更高的利润保障，缩短中低端产品线。这也让MTK在中国市场的位置变得愈发加尴尬。 MTK的尴尬或许可以从年报中发现一丝端倪。 虽然2016年总营收为2755.12亿元新台币(约合606亿人民币)，同比增长29.2%，但是全年毛利率骤降7.6%，而净利润240.31亿新台币(约合52.8亿人民币)，更是创下了4年来的新低。 而10nm制程成为了MTK冲向高端市场的最后机会。 据悉，10nm制程芯片为Helio X30，采用三从集架构，由主频为2.8GHz的双核心Cortex-A73、主频为2.3GHz的四核心Cortex-A53，以及主频为2.0GHz四核心Cortex-A35组合而成(之前的四核A53被换成A35)。这其中，A73是大核心主攻性能，A53和A35为主打功耗的小核心，而A35在能耗比上拥有更好的表现。 其实从去年低，就有消息称联发科技在今年将发布10nm芯片产品，但是量产时间却至今仍然是谜。 雪上加霜的是，此前手机晶片达人在微博上爆料，“近10年没有亏损的MTK手机芯片部门，竟然在今年第一季出现亏损，10nm工艺高昂的费用，导致MTK手机部门开始出现亏损”。 更有媒体指出，由于苹果A11处理器的订单量巨大，苹果需要在7月份之前准备好5000万片A11芯片来满足新品iPhone8的发布。而10nm良率不高，这么大的订单量对于联发科的10nm工艺生产线来说是个非常不小的挑战，此举或导致同样是采用台积电10nm工艺生产的联发科的旗舰处理器X30继续难产。 高像素取悦金立、OPPO、vivo 不可否认，这是一个看脸的年代。 去年手机上的双摄对决极为精彩，除了华为依然势将后置双摄进行到底之外，vivo X9的前置双摄也着实给其他的品牌厂商上了一课，今年有望会有更多的机型采用;OPPO R9强大的自拍功能将同样定位于拍照手机、拥有莱卡镜头的华为P9瞬间秒杀，并在今年MWC展上展出了潜望式的5倍光学变焦技术，产品有望今年面市;金立更是在今年提出了四摄的概念，并将会在下半年普及到更多机型。 2017年，摄像头大战无疑再次成为主旋律。不过和去年不同的是，去年品牌厂商对于双摄的要求是“有”，而今年则会变成“精”。 MTK 10纳米工艺芯片所拥有的快速自动曝光双镜头变焦技术，醉翁之意不言自明。 作为去年增速最快的三驾马车，OPPO、vivo、金立今年有望再次引领国产手机品牌增长速度。OPPO、vivo今年出货均有望突破1亿台，而金立也有接近6000万台的出货目标，拿下这三家品牌厂商是MTK守住中国市场份额的重要保证，不遗余力。 不过也有接近联发科技人士泼冷水，表示OPPO、vivo对于该芯片并不感兴趣，乐视由于此前供应链资金问题项目遇阻，小米确定采用高通方案，“目前大客户只剩下魅族”，这或许也是MTK 10nm芯片上市时间一再跳票的原因。 无论如何，2017年对于MTK来说是极为重要的一年，既肩负着要在高端市场上有所作为，还要保证在中国的市场份额不丢失。但是目前变得理性的不仅仅是消费者，还有中国的品牌厂商。对于他们来说，MTK的优势已经不再，而随着市场的变化，追量已经变成逐利，走高端不仅仅限于喊口号，高配，高价，更要高利润。不论之前的关系有多紧密，毕竟，生意终究是生意。

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  • 涨价不停歇 Gartner预测存储涨到2019年

     目前存储产品的价格上涨持续已经接近一年，而且这种完全出自于市场行为的状况依然没有要停歇的势头。Garter最新的一份报告中称，他们认为想要等到存储设备降价只能到2019年了。 Garter方面表示，他们就掌握的资料进行了分析，整体来看供应商在2017和2018年的产出量依然难以满足市场需求，而2019年薪的供应商加入则有可能会解决这一问题，也就是紫光的长江存储器项目被予以了厚望。 报告显示，除了只能手机和PC以外，物联网设备、自动驾驶等都对存储芯片有着巨大的需求，缺口也很大。而部分存储芯片可能会在今年年底时涨势有所下滑，但是前提是价格已经涨到一定程度。 所以对于有刚需的朋友来讲这并不是一个好消息，能早入手就入手吧，要不然可能真的要错过等两年了。

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  • Cadence发布7纳米工艺Virtuoso先进工艺节点扩展平台

     为了应对7nm设计的众多技术挑战，Virtuoso先进工艺平台提供丰富的版图设计功能，包括：支持多重曝光(MPT)的色彩感知的编辑功能、支持FinFET网格功能、及支持模块生成器(ModGen)器件阵列编辑功能等多种高级编辑功能。同时，在电路设计流程中，客户可以使用Spectre® APS仿真器、Virtuoso ADE产品套件和Virtuoso 原理图编辑器执行对多工艺边界的蒙特卡洛分析(Monte Carlo Analysis)，从而加强电路设计的差异分析。 “作为移动运算的领军企业之一，我们致力于以最高性能、最低功耗和最高密度实现创新的先进工艺节点设计，”联发科技(MediaTek)模拟设计与电路技术部总经理Ching San Wu表示。“我们与Cadence长期开展密切合作，成功开发并部署了基于Virtuoso先进工艺节点平台的定制设计方法。采用Cadence针对7nm工艺专门开发的多项独特功能，我们得以成功实现近期的流片。” 新版Virtuoso先进工艺节点平台的主要特色包括： · 多重曝光和色彩感知版图：新平台为各种色彩感知“多重曝光”定制设计流程提供关键支持，符合7nm工艺的基准要求，并助用户提高设计生产力。 · ModGen器件阵列：提供与关键合作伙伴共同开发的模块组，助设计师提高7nm工艺节点生产力，降低版图复杂度。 · 自动FinFET布局：支持自动FinFET网格布局，全面简化7nm工艺所需的基于颜色的FinFET设计方法。在充分了解7nm工艺限制条件的基础上，Virtuoso先进工艺节点平台大幅简化了版图设计，并将7nm设计中常见错误发生的可能性降至最低;从而使定制的数字和模拟模块的版图设计时间缩短最高达50%。 · 差异分析：支持针对FinFET技术的高性能蒙特卡洛分析和高西格玛分析，可使总的仿真时间缩短至原时长的十分之一。 “经过长期的创新实践以及与业界领袖的战略合作，Cadence已经成为先进工艺节点定制设计工具的顶尖供应商，”Cadence高级副总裁兼定制IC和PCB事业部总经理Tom Beckley表示。“通过与联发科技等客户的广泛合作，我们降低7nm工艺设计成本的方法已获得充分证实。我们的许多客户都已使用Virtuoso先进工艺节点平台成功流片，交付量产。”

    半导体 cadence 7纳米工艺

  • 传联发科砍三成台积电6至8月28nm订单

     据报道，市场传出，联发科上周向台积电大砍6月至8月间约2万片28nm订单;以联发科在台积电28nm单季投片逾6万片计算，占比近三成。 由于28nm是各大产品线使用的主力制程，业界认为，若大幅砍单，代表对第3季后市看法趋于保守，为供应链后市增添隐忧。 联发科发言窗口针对此事表示，「没听说、也不评论代工厂事宜」。 业界认为，若联发科砍单一事为真，因有二个月落在第3季，对台积电第3季营运影响较大;但台积电下一季将量产苹果A11处理器，应可降低冲击。 台积电本月12日举行法说会公布第2季营运展望，不过，台积电法说会过后，市场传出，联发科向台积电大砍6月至8月间合计约2万片的28nm订单，占比近三成。 但市场也不排除可能是订单转向所致。 台积电供应链表示，台积电冲先进制程几乎是火力全开，其中10nm已正式为苹果A11处理器试产，预定下半年大量拉货;5nm和设备商共同寻求技术路径脚步也全力投入，希望能正式超越英特尔，拿下高速运算计算机和人工智能快速成长商机。 台积电在中低端智能手机的扩充脚步仍不停歇。 扩充主力制程集中在28nmULP及12nmULP等领域，主因联发科、高通和展讯等手机芯片厂在28nm制程需求强劲。 台积电公布第二季各项制程对营收贡献，28nm制程营收占比仍居首位，高达百分之二十五。 台积电预料今年月产量将由十五万片，再扩增至十八万片，增幅达百分之二十。 联发科今年饱受市场份额流失之苦，除因基带技术未能跟上，另一个原因是大陆智能手机客户实力逐步提升，正在挑战联发科奠定地位「Turnkey」交钥匙方案的成功模式。

    半导体 联发科 台积电

  • 在TI，数字成像芯片的制作过程与众不同

     Jeff Marsh把自己看作一名“戏法大师”。他是德州仪器(TI)的DLP®产品工程设计经理，监督检查DLP芯片制作的每一步。 “我要同时应对很多独特的挑战，”Jeff说，“不过在TI工作了20年后，我现在做的还算得心应手。” “得心应手”也许还是一个谦虚的说法。 自从Larry Hornbeck博士在1987年发明第一块DLP芯片以来，新版本的DLP半导体芯片已经实现了广泛的应用。数字微镜器件(DMD)的发明本身彻底改变了电影业，为Hornbeck博士赢得了学院奖*，以奖励他所发明的、用于TI DLP Cinema® 投影中的DMD。 DLP技术还实现了今天的工业用高速3D打印机和手持式近红外(NIR)光谱分析仪，推动了汽车行业中抬头显示(HUD)解决方案的发展，并且打开了诸如头部安装或可穿戴显示等方面的小型尺寸应用。 这些产品应用的核心是DMD，它覆盖着数百万个控制和反射光线的微镜的微型芯片。 芯片化，还是非芯片化? 从头开始创造一款全新的DLP芯片是一个持续改良和创新的过程，而源头则是一个核心问题：它是为了什么样的商业需求而服务? “设备厂商热衷于把DLP芯片集成到所有设备中——从超级移动显示到高分辨率紫外线(UV)3D打印机，因而我们对于客户需要的了解就变得十分重要，”Jeff说，“我们必须知道产品需要能够实现哪些功能，以及为了满足这些要求我们的芯片设计人员和工程师们必须将哪些特性包含在他们的产品中。” 就像一个复杂拼图一样，在能够设计出一个可行芯片并最终批量生产之前，有一些特性必须先确定，比如尺寸、成本和分辨率。 芯片制造的“秘密武器” 也许，正是我们制造芯片的方式让我们的DLP芯片如此特别并带有极深的TI印记。正如Jeff轻松证实的那样，这是半导体工程设计领域内的独门秘笈。 “我经常会被问‘你到底是如何将这些微镜放置在这个器件上的?’”他说，“有些人也许认为我们用镊子将它们机械地组装在器件上，或者在显微镜的帮助下使用一个机器人进行组装——但不好意思，完全不是。” 所有DLP芯片最初都是从一个标准互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆开始。这些晶圆组成了存储单元阵列，它们将最终决定微镜如何以及何时倾斜。 之后才是独家“魔法”——“我们在存储单元上搭建了一个结构，不过我们的搭建方式是使用一系列的金属镀膜、蚀刻和光刻，以搭建一个3D微镜阵列，”Jeff说，“所以，虽然我们使用的是标准半导体设备和处理工艺，我们的操作方式却要优于传统使用方法，从而让我们得以与众不同。” 芯片制造的旅途仍在继续 在经历了漫长的开发、设计和测试之旅后，下一步就到了生产制造。但这并不是终点。Jeff说，他和他的团队仍然保持着活力，帮助客户解决全新DLP芯片使用过程中有可能遇到的挑战或难题。 “我们在组装期间始终监视性能，并且监视产量，以确保我们将客户需要的产品交付到他们手中。”Jeff表示。 此外，不论是更低功耗、更高亮度、提高的分辨率，还是更小封装，推动创新，所有这些以创造出更新DLP芯片、满足客户的新需要，寻找全新潜在应用为目的的过程将永不停歇。 *Larry HornBeck博士在2014年被授予科学与技术学院功绩奖®(奥斯卡©小金人)，以表彰他发明的，用于DLP Cinema® 投影领域的数字微镜器件 (DMD) 技术。

    半导体 数字成像芯片

  • Cadence发布7纳米工艺Virtuoso先进工艺节点扩展平台

     楷登电子近日正式发布针对7nm工艺的全新Virtuoso® 先进工艺节点平台。通过与采用7nm FinFET工艺的早期客户展开紧密合作，Cadence成功完成了Virtuoso定制设计平台的功能拓展，新平台能帮助客户管理由于先进工艺所导致的更复杂的设计以及特殊的工艺效应。新版Virtuoso先进工艺平台同样支持所有主流FinFET先进节点，性能已得到充分认证;同时提高了7nm工艺的设计效率。 为了应对7nm设计的众多技术挑战，Virtuoso先进工艺平台提供丰富的版图设计功能，包括：支持多重曝光(MPT)的色彩感知的编辑功能、支持FinFET网格功能、及支持模块生成器(ModGen)器件阵列编辑功能等多种高级编辑功能。同时，在电路设计流程中，客户可以使用Spectre® APS仿真器、Virtuoso ADE产品套件和Virtuoso 原理图编辑器执行对多工艺边界的蒙特卡洛分析(Monte Carlo Analysis)，从而加强电路设计的差异分析。 “作为移动运算的领军企业之一，我们致力于以最高性能、最低功耗和最高密度实现创新的先进工艺节点设计，”联发科技(MediaTek)模拟设计与电路技术部总经理Ching San Wu表示。“我们与Cadence长期开展密切合作，成功开发并部署了基于Virtuoso先进工艺节点平台的定制设计方法。采用Cadence针对7nm工艺专门开发的多项独特功能，我们得以成功实现近期的流片。” 新版Virtuoso先进工艺节点平台的主要特色包括： · 多重曝光和色彩感知版图：新平台为各种色彩感知“多重曝光”定制设计流程提供关键支持，符合7nm工艺的基准要求，并助用户提高设计生产力。 · ModGen器件阵列：提供与关键合作伙伴共同开发的模块组，助设计师提高7nm工艺节点生产力，降低版图复杂度。 · 自动FinFET布局：支持自动FinFET网格布局，全面简化7nm工艺所需的基于颜色的FinFET设计方法。在充分了解7nm工艺限制条件的基础上，Virtuoso先进工艺节点平台大幅简化了版图设计，并将7nm设计中常见错误发生的可能性降至最低;从而使定制的数字和模拟模块的版图设计时间缩短最高达50%。 · 差异分析：支持针对FinFET技术的高性能蒙特卡洛分析和高西格玛分析，可使总的仿真时间缩短至原时长的十分之一。 “经过长期的创新实践以及与业界领袖的战略合作，Cadence已经成为先进工艺节点定制设计工具的顶尖供应商，”Cadence高级副总裁兼定制IC和PCB事业部总经理Tom Beckley表示。“通过与联发科技等客户的广泛合作，我们降低7nm工艺设计成本的方法已获得充分证实。我们的许多客户都已使用Virtuoso先进工艺节点平台成功流片，交付量产。”

    半导体 cadence 7纳米工艺

  • 国产两大芯片设备制造商助中芯国际打破台积电垄断！

     大家都知道智能手机最核心的硬件当属手机芯片，以美国高通骁龙和苹果IOS最为著名，其次是台湾联发科、三星以及华为海思麒麟，小米的澎湃芯片刚刚推出不久暂列第三，但你是否知道它们仅仅都是芯片的研发者而非生产者? 由于制造芯片的工艺复杂，生产线投入过高，智能机厂商们大多选择代工的形式，华为、苹果皆是如此，而这又以英特尔、台积电的制造水准最为出色。目前台积电10nm芯片制程已经实现商业量产，7nm芯片制造工艺也已进入试制阶段，预计明年即可投入量产。 反观中国内地企业由于起步较晚，因此在制造工艺上竞争力上明显不足，但国内企业在研发投入上不遗余力，特别是在《国家集成电路产业发展推进纲要》和国家集成电路产业投资基金的推动下，国产半导体设备与材料正积极打破国外垄断局面，开始迈入先进工艺制程领域，其中北方华创、中微最为有名，科研实力最强。 目前，北方华创14nm等离子硅刻蚀机台已正式交付客户，28nm Hardmask PVD、Al-Pad PVD设备也已率先进入国际供应链体系，12寸晶圆清洗机累计流片量已突破60万片大关，深硅刻蚀设备也顺利跨入东南亚市场。与此同时中微也被曝出2017年年底将正式敲定5nm刻蚀机台，这将是国产半导体装备在先进工艺制程上取得的重大突破，中微半导体生产的刻蚀设备已经用到了英特尔、三星、台积电先进的工艺上。 目前国内最有实力的芯片制造商—中芯国际也开始启动了7nm工艺制程研发，并与北方华创、中微建立了长期合作关系，虽然目前还稍落后于英特尔、三星、台积电等一线大厂但随着北方华创、中微等企业工艺制程装备的持续研发投入以及中芯国际工艺制程的升级，国产芯片必将打破国外垄断，能为华为等国内智能机厂商芯片代工的日子快要到来了。

    半导体 国产芯片 中芯国际 台积电

  • 英特尔一直在买买买 他的对手们又买了谁？

     虽然英特尔雄霸半导体行业企业排行榜榜首之位多年，但未能在移动市场打出一片天地，让这位PC芯片巨头在PC市场低迷的环境下迫切地开启了转型模式。说到英特尔的转型方式，“收购”是一个避不开的词汇，不久前这位巨头花了153亿美元将以色列机器视觉公司Mobileye收入囊中。而在2016年，英特尔还收购了德国无人机制造商Ascending科技公司、意大利半导体制造公司Yogitech、俄罗斯计算机视觉公司Itseez、AI初创公司Nervana、计算机视觉芯片公司Movidius、VR直播公司Voke、无人机软件开发商MAVinci等多家企业。 英特尔热衷买买买，其他企业呢?他在各个不同领域的对手们又买了谁呢? AMD是英特尔在PC处理器领域最主要的对手，两家的竞争历史已有几十年。在英特尔大肆收购进行转型布局的时候，AMD又在干什么呢?最近有两则消息将AMD和收购联系在了一起，分别是TI拟收购AMD和AMD收购VR无线芯片开发商Nitero，前者尚未得到回应。而AMD收购的Nitero是一家专注于为高端系VR头显提供无线技术的公司，拥有采用了毫米波通信技术的无线60 GHz传输解决方案，和头显低延迟获取图像数据的编码技术两大核心技术。 高通是英特尔未能大展宏图的移动芯片领域的霸主，随着各种电子信息技术的发展，这两家不同领域的半导体巨头都看上了自动驾驶和5G等极具发展潜力的应用方向，因此形成了竞争对手关系。与英特尔的大买特买不同，高通是不出手则已一出手就一鸣惊人的代表，去年10月份，高通宣布将以每股110美元的现金收购恩智浦半导体公司，此次交易总额约为470亿美元，这宗交易是2016年半导体行业最大的一桩收购案，并于近日获得了美国反垄断机构的许可。据报道，高通选择延长现金要约收购恩智浦所有流通股的截止时间，延长至2017年5月2日美东时间下午5点。而被高通收购的恩智浦曾于2015年收购了另一家车用半导体企业飞思卡尔，从而夺得车用半导体行业第一名的市场排名。 在半导体制造方面，随着英特尔宣布代工ARM芯片，和三星台积电之间的制程之争便越发白热化。早前有消息称台积电看上了东芝的闪存业务，但已有报道明确表示台积电已经退出收购东芝NAND闪存业务的竞争。而三星虽然遭遇Note爆炸和掌门人被捕，但却完成了其历史上最大的一次收购案，以80亿美元收购车载信息娱乐系统公司哈曼国际。且这并非三星近期唯一的收购活动，去年6月，三星电子宣布将收购美国云计算初创公司Joyent;去年8月，三星电子以1.5亿美元收购美国奢华厨房电器制造商Dacor;去年10月三星电子宣布收购机器学习虚拟助手Viv;去年11月，三星宣称收购了加拿大New Net通信技术公司的RCS业务;而对于汽车零部件制造商玛涅蒂-马瑞利的收购，三星已与菲亚特-克莱斯勒汽车公司展开最后磋商。 经过过去两年的整合并购狂潮，能够成为半导体行业并购目标的企业正逐渐减少，今年还未出现可能引起行业格局变化的大型收购案。但随着人工智能、物联网、5G等应用领域美好前景的逐步展现，越来越多企业为布局新兴领域选择收购一些有潜力的初创企业，或有雄厚技术基础的相关行业的企业，为抢占下一个“风口”积蓄力量。

    半导体 英特尔 AMD

  • 传苹果借富士康投资芯片,东芝股价止跌

    近日消息，据日本NHK报道称，苹果正在考虑数十亿美元投资芯片业务，东芝可能成为苹果的投资对象。东芝股价下午跌幅收窄，由上午8%左右的跌幅收窄至5%左右。今年以来，东芝股价下跌已近30%。 HNK报道称，苹果希望通过富士康的竞标整合东芝芯片业务，或将持股20%至30%，但东芝芯片仍然保留在东芝旗下。东芝是目前全球第二大闪存芯片制造商。不过对于苹果投资芯片以及NHK的报道，东芝、苹果和富士康母公司鸿海都未予回应。 东芝此前宣布出售芯片业务，以弥补公司65.6亿美元的美国核电设备运营项目的减计。NHK报道称，如果东芝能将芯片业务出售给一家美国公司，将会符合美国和日本双方的利益。 根据外媒报道，东芝已经将竞标者的范围缩小至四家，包括美国芯片制造商博通(Broadcom)，博通是私募基金银湖的合作方，也是苹果的供应商;韩国芯片制造商SK Hynix(海力士);富士康以及西部数据。彭博社此前报道，富士康母公司鸿海此前称愿意以3万亿日元收购东芝。鸿海还请求日本软银助力收购谈判。 西部数据也是东芝的合作伙伴，双方建有合资公司。本周西部数据警告称，东芝出售芯片业务将涉及违反合同条款，并表示西部数据应该有排他性的收购谈判权。这也令出售进程一度搁置。现在苹果加入收购之争让事件的发展变得更加复杂，因为苹果的现金实力和影响力将令整个行业格局发生变化。东芝的芯片业务已经从传统的硬盘转型到智能手机、PC和数据中心等。 咨询机构Gartner芯片行业分析师盛陵海表示：“苹果大举投资芯片业务，是为了锁定供应链，接下来的问题是如何继续投资进行技术更新，半导体工厂就是要不断升级。”不过他表示这对苹果这样持有巨量现金的公司根本不是问题。 苹果近期不断加深自主芯片技术的研发，已经导致一些供应链厂商的股价暴跌。过去两周，想象技术公司(Imagination Technologies)和戴乐格(Dialog)双双被告知或者警告将失去苹果供应商地位。 与此同时，苹果与高通的专利之争又在起诉和反起诉中不断上演新剧情。当地时间4月10日，高通公司向法院递交答辩状，同时对苹果发起反起诉。高通在递交的文件中称：“苹果公司未能与高通进行诚心谈判获得按照公平、合理、非歧视的条件使用高通的3G和4G标准必要专利的许可。” 今年3月，苹果公司向高通提起诉讼，控诉其行业垄断，要求高通向苹果支付10亿美元的赔偿。两家公司在专利和芯片领域的矛盾激化升级。统计数据显示，高通上个财年超过40%的收入来自苹果和三星两家手机巨头公司。

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  • 实验室通过光子晶体和纳米线组合实现光子集成新突破

     LinkedIn与电子一体化的巨大成功故事相反，光子集成技术还处于起步阶段。它面临的最严重的障碍之一是需要使用不同的材料来实现不同的功能，不像电子集成。更复杂的是，许多光子集成所需的材料与硅集成技术不兼容。 到目前为止，在光子电路中放置各种功能纳米线，以达到所需的功能已经表明，虽然完全有可能，纳米线往往太小，很难可有效地限制光。虽然较大的纳米线可以提高光的限制和性能，但它增加了能源消耗和设备的体积，两者对于设计集成器件时都被认为是“致命的”。 针对这一问题，日本NTT公司的一组研究人员提出了一种方法，该方法包括将亚波长纳米线与光子晶体平台相结合，他们本周在《应用物理学报》杂志上进行了相关报道。 折射率具有周期性调制的光子晶体人工结构是其工作的核心。 “一个较小部位的折射率调制的光子晶体产生的强烈的光限制，形成超高质量光学纳米谐振器，”Masaya Notomi说，他是NTT基础研究实验室的一位杰出的科学家。“我们在我们进行的这项工作中充分利用了这一特点。” 早在2014年，这同一研究小组的研究就曾表明，利用放置在硅光子晶体中的直径为100纳米的纳米线，可以很强烈地限制一个亚波长的光。当时，“这是约束机制的初步论证，但我们目前的工作，我们已经成功地证明了亚波长纳米线器件在硅平台的操作，也是通过使用这种方法，”Notomi说。 换句话说：当一个亚波长纳米线不能成为一个具有强烈限制光本身的谐振器时，放置在光子晶体中时，它会导致产生光限制所需的折射率调制条件。 “在我们的工作中，我们精心准备了III-V族半导体纳米线具有足够大的光学增益并将它们放在一个具有槽结构的硅光子晶体，应用纳米探针技术实现了一个光学的纳米谐振器，”Masato Takiguchi说，他是该论文的主要作者，并和其它研究者工作在NTT基础研究实验室共同进行这项研究。“通过一系列仔细的刻画，我们已经证明，这种亚波长纳米线可以实现连续波激射振荡和在10 Gbps的高速信号的调制。” 使用纳米线激光器实现光子的集成，必须满足三个基本要求。首先，纳米线应该尽可能充分的小有效的实现光限制，保证一个超小的体积和能源消耗，Takiguchi说。其次，纳米线激光器必须能够产生高速信号。第三，激光波长应大于1.2微米，避免被硅基吸收，所以重要的是要创建子波长的纳米线激光器在光通信波段，即1.3和1.55微米，能够进行高速信号的调制。” 事实上，之前所研究的纳米线激光器，其活动都是在波长小于0.9微米的，不能用于硅光子集成电路的脉冲激光，除示范比较厚的微米线激光器曾在1.55微米，Notomi说。这大概是因为材料增益较小，在较长的波长，这使得它很难在薄的纳米线实现激射。 除此之外，“任何类型的纳米线的高速调制的零演示已经实现，”他指出。这也是由于小增益体积。 “我们目前的工作中，我们通过结合纳米线和硅光子晶体的解决这些问题，”Notomi说。“我们的研究结果是连续波激射振荡的亚波长纳米线的首次实现，以及是纳米线激光器实现高速信号调制的首次实现”。 该研究小组能够实现10 Gbps的调制，这是与传统的，直接调制的高速激光用于光通信相媲美。 “这证明了纳米线激光器显示出信息处理特别是光子集成电路的有用前景，”Notomi说。 该研究小组目前的工作最有前途的应用是纳米线为基础的光子集成电路，他们将使用不同的纳米线，以实现不同的功能，如激光，光电探测器和在硅光子集成电路中开关。 “预计配备片上的光子网络处理器将在大约15年内实现，基于光子集成的纳米线将是一个可能的解决方案，”Notomi说。 在激光方面，该研究小组的下一个目标是集成纳米线到激光器输入/输出波导中。 “虽然这种整合是基于纳米线的装置的一个艰巨的任务，我们希望利用我们所研究的平台这将是更容易的，因为在波导连接的光子晶体平台本质上是优越的，”Takiguchi说。“我们的目标是室温电流驱动激射。” 该研究小组还计划使用相同的技术来创建“除了激光器之外的光子器件，通过选择不同的纳米线的方式，”Takiguchi说。“我们要证明，我们能够整合一些光子器件具有在同一个单一芯片上实现不同的功能。”

    半导体 光子晶体 纳米线 光子集成

  • 12寸晶圆需求大，为SOI工艺制程爆发打下坚实基础

     中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估，SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元，2017-2022年期间平均复合成长率将达29.1%。其中，亚太区晶圆厂将是主力客户。 SOI之所以能快速增长，主要来自消费类电子市场增长、成本下降以及芯片对于低工耗功能的需求快速攀升。尤其来自12吋晶圆的需求将于2022成为SOI最大的市场。 许多亚太区客户正在大量采用SOI工艺制程生产芯片，其芯片还涵盖消费类芯片、智能手机客户以及资通讯预料也是SOI在2017-2022年之间成长最快的市场。IC客户博通(Broadcom)、 Qorvo、高通( Qualcomm)、Murata也在计划启动12吋芯片投产计划。 前不久落户成都的GLOBALFOUNDRIES晶圆厂使用22nm FD-SOI工艺，可以把电压做到0.4V，非常适合移动、IoT物联网芯片等低功耗，而且成本低廉，这是GF主攻FD-SOI工艺的原因。 上海华力微电子去年底宣布投资387亿元建设第二座12吋晶圆厂，工艺路线是28nm、20nm及14nm FinFET，月产能4万片晶圆，预计2018年试产，2022年量产。但其二期晶圆厂有可能采用FD-SOI工艺。 同样是位于上海的新傲2015年就开始生产8吋SOI工艺了，使用的是法国Soitec的Smart Cut技术。新傲科技正在规划量产12吋RFSOI晶圆。 中国的上海硅产业投资有限公司则于2016年收购14.5%的Soitec股权。其任务是建立半导体材料产业生态系统，聚焦于超越摩尔定律。也被视为是布局SOI的重要举措。 FD-SOI与FinFET工艺的孰优孰劣很难一言而尽，先进逻辑工艺自28纳米节点分野之后，FinFET与FD-SOI工艺的争论就开始出现。尽管FinFET目前占据上风，但FD-SOI也有可取之处，特别是在低功耗方面。FinFET的主要支持者是英特尔、台积电、中芯国际、联电;FD-SOI主要是IBM、ST意法半导体、三星、GLOBALFOUNDRIES等。 其实FinFET与FD-SOI。两种技术其实师出同门，两种技术都是由台积电前技术长胡正明发明。不过，它们在半导体厂商中的受追捧程度不同。

    半导体 12寸晶圆 soi工艺制程

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