更多

  • SK Hynix确认GDDR6显存明年问世，带宽比HBM 2还高

     2015年AMD在Fury系列高端显卡上率先应用了HBM显存，不仅带宽远远高于当时的GDDR5显存，而且面积占用减少了95%，显卡可以做到非常小。不过HBM显存的一个问题就是成本太贵了，产能一直提不上来，2017年AMD、NVIDIA虽然都有HBM 2显存的显卡上市，但AMD的Vega显卡带宽依然维持上代512GB/s的水平。下一代显存则是GDDR6，SK Hynix公司确认2018年就会推出GDDR6显存，20nm工艺，8Gb核心容量，速率可达16Gbps，搭配384bit位宽可带来768GB/s的带宽，超过了现有HBM 2显卡的水平。 NVIDIA的Volta显卡明年问世，有可能用上GDDR6显存 现在的GDDR5显存已经非常成熟了，不过它也到了一个瓶颈期，在速率提升到8Gbps之后已经没多大空间了，美光在GDDR5基础上搞出了GDDR5X显存，速率可以提升到12-14Gbps，不过GDDR5X过渡意味浓厚，而且目前量产的频率也不过11Gbps，带宽比标准GDDR5有了明显提升，但还谈不上质变。 真正升级换代的还是GDDR6显存，它是在下一代DDR5内存基础上衍生而来的，去年的HotChips国际会议上，三星就已经提到过GDD6显存的一些目标——速率在14-16Gbps，电压1.35V，也就是说数据频率要比目前的GDDR5显存翻倍。 业界去年就讨论过GDDR6显存的一些规范 GDDR6显存跟DDR5显存一样都是瞄准2020年之前实用化，预计明年就会有产品问世。SK Hynix公司上周公开了旗下GDDR6显存的一些进展——他们将使用20nm工艺生产8Gb核心容量的GDDR6显存，速率可达16Gbps，在384bit位宽下其带宽可达768GB/s。 注意SK Hynix举的例子，他们提到的是384bit位宽，目前这个位宽只有NVIDIA的旗舰卡在用，而AMD主流显卡位宽是256bit，高端显卡因为使用HBM显存，等效位宽是1024bit或者512bit，今年的Vega显卡虽然用了HBM 2显存，速率2Gbps，但是位宽比上一代减少一半到512bit，所以512GB/s的总带宽依然没有提升，比NVIDIA的Tesla P100的720GB/s也要低。 早前有消息称NVIDIA今年Q3季度就会推出下一代Volta显卡，进度提前了，所以SK Hynix说的这个384bit位宽被YY到了与Volta显卡有关，不过据我所知NVIDIA今年确实有可能推出Volta显卡，但Volta首个产品可能并不是消费级显卡，而是跟Tesla P100一样用于HPC超算，他们跟IBM合作的最强超算Summit今年秋季问世，它的节点就使用了6块Volta显卡。 不论怎样，如果业界真的能在2018年量产GDDR6显存，他们超高的频率下GDDR6也能带来超高的带宽，至少384bit位宽下不输HBM 2显存——后者要是搭配1024bit位宽，带宽确实能达到1024GB/s，但是因为HBM成本昂贵，AMD、NVIDIA在大量应用HBM 2显存上都很为难，要么用于HPC加速卡，要么削减规格只用2颗，这就导致HBM 2带宽相比GDDR6没有什么优势了。 AMD今年台北电脑展上就会推出新一代Vega显卡了，使用的是2颗4GB的HBM 2显存，带宽512GB/s，超能网届时也会亲临一线报道，详情可以加小超哥(ID：9501417)微信，第一时间推送HBM 2显存的消息。

    半导体 sk海力士 美光科技 英伟达 超微半导体

  • 三星第二代10nm制程开发完成！

     三星上周四宣布，第二代10纳米FinFET制程已经开发完成，未来争取10纳米产品代工订单将如虎添翼。 三星第一代10纳米制程于去年10月领先同业导入量产，目前的三星Exynos 9与高通骁龙835处理器均是以第一代10纳米制程生产。 据三星表示，第二代10纳米FinFET制程与第一代做比较，运算效能提升10%，用电效率则提高15%。 三星为确保10纳米制程长期供货稳定，其位在首尔西南方华城市的最新晶圆厂已增添新设备，预计第四季可就定位开始生产。 虽然三星未透露第二代10纳米制程的客户，但预料高通下一版骁龙系列处理器应该会采用。 除此之外，三星还计划推广晶圆代工业务至更多领域，当中包含穿戴式装置、物连网与网络芯片等。

    半导体 三星 二代10nm

  • 三星宣布10nm制程新进展：已完成二代10nm工艺LPP验证工作

     三星今天宣布，继去年10月率先量产10nm工艺移动芯片后，日前已经完成了第二代10nm的质量验证工作，即将量产。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 三星宣布10nm制程新进展：已完成二代10nm工艺LPP验证工作 按照三星的说法，此前的10nm采用的是LPE(low-power early)，比如骁龙835和Exynos 8895，而第二代是LPP(Low Power Plus)，事实上更加先进，可以满足更高的性能指标要求。 三星宣布10nm制程新进展：已完成二代10nm工艺LPP验证工作 据悉，三星已经在位于韩国华城的S3产线部署安装相关设备，定于Q4开始量产工作。 另外，此前韩国巨头还表示，它们10nm的内部研发进度已经到了第三代LPU。 我们有理由相信，骁龙835的小改款(例如从820到821)也许会在今年Q4发布，工艺升级到10nm LPP，主频极值有望更高。

    半导体 三星 10nm

  • AMD 即将推出Radeon RX Vega系列GPU

     AMD 即将推出的 Radeon RX Vega系列GPU主要针对热情的PC玩家，因为该产品有望大幅提升PC和虚拟现实游戏的图形，游戏玩家非常期待游戏机能够得到以前所未有的方式改变游戏机处理数据的方式来渲染高质量的图形。 Radeon RX Vega系列GPU会让你在屏幕和显示器上看到高度渲染的图像是惊人的，这也是科技公司正在努力实现的。以前的AMD使用了Polaris架构和LiquidVR技术，使其能够提供良好的VR(虚拟现实)体验。然而，没有高端内存支持，就无法提供完全沉浸式的虚拟现实游戏和性能。 AMD的Radeon RX Vega高功率显卡是本赛季令人期待的科技产品，被认为是革命性的虚拟现实体验的新品。 AMD的Radeon RX Vega 这也是AMD Radeon RX Vega如何解决下一代GPU或图形处理单元的问题。GPU主要用于3D应用，它们采用单芯片处理器的形式，通过创建逼真的照明效果，每次重绘3D场景时都可以更改对象。由于其数学设计上有很强的困难，这将给CPU带来很大的压力，但是不能与Radeon RX Vega相提并论。 根据Seeking Alpha，最新的图形处理产品使您的CPU更容易展现出来性能。AMD计划在数周内使用其Vega架构，推出其4GB和8GB版本的新型高端HBM2(高带宽内存)显卡。传闻称，该产品可能在5月30日期间亮相。 AMD Radeon RX Vega的销售量比去年发布的使用Polaris架构的AMD RX系列更强大。该公司承诺提供可以与竞争对手Nvidia的GPU堆栈的顶级竞争对手的显卡媲美。这些基于Vega的甚至能够让Nvidia公司成为游戏最强大的显卡，同时还能提供平滑的4K显示。

    半导体 CPU 虚拟现实 GPU 超微半导体

  • 紫光国芯收购长江存储：打造存储器全产业链“超级战舰”

     近日，紫光国芯股份有限公司(下称“紫光国芯”)发布公告表示，拟以发行股份的方式收购长江存储科技控股有限责任公司(下称“长江存储”)全部或部分股权。 资料显示，长江存储成立于2016年12月21日，注册资本386亿元，主要从事存储器晶圆生产。 这也是紫光国芯2015年推出800亿定增项目失败后，又一大手笔资产整合计划。 紫光系内部整合速度加快 按照紫光国芯800亿定增方案，原本计划将募集资金用于新建晶圆制造厂和收购台湾力成与南茂部分股权。 但随着投资两家公司的计划纷纷折戟以及证监会再融资新规出台，紫光国芯在2017年1月24日正式终止了该定增方案。 这也标志着紫光集团在入主紫光国芯后推动的重大资产重组案以失败告终。 此外，在此期间，紫光集团入股西数、传言230亿美金邀约收购美光等动作都悉数破局。 在此背景下，紫光集团将整合力度逐渐转向内部。 事实上，在此次计划收购长江存储之前，紫光国芯已经在3月份以自有资金人民币4836万元， 收购西安易比特科技咨询管理有限公司持有的西安紫光国芯半导体有限公司(原名西安华芯半导体有限公司，下称“西安紫光国芯”)24%股权，并构成关联交易。 上述股权收购完成后，紫光国芯及全资子公司香港同芯投资有限公司将合计持有西安紫光国芯100%股权。 长江存储属于紫光集团旗下湖北紫光国器科技控股有限公司控股的子公司，后者持有其51.04%的股权。 而紫光集团又是紫光国芯的间接控股股东，所以紫光国芯此次收购事项同样构成关联交易。 此次紫光国芯拟收购长江存储实际上是加速紫光系内部整合，避免杂乱布局难以形成合力。 紫光国芯将布局存储器全产业链 近几年，国内集成电路产业快速发展，紫光集团更是迅速崛起成为龙头，其先后与武汉、成都、南京市政府达成合作，并大力布局存储器制造业务。 通过多次整合后，紫光集团正在将旗下紫光国芯打造成为存储器全产业链布局的“超级战舰”。 资料显示，紫光国芯是国内压电晶体元器件领域的领军企业，产品涵盖智能卡芯片、特种行业集成电路、FPGA和存储器芯片等。 2016年度紫光国芯实现营业收入14.19亿元，较上年同期增长13.51%，归属于上市公司股东的净利润3.36亿元，较上年同期增长0.25%。 其全资子公司西安紫光国芯是国内唯一拥有世界主流大容量存储器核心设计开发技术的公司，主营业务包括存储器设计开发及自有品牌存储器产品的销售，并提供相关集成电路的设计、测试服务，目前的主要产品为DRAM存储器和模组。 西安紫光国芯的发展目标是成为提供完整存储器系统综合方案的供应商，提供内嵌的IP核、独立DRAM存储芯片级模组产品以及NAND Flash存储器，同时提供SoC芯片的设计集成和测试验证服务，以及存储器相关的测试服务。 紫光国芯100%控股西安紫光国芯后，有利于进一步推动其在存储器领域的快速发展和整体战略规划的部署。 长江存储的主要产品则是3D NAND，后期不排除增加DRAM的产出，预计到2020年形成月产30万片晶圆的生产规模，到2030年建成每月100万片的产能。 可以说，紫光国芯已经初步具备了存储器设计、测试的能力，如今计划收购长江存储，意在增加存储器制造业务，进一步完善其存储器全产业链布局。

    半导体 产业链 长江存储 紫光国芯

  • 逆袭SSD！新一代机械硬盘曝光：就是这样

     随着SSD的逆袭，很多人开始看衰HDD，但厂商们可不这么想。 现在日本媒体给出消息称，东芝正在携手TDK、昭和电工一起开发新一代HDD，目前已经完成样品研发，而最终的成果会在2019年问世。 虽然现在HDD市场还是西数和希捷的天下，但东芝也不想放弃，目前他们最核心的存储业务NAND闪存，但该公司已经加大了对HDD的研发投入。 至于东芝研发的新一代硬盘嘛，有消息称是将基于HAMR热磁辅助记录技术(新一代硬盘都会基于这个技术)，即存储密度有望从目前的每平方英寸1Tb提升到5Tb以上，比如希捷预计在2018年早些时候推出首款16TB的HAMR硬盘。 如果价格下来，靠着大容量HDD还是可以跟SSD一战的...

    半导体 ssd 机械硬盘

  • 展讯、Intel合作第二款X86芯片：14nm工艺也要杀入低端4G市场

     在解散自家的移动芯片部门之后，Intel的重点已经转向数据中心、5G、闪存、FPGA、物联网等市场，不过Intel并不会完全放弃移动市场，他们找到了新的合作方式——将X86架构授权给其他移动芯片公司，并使用自己先进的工艺为他们代工。展讯前不久宣布了与Intel合作的首款X86移动芯片SC9861G-IA，这款产品定位中高端市场，下一步双方还会合作另一款芯片SC9853，也是14nm工艺代工，但主打中低端市场。 展讯与Intel的渊源始于三年前的合作——紫光公司先后收购了展讯、RDA瑞迪科两家公司，成立了紫光展锐公司，Intel公司在2014年9月份宣布斥资15美元如果紫光展锐，获得20%股份。双方的合作目标之一就是展讯公司将推出基于Intel X86架构及工艺的移动处理器。 2月底发布的SC9861G-IA是双方合作的第一个重大成果，该处理器基于Intel 8核Airmont架构，频率2.0GHz，该架构是22nm工艺Silvermont架构之后的继任者，使用的是14nm FinFET工艺代工。 8核的SC9861G-IA处理器定位在中高端市场，不过展讯公司多年来最擅长的其实还是中低端市场，展讯瑞迪科全年基带处理器出货6亿多，但大部分都是3G及以下的产品，80%都是销往海外，三星还是他们的大客户，而展讯的4G移动芯片出货量只有1亿多点，比联发科、高通差远了。 展讯、Intel合作的第二款X86芯片叫做SC9853，目前还没有具体规格公布，不过前代SC9850还是4核Cortex-A7架构，SC9853规格会有升级，但肯定不会很夸张，估计会在SC9861G-IA基础上做精简阉割，但是制程工艺还是基于Intel 14nm，这样一来该芯片的能效比会好得多，在中低端4G市场上理应有更强的竞争力。

    半导体 Intel 展讯 芯片 14nm

  • 美国科学家发明石墨烯“复制机器”：降低晶圆技术成本！

     创新背景 2016年，全球范围内半导体的销售额达到了最高点：3390亿美元。同年，全球范围内半导体产业花费72亿用于晶圆制造。这表明半导体产业目前发展势头很好，另外晶圆制造工艺又是半导体产业的基础和重点。 「晶圆」，即硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，它作为微电子元件的基质，可用于制造成晶体管、发光二极管、和其它电子和光子元器件。 (图片来源于：维基百科) 所以，对于晶圆制造工艺的改进，对于半导体产业影响无疑是根本和深远的。 创新探索 最近，麻省理工学院的工程师开发了一项创新技术，能够大幅减少晶圆技术的整体成本，有利于使用比传统的硅材料，更加独特、高性能的半导体材料，制造元器件。这项创新研究发表于昨天的《自然》杂志上。 (图片来源于: Jose-Luis Olivares/MIT) 麻省理工学院机械工程、材料科学和工程的助理教授 Jeehwan Kim 的研究小组在该校的电子研究实验室发明了这项技术。Kim 的论文合著者有论文第一作者、麻省理工学院的研究生 Yunjo Kim等人，以及来自俄亥俄州立大学和马斯达尔科学技术研究院的科研人员。 核心技术 材料 研究人员使用的材料，是我们关注已久的二维材料：「石墨烯」。John之前多次介绍的，石墨烯是一种单层碳原子厚度的薄片，具有诸多优异的特性，例如：「轻薄」、「强度大」、「导电导热性强」。 自2014年石墨烯发明以来，研究人员一直都在研究石墨烯超常的电气属性，希望借此提高电子设备的性能和成本。石墨烯是一种极好的导体，电子流过石墨烯时几乎没有摩擦。可是，石墨烯用于半导体，其中的电子流一旦启动之后，就很难阻止它的流动，所以说石墨烯又是一个较差的半导体。 然而，如果要让半导体晶体管能正常工作，就需要能够控制电子流的开关，产生一种0和1的模式，使得器件进行一些列的计算。对此，Kim 这么说： “大家对于用石墨烯制造出真正快速的电子器件，都感到十分有希望。但是，结果却是制造一种良好的石墨烯晶体管，真的很难。” 所以，研究人员一直在寻找更多的途径，将石墨烯变成廉价、高性能的半导体材料。 Kim 的研究小组采取了一种全新的方案，在半导体中使用石墨烯。让我们感到惊讶的是，研究人员并不是专注于石墨烯的电气特性，而是专注于其「机械特性」。对此，Kim 这么说： “我们对于石墨烯有着更强的信念，因为它是一种十分健壮、超薄的材料，能够在水平方向，在原子之间形成很强的共价键。有意思地是，它具有十分弱的范德华力，这意味着它不能进行任何垂直交互，所以这使得石墨烯的表面非常光滑。” 所以，研究人员将它用作一种「复制机器」，将复杂的晶体图案，从下方的半导体晶圆转移至顶层的材料上。 刻印 工程师们精心设计了这一过程，他们将单独的石墨烯片放置于昂贵的晶圆之上，在石墨烯层上生长半导体材料。 他们发现石墨烯材料薄度足够，以至可呈现出电气上的“不可见”。顶层可以通过石墨烯看到下层的晶圆，刻印它的图案时，并不会受到石墨烯影响。 通过石墨烯表面，半导体材料的原子能够重新以晶圆的晶体图案进行组织。 剥离 (图片来源于: Jose-Luis Olivares/MIT) 现在，研究团队报告石墨烯具有超薄、类似聚四氟乙烯的特性，能够像三明治的中间那层一样，夹在晶圆和半导体层之间，提供一种几乎难以察觉的、不粘连的表面。 石墨烯是相当光滑的，它不会轻易粘连于其它材料的表面。这种材料一旦经过刻印，能够很容易地从石墨烯表面剥落，这样使得让制造商可以重用原始的晶圆。 远程外延技术 总结一下，研究团队发现这项技术，他们称之为「远程外延技术」，能够成功地从同样的半导体晶圆上拷贝和剥落半导体层。 创新价值 重用晶圆 Kim 称，在传统的半导体制造工艺中，一旦晶圆的图案转移后，它会和半导体进行强有力的绑定，所以在不损伤这两层的情况下进行分离，几乎是不可能的。对此，Kim 说： “你必须以牺牲晶圆而告终，它将变成器件的一部分。” 团队的新技术让生产商们能够使用石墨烯作为一种中间材料，让它们复制和黏贴晶圆，将拷贝的薄膜与晶圆分离，并且多次重用晶圆。 对此，Kim 称： 这项新技术让制造商可以重用硅和其它高性能材料的晶圆，从概念上讲，无限次。 硅以外的材料 除了通过重用节约晶圆成本，Kim 称这项技术还为拓展更加独特的半导体材料，打开了新的机遇。 对此，Kim 说： “现在业界一直都迷恋于硅，但是即便如此我们已经了解到有更好性能的半导体材料，我们尚无法使用它们，这是因为成本的缘故。但是，这项技术使得业界能根据性能而不是成本，自由地选择半导体材料。” 研究人员已经成功将他们的技术应用到独特的晶圆和半导体材料，包括磷化铟、砷化镓、磷化镓，这些材料比硅贵50到100倍。 便于集成和应用 哈佛大学的物理学教授、石墨烯研究的先驱 Philip Kim，虽然没有参与这项研究，但是他说： “这是一项十分独特的石墨烯应用，这项技术可以轻易地集成到现有的半导体制造工艺中，并且能够革新半导异质结构的薄膜生长，形成新的电子和光学设备应用。” 未来展望 柔性电子 研究小组研发的这种基于石墨烯的剥离的技术，也将推进柔性电子的进一步发展。 总体来说，晶圆是十分刚性的，使得它们制成的设备也同样是非柔性的。Kim 称，现在半导体设备例如LED和太阳能电池，已经可以制造成可弯曲和扭曲的。实际上，研究小组采用这项技术，展示了一种制造柔性LED显示器的可能性，并且加上麻省理工学院的标识图案。 (图片来源于: MIT) 对此，Kim 说： “如果你要想在你的汽车上安装太阳能电池，而车的表面并不是平的，车身具有曲面。你能够将半导体涂覆在车的顶部吗?目前尚无可能，因为它与厚厚的晶圆相连接。而现在，我们可以剥离，弯曲，并且你可以在汽车上进行共形覆膜，甚至覆盖。” 晶圆之母 再说远点，研究人员计划设计一种可重用的「晶圆之母」，它的不同区域由不同的特异材料组成。他们使用石墨烯作为中间层，希望能够制造出多功能、高性能的器件。他们也在调查混合和匹配各种半导体材料，以一种多材料的结构，将它们叠加在一起。 所以，Kim 说： “现在，特异材料能够便于使用，你并不需要担心晶圆的成本。让我们给你复制机器。你可以生长半导体器件，剥离它们，重用晶圆。”

    半导体 石墨烯 晶元技术

  • 从华为P10闪存事件，你看到了什么？

     日前，网友发现华为P10不同批次手机采用了不同规格的闪存芯片。网上对此众说纷纭。华为官方也因此发表声明，华为手机跟国内外多家优秀的闪存供应商合作，同时为了保证华为P10手机的流畅，选用的闪存都达到了华为的验收标准，华为方面都会采用最优秀的硬件配置。 华为的这次事件也让国人注意到了闪存原来对于国产手机是很重要的。的确，智能手机的存储芯片(ROM)源于NAND闪存，这就意味着闪存芯片是智能手机的核心器件之一，这也成了手机差异竞争的一个方面。但现在国内闪存行业到底是个怎样的情况? 2014年底，Intel联合镁光发布了3D NAND闪存结构。这种平地起高楼的办法瞬间解决了之前闪存的缺点。而且为将来的闪存容量拓展，留下了很高的空间，也就是从这个技术开始，手机存储开始有了128G、256G等等。也就是说，从3D NAND技术开始，闪存芯片的速度，已经趋向于统一，不同品牌之间最大的区别就是产能和容量了。最重要的是，现在由固态硬盘(SSD)转向3D NAND闪存发展已经是芯片市场大势。 的确，半导体存储器芯片行业是一个高技术壁垒，高资金壁垒，高度垄断的“三高”行业，是一个难以啃下的硬骨头。但3D NAND作为一种创新的半导体存储技术，在大数据需求快速增长的时代下，存储器芯片尤其是3D NAND已成为电子信息领域最重要的集成电路产品，市场空间极其巨大。 这块肥肉也让苹果垂诞不已。据悉，苹果正打算与“好基友”富士康共同投资进而掌握东芝的闪存芯片业务。东芝是闪存芯片技术的发明者，而且其是目前全球第二大闪存芯片供应商。2015 年推出了世界上第一个 256 GB 的 48 层 BiCS 3D 闪存，并在去年用在 iPhone 7 和 iPhone 7 Plus 内部。如果苹果得手，其将进一步补齐产业链，降低成本，使得苹果手机的竞争力直线飙升。 目前闪存市场的垄断情况较为严重，全球NAND闪存芯片市场至今是被韩国三星、韩国海力士、美国美光、美国英特尔和东芝等少数科技企业垄断，连技术都掌握在这几家巨头手里。无论是谁争夺到东芝闪存业务，未来的收益是可期的。所以，在东芝要出售闪存业务时也有国内企业要竞购，但东芝为防止技术泄露，拒绝中国公司竞价。 NAND闪存芯片在全球市场中的重要性毋庸再说。事实上，一年下来，全球大约一半的存储芯片产能是被中国消耗的。实际上，自2014年率先宣布量产 3D 闪存芯片到目前为止，在3D NAND领域，三星已经成为全球第一大闪存芯片供应商。而且，三星量产了48层产品的同时，正开足马力像64层和90层产品飞奔。换而言之，在3D NAND生产方面，实力最强的仍以韩国三星领先，东芝、闪迪与SK海力士其次，国内还是很虚弱。一直在前进着，所以留给国内厂商的时间很紧迫了。 国产3D闪存一直在奋力追赶竞争者。而且，这些年国家已经开始大举发展国产芯片，闪存芯片也在其列。 据悉，紫光集团旗下的长江存储技术公司目前正在规划开发自己的 DRAM 存储器制造技术，而且可能直接进入当今世界最先进的 20/18 纳米的制程中。预计，长江存储计划在 2017 年底开始对客户提供 32 层堆叠 3D NAND Flash 快闪存储器的样品，然后继续往开发 64 层堆叠 3D NAND Flash 的产品迈进。更值得注意的是，2016 年 3 月，长江存储就已启动了武汉存储器基地建设，总投资 240 亿美元 ，预计 2018 年正式投产，而到了 2020 年时达成月产能 30 万片的规模。 中国做存储是必然的，但道路也是坎坷崎岖的。所有一切都是从零开始。因此，小编在这里也先预祝长江存储能把闪存给搞起来，也期待更多的国产企业投身闪存行业。 智能手机所使用的闪存对整个手机的使用体验有很大的影响，就是说，闪存对国产机来讲是非常重要的元件。但是有个残酷的事实：然而当前闪存格局单一，闪存产品供应链掌握在别人手上。因此，发展国产闪存芯片势必要进行到底。

    半导体 闪存技术 华为p10

  • 到底能不能行？Intel芯片用户集体发飙

     Intel去年宣布，Atom处理器停止在平板、手机等领域的研发的出货，不过面向服务器、网络设备等依然在售，但却接连惹出麻烦。 据外媒报道，基于Intel Atom的Puma 6芯片近日给合作伙伴惹了麻烦，原因是相关电缆网关等设备修不好的延迟问题。 其中中招最严重的是Arris(艾锐势)的SURFboard SB6190猫，一款千兆设备，突然延迟和网络阻塞给很多用户造成了极大困扰，北加州法院已经受理集体诉讼。 除了Arris，还有Comcast、Virgin Media、Hitron、Compal、Cisco、Linksys等诸多采纳Puma 6芯片的品牌受到影响。 虽然，Intel和Arris自2016年收到用户报告就开始尝试借助固件修理，但迄今为止仍解决，最后逼得Arris不得不换用Intel竞品博通的DOCSIS 3.1 SB8200替换补偿。

    半导体 Intel 芯片

  • 赞！5纳米芯片制造装备，打破德美垄断，中国突破信息装备芯之困

     在工业化时代，钢铁是工业的粮食，那么如今的信息化时代，芯片就成为了信息的粮食，没有芯片所有的信息设备和信息化军备都是笑话。 芯片指内含集成电路的硅片体积很小，常常是计算机或其他电子设备的一部分。芯片(chip)就是半导体元件产品的统称。是集成电路(IC, integrated circuit)的载体，由晶圆分割而成。 芯片，英文为Chip;芯片组为Chipset。芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。“芯片”和“集成电路”这两个词经常混着使用，比如在大家平常讨论话题中，集成电路设计和芯片设计说的是一个意思，芯片行业、集成电路行业、IC行业往往也是一个意思。 但就是这么一个不起眼的小小硅片却成了中国信息产业的芯痛。一个城市的普通家庭有约一百颗芯片(晶圆)。没有晶圆，民众不能看电视、不能用手机、不能听MP3，生活将完全变样。芯片虽小但技术集成程度非常，是真正的信息产业心脏。没有了它，大到国家各类信息化装备，小到日常生活都无法继续。可是令人遗憾的是，这么核心的产业，核心技术基本上被欧美国家所垄断。芯片同时也是信息安全的核心，芯片始终由外国垄断，等于把自己安全的命运掌握在他人手中，心理始终不踏实。 据统计，世界上50%以上的彩电，70%以上智能手机、平板电脑，都在中国制造，而他们的芯片却几乎都来自进口，大量的资金流入国外。毫不夸张的说，芯片成了中国信息产业的一块最大的芯病。拓墣产业研究院在近日公布的数据显示：中芯国际在2016年实现28纳米工艺产能，占到全球28纳米工艺总产能的比重仅为0.7%。同理，台积电、格罗方德和联华电子则分别占比为66.7%、16.1%和8.4%。 北京市工业促进局电子信息产业发展处长梁胜表示，中国所有八寸及以上水平的晶圆生产线，过去全部必须依靠国外，中国建立一条晶圆生产线，几乎八成的投资用于购买设备，加上国际间一直严格控制出口中国这类设备，即使将设备卖给中国，也是将昂贵的制造成本一并转移过来。 高额的专利费用也是中国电子产品价格居高不下的根本原因。但这还只是民众日常生活，具体到具备产业其中痛楚则更深。 过去由于不能独立生产的自己的芯片，中国各种先进军备研发总是困难重重。由于局势紧张等原因，中国军备甚至发生多次被恶意干扰的事件，大大刺痛了中国军备人的内心。 公开资料可知，全球半导体产业市场上万亿美元，2015至2020年中国半导体芯片产业及芯片制造设备投资额将达1150亿美元!每年高达3400亿美元的半导体销售额中，有一半都是销售给美国的科技巨头比如：英特尔、高通和苹果。中国芯片产业缺乏核心技术，只能眼看着巨额利润和千万亿市场被国外抢走。 经过多年潜心攻关，中国终于取得了重要突破。央视《中国“芯”力量》介绍了中国在半导体设备和半导体原材料上取得的成绩和进步。其中，最引人瞩目的莫过于中国企业在刻蚀机上取得的成绩——16nm刻蚀机实现商业化量产并在客户的生产线上运行，7-10nm刻蚀机设备可以与世界最前沿技术比肩。更加令人振奋的是中国研发的5纳米芯片刻蚀机，也就是5纳米芯片制造设备成功问世。 这款设备的问世成功了打破了欧美在这一领域的长久垄断，对于中国信息产业发展、经济安全、军备发展和军队信息化建设都具有决定性意义。 未来战争是信息化战争，几乎所有的现进军备都离不开信息，而这一切的核心就是芯片。如果中国不能独立自主的生产芯片，那么我们武器装备的生产必然受制于人。平时还好，一旦发生摩擦或冲突，国外停止对中国的芯片供应，那么中国大量现金武器装备的生产将面临无以为继的窘境，后果不堪设想。另外，大量外国生产的芯片躺在我们的先进军备中，控制着中国军备的运转，我们真的不放心。自己做芯片本来就比买贵，说华为没有说服力，小米5C就是例子!为什么还要做?因为我们要掌握自己的命运。。。什么都靠买，一但被掐脖子就玩完了。 中国信息产业和军备心脏的命运绝对不能掌握在外国人手中，这是所有中国人的共识。近年来中国不断发力在芯片产业的进步有目共睹，这款5纳米芯片制造设备的研发成功更是一举打破了欧美垄断真的非常振奋人心。 本人在西安三星半导体上班，半导体FAB的建设确实很花钱，光是一个FAB生产车间的大楼就几十万平方米了，地下一层，地上四层，这只是一条生产线，那么大的生产线里面的设备简直就把车间堆满了，从地下一层的机器到地上一二层都是辅助机器，三层才是晶圆制造，五层厂房相当于平时二十多层的楼房了，里面的设备在全世界也就是只有个别公司可以制造，最贵的设备是光刻机，一台就1亿欧元，所以一条生产线就要投资几十亿美元了，门槛太高了，不是谁都有钱可以建厂制造的。所以我们应该发挥集中攻关优势，不能零零散散的搞。 当然我们芯片产业与欧美还有差距，但我们要看到进步，看到希望，一步步来。喷子们总是想着一口吃出一个大胖子，从来不会想，哪怕是一丝丝的进步都是技术的积累! 目前我们已经看到了可喜变化，华为有了自己的核心芯片。中微研发的介质刻蚀机是半导体生产设备中关键核心装备之一，市场一直为美日等企业垄断。中微刻蚀机的研发成功，填补了国内空白，在技术上实现突破，跟上国际技术发展步伐，明显提升我国半导体设备产业的技术能级，并可改变我国集成电路生产企业受制于人的局面，对于抢占未来经济和科技发展制高点、加快转变经济发展方式、实现由制造业大国向强国转变具有重要战略意义。 祖国加油，希望在未来。希望不久的将来，中国的所有先进军备都能用上中国芯，彻底解决芯病。

    半导体 芯片 信息安全 军事装备

  • 创造历史！贸泽电子恭贺董荷斌夺得FIA WEC 2017赛季开门红

     2017年4月19日-半导体与电子元器件业顶尖工程设计资源与授权分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 恭贺其赞助的华人第一赛车手董荷斌在4月17日结束的WEC世界耐力锦标赛银石赛道6小时的比赛中获得LMP2组别冠军，取得新赛季开门红，率领中国车队第一次登上FIA WEC的最高领奖台，同时董荷斌也成为第一位在FIA WEC上夺冠的中国车手。 FIA WEC 2017赛季战火重燃，董荷斌携手上赛季LMP1季军奥利佛•贾维斯和首届“Road to Le Mans”冠军托马斯•洛伦特共同驾驶全新的2017款LMP2——Oreca 07赛车出战，车身上的“祥云”设计受到古代楚文化青铜器纹样和漆器色彩的启发，寓意中国赛车放飞世界的梦想。 和其他赛事不同，勒芒系列赛不光追求速度，更重要的是长时间比赛中的稳定性。银石赛道是长直道与高速弯道的组合，其中Abbey弯和最后的一个S弯的Priory弯和Luffeild弯有相当高的难度，这不仅测试赛车的性能，更是在考验着车手驾驶技术和胆识的极限度。比赛过程确实跌宕起伏，比赛中期的大雨让赛道变得湿滑，事故频发，最后一小时全场黄旗并出动安全车。最终在50,000多名观众面前， 董荷斌和队友驾驶的38号赛车领先对手19.376秒赢得LMP2冠军。 贸泽电子亚太区市场及业务拓展副总裁田吉平表示：“在长达6小时的比赛中，任何事情都有可能发生。董荷斌作为车队的灵魂人物，凭借丰富的经验和过人的胆识运用自己的比赛经验和出色的车技极力为队友建立优势，将自身能量运用到极致。贸泽电子钦佩他丰富的比赛经验、扎实的赛车技术、临危不乱的冷静，从他身上表现出运动家拼搏进取，永不言弃的精神值得大家学习。” 夺冠功臣董荷斌也难掩内心喜悦，和队友用奖杯畅饮香槟庆祝赛季第一冠，他说到：“这是一个完美的开始，我很自豪能在在银石赛道赢得冠军，我知道这是有史以来第一次有中国车队站在WEC的领奖台上，耳边响起中国国歌，看着五星红旗升起，我们享受这一时刻，我们开启了LMP2新纪元!” 田副总裁补充道：“今年是贸泽电子与董荷斌合作的第七年，七年间因为速度的共鸣而相得益彰，董荷斌在赛道上展现出的速度与贸泽电子的极速小批量一站式供货模式内在契合，我们供应赛车级别的精密元器件，做设计工程师和采购工程师群体的坚实后盾。希望董荷斌能够在第二轮比赛中继续证明自己，我们期待在斯帕赛道的捷报。” 贸泽电子拥有丰富的产品线与卓越的客服，通过提供采用先进技术的最新产品来满足设计工程师与采购人员的创新需求。我们库存有全球最广泛的最新半导体及电子元件，为客户的最新设计项目提供支持。Mouser网站Mouser.cn不仅有多种高级搜索工具可帮助用户快速了解产品库存情况，而且网站还在持续更新以不断优化用户体验。此外，Mouser网站还提供数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息和工程用工具等丰富的资料供用户参考。

    半导体 贸泽电子 fia wec

  • 追风少年：Maxwell的光影故事

     曾奔跑在苏格兰的广袤高地，也穿行在英格兰的恬静庄园，他攀爬过白雪皑皑的高峰，也曾漫步在郁郁葱葱的草地，这位年轻的摄影发烧友自由地穿梭在世界的各个角落，通过镜头记录下了成千上万个大自然的美妙瞬间。然而，Maxwell并不是一位职业的摄影师，而是德州仪器(TI)的IC研发工程师。 毕业于华中科技大学的Maxwell已经在TI工作五年。从事芯片开发设计的他，在大学时代就通过TI大学计划和各种竞赛，开启了与TI的第一次接触。 在结束繁忙的工作后，Maxwell总是喜欢利用业余时间进行绘画、摄影或拍摄短片。其中，他对于无人机拍摄尤为着迷。Maxwell说：“无人机摄影能够带来前所未有的观赏角度，同时释放了更多拍摄的可能性，其连续平滑的视频画面、灵活多变的拍摄角度，都是传统摄影所无法企及的。” 无论是无人机的调试与操控，还是图片及视频的后期处理，Maxwell都乐在其中，笃定地穿行在技术和艺术的世界。这项爱好不仅使他成为了拥有众多粉丝的“网红”geek，也让Maxwell收获了许多同龄人没有的经历。他先后在八个国家进行旅拍，其作品也曾在《孤独星球》等多部杂志上发表，同时还是各大旅行网站首页的常客。 《孤独星球》刊登Maxwell摄于梵蒂冈的照片 结缘大疆 OSMO Mobile产品工程师 2009年，Maxwell参加了FPGA竞赛并获得了全国二等奖。而当时荣获一等奖的无人机作品让Maxwell既敬佩又很不甘心。也是从那时起，他开始密切关注无人机的发展，同时也与这项创新的技术结下了不解之缘。 Maxwell从未想过自己的工作能够与爱好相结合。而几个月前的一场“偶遇”为他的旅拍之路开启了一段新的征程。一天下午，Maxwell照例将自己拍摄好的视频短片上传到大疆交流论坛。这支短片在短短的时间内就获得了众多发烧友的一致好评，这其中也包括一位来自大疆的OSMO Mobile产品工程师。当留意到Maxwell拍摄的视频后，他迅速与Maxwell建立了联系。而在得知Maxwell是TI的一位IC工程师时，两人更是一见如故。Maxwell表示，目前航拍的技术与发展都已经相对成熟，然而地面拍摄却仍然面临着画面不够稳定、流畅等诸多挑战。这位来自大疆的产品工程师在了解了Maxwell的需求后，向他推荐了大疆的OSMO Mobile，并分享了许多使用OSMO Mobile的心得和体验。 与OSMO Mobile的产品工程师结缘后，Maxwell开始更多地与这位趣味相投的新朋友讨论无人机设备的技术细节、应用场景和行业趋势等。凭借两人在各自领域中的专业知识和深入研究，他们还经常就拍摄后的成品进行分析总结，并尝试在无人机设计上寻求新的改进和突破。不过，两人讨论更多的还是Maxwell一直跃跃欲试的OSMO Mobile，在深入了解这款手持云台相机的出色性能后，Maxwell决定和他的这位新朋友在一次旅拍中对OSMO Mobile进行全面的尝试和探索。 2017年春节， Maxwell与来自大疆的OSMO Mobile产品工程师终于如约踏上了前往英国的旅程，而他们此行的目的就是共同体验OSMO Mobile为移动拍摄赋予的独特魅力。 虽然是第一次尝试，大疆OSMO Mobile简单的操作和出色的特性却让Maxwell感觉游刃有余。通过OSMO Mobile拍摄的画面稳定、流畅，而以往一些只能在电影大片中才能见到的场景也通过他手中的镜头轻松实现了。虽然旅途劳碌，但OSMO Mobile为Maxwell在拍摄过程中带来的一次次惊喜却让他更加兴致高昂，他兴奋的追逐着抛洒在古堡上的夕阳和笼罩在林地间的薄雾，似乎想要把全世界的美景都装入这只小巧的镜头之中。 最后的作品没有让Maxwell和他的朋友失望。OSMO Mobile的强大性能为他们带来了清晰、出彩的影像质量，而OSMO Mobile小巧轻盈的机身也让Maxwell能够轻装前行，在旅途中发现更美的景象。除此之外，OSMO Mobile在迅速启动方面的强大特性，也为他们能够迅速捕捉转瞬即逝的风景提供了保障。 很快，大疆的灵眸OSMO Mobile手持云台相机便成为Maxwell最常使用的地面拍摄工具之一，其小巧智能的云台为移动拍摄提供了不可或缺的稳定性。而相较于传统增稳云台，OSMO Mobile在价格、体积、重量和安装繁简度上都更胜一筹。 IC与无人机的碰撞 Maxwell与OSMO Mobile产品工程师还常常探讨如何让产品更贴合理想的用户体验。作为IC工程师的Maxwell不仅可以从设计开发人员的专业知识出发，还能以摄影器材使用者的角度，将设计者的设计理念和用户的使用体验相结合，并为身为OSMO Mobile产品工程师的朋友提供意见和反馈。 事实上，了解产品的应用场景对IC设计也同样至关重要。大疆OSMO Mobile作为一款综合了多种类和多层次技术的产品，既属于消费电子，又具有极高的可靠性要求。从前端到硬件、固件、上层软件，再到最后的终端应用，都为作为IC工程师的Maxwell提供了一个全新的视角，也为他的日常工作带来了极大启发。 Maxwell与OSMO Mobile的产品工程师也许只是TI和大疆无数同仁的一个缩影。大疆的严谨专业、对实际应用场景的极大重视和深入理解，以及积极寻求创新的开放式思维，对Maxwell来说是一种激励。他非常庆幸自己可以在一次偶然的机会中与OSMO Mobile的产品工程师相识，并成为工作和生活中的挚友。 从英格兰回来后，Maxwell很快又投入到了紧张的工作之中。在闲暇时，他也时常回顾自己的作品，重温那一段段难忘的旅程。不过，对于Maxwell和这位来自大疆的新朋友而言，他们的旅程才刚刚开始。 大疆作为目前中国非常有代表性的创新企业，在初创阶段就已经与TI展开了紧密的合作。事实上，大疆每一代产品的开发和升级，TI都参与其中。TI最新的电源管理、马达驱动等技术不断正应用于大疆的创新产品中，帮助大疆在无人机领域保持技术上的领先。

    半导体

  • 三星2020年推16nm DRAM内存，15nm恐成DRAM终点

     三星不仅是智能手机市场的老大，更重要的是三星还掌握了产业链至关重要的DRAM内存、NAND闪存及OLED屏幕，这三大部件上三星遥遥领先其他对手，手机OLED面板上更是占据95%以上的份额。在DRAM内存市场上，三星不仅产能、份额最高，技术也是最领先的，去年率先量产18nm工艺，今年将完成17nm DRAM内存研发，2018年量产，2020年则会推出16nm工艺的DRAM内存芯片。     在18nm工艺之后三星还将开发17nm、16nm DRAM芯片 与CPU等芯片相比，DRAM内存在20nm节点之后也放缓了速度，线宽减少越来越困难，40nm工艺的DRAM内存芯片线宽减少约为5-10nm，20nm工艺的线宽减少就只有2-3nm了，更先进的工艺减少线宽就更困难了。业界预计15nm节点将是(传统)DRAM内存的终点，未来DRAM的技术门槛会越来越高。 三星在DRAM技术上依然比其他厂商更先进，2016年3月底三星就宣布量产18nm工艺DRAM内存芯片，后面还会继续发展新一代工艺。来自韩国ETNews的消息称，三星18nm工艺开发代号为Pascal(帕斯卡)，现在则在开发代号为Armstrong(阿姆斯特朗)的17nm工艺，预计今年底正式完成研发，2018年正式量产17nm工艺。 未来两年三星还会研发代号Kevlar(凯夫拉)的16nm工艺，预计在2020年早些时候大规模量产。 三星现在的产能主力还是20nm工艺(代号Boltzmann，玻尔兹曼)，18nm产能正在稳步提升，预计明年18nm工艺就会占据主要份额。 “在1x(18nm)、1y(17nm)及1z(16nm)工艺之后，DRAM内存制造工艺还会减小到1a、1b、1c、1d等”，三星电子DS设备解决方案部门的经理Jung Eun-seung称三星需要开发与现有材料不同的、新的半导体材料，还要提高制程工艺的稳定性以便能大规模量产。

    半导体 CPU 三星 韩国 智能手机

  • 英特尔傲腾(Optane)内存即将上市：电脑性能的新指标

    英特尔傲腾(Optane)内存即将从4月24日起上市，一项新的指标出现了，它将有机会改变电脑配置和心能格局。什么是评价电脑的关键指标?CPU、内存、硬盘、显示卡，这些简单罗列在产品包装上的信息勾勒出电脑的基本水平。 英特尔傲腾(Optane)内存面世 内存对于计算机来说始终是一种稀缺资源，上到大型计算机、高性能计算机，小到智能手机、可穿戴设备。数十年前业已成型的冯·诺依曼计算机架构，确立了计算和存储两者间的关系。更具体一些，负责实质计算的CPU中ALU单元只会从固定的位置(寄存器)获取数据，计算结果也只会存在固定位置，而CPU的控制单元(CU)根据指令不断地将数据放入或取出，完成了整个计算的过程。实际情况略复杂一些，CU所读写的数据还包括了地址信息，这样它才知道数据从何出来或向何处去。和同样起到缓冲作用、但以减低接口压力的Buffer不同，Cache是加速内存数据存取，经过Cache一级一级的映射和预取，内存逐渐接近并匹配千倍于其速度的ALU，计算的瓶颈随之打破。在整个映射过程中，内存中数据的地址，并未因映射而改变。 英特尔傲腾(Optane)内存产品 从硬盘到傲腾 虽然中文都是一样的“内存”，但是Memory、RAM和DRAM却是截然不同的含义。冯·诺依曼架构的内存是Memory，数据能通过地址索引存储在上面就可以，而RAM则是落地到计算设备(计算机、手机等)的Memory技术类型，具体的产品是DRAM，对应关系如同外存 --> 光盘 --> DVD一样。即便已经是相对最便宜的类型，DRAM价格仍然高达10美元/GB，是主流外存设备HDD有着100倍以上的价格差距。更致命的是，DRAM是典型的易失性半导体，简单的说就是断电就会丢失数据，不仅需要在通电状态下不断刷新数据(通过读操作完成)，而且每次加电，都需要重新从外存加载数据，说白了就是从更慢的硬盘上读取系统、应用和数据，这就是为什么硬盘的速度对系统启动时间的影响最大最直接了。 与内存相对应，外存是容量更大，同时不以内存地址映射表形式保存数据的存储器，HDD(硬盘)可谓是我们最熟悉，并且仍然是最主流的外存产品，其存储逻辑已变为分区表索引扇区的形式，SSD在存储逻辑上与HDD并无差异，而物理介质上的存储逻辑有别，另外就是相应延迟更短、数据持续传输带宽更高。 对计算机系统来说，它并不“认得”外存，OS(操作系统)起到了很好的“翻译”作用，将系统发出的内存访问需求转化为硬盘读写操作，DOS(Disk Operating System，磁盘操作系统)就是这么来的。计算机并不知道数据真实存储在何处，而OS知道，当要访问的数据不再内存中时，OS会临时将其从外存中调入，这个速度只有直接访问就能获得数据的千分之一，在获得该数据前计算机只能等待，所有时间被浪费。经过优化的OS或驱动程序，可以预判计算机将要求的下一个数据，从而提前将其装入内存。至于为什么OS不把所有数据都装入内存，以减少数据等待时间，这还不都是容量不够、价格高企造成的么。使用高性能SSD能解决从外存获取数据速度的问题么?这里先留给悬念，稍后详细解读。 新的思路 技术已经发布一年多的3D Xpoint，终于以Optane(傲腾)的产品形式落地了，姑且不论面向企业级高性能存储市场的Optane SSD和暂未推出的Optane DIMM，先来说说解决PC外存性能不足问题的第三种产品形式Optane Memory。 Optane Memory是夹在内存(DRAM)和外存(HDD)中的“劝架人”，又是OS处理数据访问需求的好帮手，它情商颇高，三头都喜欢它，内存和外存都愿意与它交换数据，OS对它管理外存的能力非常放心。而在Optane Memory诞生之前，内存总是埋怨外存“太肉”，而外存则抱怨内存对它呼来唤去都快累死了，OS经常里外不是人。 Optane Memory凭什么让大家都喜欢它?这还要从它的身世说起。今天的计算机，特别是PC核心的性能瓶颈已经从CPU、内存转移到外存，更高频率的CPU、更大容量的内存，只能解决有限的数据问题，一旦牵扯到更大量的数据，就必须和慢吞吞的外存打交道。甚至在越来越多的实际应用中，更大的内存拖累了PC的性能体验。举例来说，当OS获知有4GB内存时，它会调用较少的2GB数据，100MB/s读写性能的HDD需用时20秒;而当内存增至8GB，OS会允许调入6GB数据，需读取数据60秒，PC等待时间变长、体验变差。好在这只是个比方，现实中的OS没有那么不济，可以在数据部分调入内存后就允许CPU还是工作，极端情况下已经处理的数据回写与读取数据的冲突才更令人挠头。 Optane Memory恰好出现在这个位置。它本质上是一种缓存，在英特尔RST(Rapid Storage Technology)驱动帮助下，它可以协助OS将HDD上的频繁访问数据预读到自己内部，等待OS随时发号将数据装入内存的施令。Optane Memory采用了全新的存储介质，响应时间为ns级别、速度是GB/s级别，均比高性能SSD高一个数量级以上，以接近甚至达到DRAM的水平，可谓一呼即应。目前Optane Memory模块已推出16GB和32GB两种容量，能够轻易做到两倍于主流电脑DRAM容量的水平，再也不用担心512MB或1GB的TurboMemory模块上所出现的数据量不够内存用的问题，对DRAM来说，由它所供给的数据可谓源源不绝。同时，Optane Memory与DRAM的特性相同，支持多任务并行操作，在不断喂饱DRAM的同时还能从HDD继续读取数据或将数据写回HDD，这个能力可谓是HDD技术发展几十年来梦寐以求的能力。对HDD来说，Optane Memory既迁就了它的低速、“同意”用时间换总量，又挡住了严重影响用户体验和小数据频繁读写，对延长寿命、降低功耗颇有贡献。 新性能指标 如今，对寻求性能的PC来说，配备SSD是相当不错的选择，但与此同时，容量和价格的问题困扰着它完全取代HDD，在预算允许的情况下，SSD+HDD的双盘方案成为可能。然而，从整体PC配备的硬盘情况来看，双盘的比例恰恰最低，从金钱到管理，成本问题是最大的障碍;使用集成NAND模块为HDD加速的SSHD产品配备率也不高，产品选择少、性能提升有限等因素是主要制约。对更多用户来说，单盘仍然是主要选择，而其中单HDD携容量和成本优势占据85%的份额。 Optane Memory很有可能改变这一市场格局，甚至成为实质拉动存储性能上新台阶的推手。在SSD价格不跌反涨的当下，Optane Memory可以让数TB容量的数据达到甚至超越SSD的性能表现，同价格情况下，SSD只有100GB量级的容量。回到刚才留下的包袱，除了局促的容量难以令SSD发挥出最佳性能，SSD在计算机系统逻辑中仍旧是外存设备，其上存储的是文件，但是Optane Memory在RST的帮助下，已经将HDD上的文件整理为内存直接可用的数据块，在系统调用时直接减少了数据转换的过程，对数据的访问响应更快至DRAM水平。 更具意义的部分在于，Optane Memory性能是如此出色，竟还被OS当作硬盘使用。当开启虚拟内存功能时，内存镜像要暂存至HDD，这个功能虽缓解了系统内存不足问题，但HDD太慢，动辄过GB虚拟内存页的读写交换过程严重影响体验。Optane Memory在此时变身为影子HDD，带来数十倍的速度提升，变相增加了系统内存容量，形成了类似Xeon平台+Optane SSD才能做到的内存池(Memory Pool)特性，即DRAM+Optane Memory(虚拟内存形式)。这也可以解释为何在实际测试中，4GB内存+16GB Optane Memory的系统比配备8GB内存的HDD系统性能更为出色了。 如今，主流PC的内存容量不过8GB-16GB，数百元的Optane Memory就能带来数千元内存才能做到的32GB-64GB内存性能和应用能力，更有本职工作 -- 加速HDD，真可谓以小博大的经典呀。

    半导体 CPU 英特尔 固态硬盘 穿戴设备

首页 上一页 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 下一页 尾页
发布文章

活动预告

更多

论坛

更多

相关标签

课程视频

更多